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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
NSV60200LT1G onsemi NSV60200LT1G 0.4900
RFQ
 ECAD 2801 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NSV60200 460 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 220MV @ 200MA, 2A 150 @ 500ma, 2V 100MHz
MMBT3416 onsemi MMBT3416 -
RFQ
 ECAD 6345 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3416 350 MW SOT-23-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 500 MA - NPN - - -
MMBF170LT3G onsemi MMBF170LT3G -
RFQ
 ECAD 3191 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBF17 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 500MA (TA) 10V 5ohm @ 200ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 60 pf @ 10 v - 225MW (TA)
MCH4016-TL-H onsemi MCH4016-TL-H -
RFQ
 ECAD 4240 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-343F MCH4016 350MW 4-mcph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 18db 12V 30ma NPN 60 @ 5MA, 5V 10GHz 1.2db @ 1GHz
MMDL914T1G onsemi MMDL914T1G 0.1600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 MMDL914 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 V @ 10 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 4pf @ 0V, 1MHz
NDD05N50ZT4G onsemi NDD05N50ZT4G -
RFQ
 ECAD 1306 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NDD05 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 4.7A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10V 4.5V @ 50µA 18.5 nc @ 10 v ± 30V 530 pf @ 25 v - 83W (TC)
SI3457DV onsemi SI3457DV -
RFQ
 ECAD 4702 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI345 MOSFET (금속 (() SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 4a, 10V 3V @ 250µA 8.1 NC @ 5 v ± 25V 470 pf @ 25 v - 1.6W (TA)
MMBD1705A onsemi MMBD1705A -
RFQ
 ECAD 3948 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD17 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 30 v 50ma 1.1 v @ 50 ma 1 ns 50 na @ 20 v 150 ° C (°)
MUN5215DW1T1 onsemi MUN5215DW1T1 0.0600
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 mun52 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
NTP75N03L09 onsemi NTP75N03L09 -
RFQ
 ECAD 5202 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NTP75N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 NTP75N03L09OS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 75A (TC) 5V 8mohm @ 37.5a, 5V 2V @ 250µA 75 NC @ 5 v ± 20V 5635 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 125W (TC)
MMBT2222AHLT1G onsemi MMBT2222AHLT1G -
RFQ
 ECAD 7339 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - MMBT2222 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 - - - - -
FQP19N20L onsemi FQP19N20L -
RFQ
 ECAD 1068 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP1 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 21A (TC) 5V, 10V 140mohm @ 10.5a, 10V 2V @ 250µA 35 NC @ 5 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 140W (TC)
KSA931OBU onsemi KSA931OBU -
RFQ
 ECAD 5090 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 KSA931 1 W. To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 6,000 60 v 700 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 70 @ 50MA, 2V 100MHz
MPSH17RLRA onsemi MPSH17RLRA 0.0400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.21.0075 8,000
1N4736A_S00Z onsemi 1N4736A_S00Z -
RFQ
 ECAD 2284 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4736 1 W. DO-41 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 10 µa @ 4 v 6.8 v 3.5 옴
MPSA13_D75Z onsemi MPSA13_D75Z -
RFQ
 ECAD 5074 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 MPSA13 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 30 v 1.2 a 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 125MHz
MCH6431-P-TL-H onsemi MCH6431-P-TL-H -
RFQ
 ECAD 6323 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 6-SMD,, 리드 MCH64 - 6mcph - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 - 5A (TJ) - - - -
MM5Z3V3 onsemi MM5Z3V3 -
RFQ
 ECAD 9193 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523F MM5Z3 200 MW SOD-523F 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
NDD02N40-1G onsemi NDD02N40-1g -
RFQ
 ECAD 8130 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NDD02 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 400 v 1.7A (TC) 10V 5.5ohm @ 220ma, 10V 2V @ 250µA 5.5 nc @ 10 v ± 20V 121 pf @ 25 v - 39W (TC)
KSA1013OTA onsemi KSA1013OTA -
RFQ
 ECAD 2657 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) KSA1013 900 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 160 v 1 a 1µA (ICBO) PNP 1.5V @ 50MA, 500MA 100 @ 200ma, 5V 50MHz
FFPF10U40STU onsemi FFPF10U40STU -
RFQ
 ECAD 9272 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 FFPF10 기준 TO-220F-2L 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.4 V @ 10 a 50 ns 30 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
RURU8060 onsemi RURU8060 -
RFQ
 ECAD 1016 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-218-1 80 기준 TO-218 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.6 V @ 80 a 85 ns 250 µa @ 600 v 80a -
FQPF9N50 onsemi FQPF9N50 -
RFQ
 ECAD 5377 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF9 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 5.3A (TC) 10V 730mohm @ 2.65a, 10V 5V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 30V 1450 pf @ 25 v - 50W (TC)
BC846AWT1G onsemi BC846AWT1G -
RFQ
 ECAD 9269 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC846 150 MW SC-70-3 (SOT323) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
1N759A_T50A onsemi 1N759A_T50A -
RFQ
 ECAD 2829 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N759 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 1 v 12 v 30 옴
MTP6P20E onsemi mtp6p20e -
RFQ
 ECAD 6248 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 mtp6p MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 200 v 6A (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 750 pf @ 25 v - 75W (TC)
MJL21195 onsemi MJL21195 -
RFQ
 ECAD 1931 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA MJL21 200 w TO-264 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 250 v 16 a 100µA PNP 4V @ 3.2A, 16A 25 @ 8a, 5V 4MHz
FQD17N08LTF onsemi FQD17N08LTF -
RFQ
 ECAD 4013 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD1 MOSFET (금속 (() D-PAK - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 12.9A (TC) 5V, 10V 100mohm @ 6.45a, 10V 2V @ 250µA 11.5 nc @ 5 v ± 20V 520 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 40W (TC)
NSS1C201MZ4T3G onsemi NSS1C201MZ4T3G 0.6300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA NSS1C201 800MW SOT-223 (TO-261) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 100 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 180mv @ 200ma, 2a 120 @ 500ma, 2V 100MHz
MBRS540T3 onsemi MBRS540T3 -
RFQ
 ECAD 2672 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC MBRS540 Schottky SMC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 5 a 300 µa @ 40 v 5a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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