전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 현재의 | 전압 | 전압 - 분리 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SBAS21LT3G | 0.3500 | ![]() | 57 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SBAS21 | 기준 | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 250 v | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 200ma | 5pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N961BTR | - | ![]() | 6381 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N961 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 10 µa @ 7.6 v | 10 v | 8.5 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6008B_T50R | - | ![]() | 8961 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N6008 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 17 v | 22 v | 55 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSP16T1G | 0.4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BSP16 | 1.5 w | SOT-223 (TO-261) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 300 v | 100 MA | 50µA | PNP | 2V @ 5MA, 50MA | 30 @ 50MA, 10V | 15MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | hufa75829d3st | - | ![]() | 2241 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | hufa75 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 150 v | 18A (TC) | 10V | 110mohm @ 18a, 10V | 4V @ 250µA | 70 NC @ 20 v | ± 20V | 1080 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVD3055-150T4G-VF01 | 0.8000 | ![]() | 6223 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NVD3055 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 9A (TA) | 10V | 150mohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 280 pf @ 25 v | - | 1.5W (TA), 28.8W (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC846CMTF | - | ![]() | 3572 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC846 | 310 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 420 @ 2MA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 42 | - | ![]() | 6291 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 42 | 2 w | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 200 | 40 v | 6 a | 700µA | PNP | 1.5V @ 600MA, 6A | 15 @ 3a, 4v | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH190N65F-F155 | 6.6900 | ![]() | 5800 | 0.00000000 | 온세미 | FRFET®, SUPERFET® II | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | FCH190 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 450 | n 채널 | 650 v | 20.6A (TC) | 10V | 190mohm @ 10a, 10V | 5V @ 2MA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 3225 pf @ 100 v | - | 208W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C4V7 | - | ![]() | 6387 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | BZX85C4 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µa @ 1.5 v | 4.7 v | 13 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 5HN01M-TL-H | - | ![]() | 1524 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | 5HN01 | MOSFET (금속 (() | MCP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 50 v | 100MA (TA) | 4V, 10V | 7.5ohm @ 50ma, 10V | - | 1.4 NC @ 10 v | ± 20V | 6.2 pf @ 10 v | - | 150MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF730 | 1.1400 | ![]() | 8412 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 5.5A (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJ11029G | 2.4000 | ![]() | 350 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-MJ11029G-488 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBF5462 | - | ![]() | 5998 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBF54 | 225 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 7pf @ 15V | 40 v | 4 ma @ 15 v | 1.8 V @ 1 µA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBF4416LT1G | - | ![]() | 7963 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 30 v | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBF44 | - | JFET | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | n 채널 | 15MA | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mur415g | 0.6100 | ![]() | 5196 | 0.00000000 | 온세미 | 스위치 스위치 ™ | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-201AA, DO-27, 축 방향 | MUR415 | 기준 | 축 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 890 mV @ 4 a | 35 ns | 5 µa @ 150 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 4a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FNA51560TD3 | - | ![]() | 3595 | 0.00000000 | 온세미 | SPM® 55 | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | 20-powerdip ip (1.220 ", 31.00mm) | IGBT | FNA51 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 78 | 3 상 인버터 | 15 a | 600 v | 1500VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5461G | - | ![]() | 2030 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 135 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | 2N5461 | 350 MW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2N5461GOS | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | p 채널 | 7pf @ 15V | 40 v | 2 ma @ 15 v | 1 V @ 1 µA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FSB50825AB | 8.3700 | ![]() | 180 | 0.00000000 | 온세미 | Motion-SPM® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | 23-powerdip ip (0.644 ", 16.35mm) | MOSFET | FSB50825 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 180 | 3 단계 | 3.6 a | 250 v | 1500VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ffpf12up20dntu | - | ![]() | 8681 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FFPF12 | 기준 | TO-220F-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 6A | 1.15 V @ 6 a | 12 ns | 100 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4728A | 0.2900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4728 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-1N4728A-488 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 µa @ 1 v | 3.3 v | 10 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5400 | - | ![]() | 9816 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | 2N5400 | 625 MW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 120 v | 600 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50ma | 40 @ 10ma, 5V | 400MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC8462 | 2.4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMC84 | MOSFET (금속 (() | Power33 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 14A (TA), 20A (TC) | 4.5V, 10V | 5.8mohm @ 13.5a, 10V | 3V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 2660 pf @ 20 v | - | 2W (TA), 41W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5384BG | 0.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5384 | 5 w | 축 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 122 v | 160 v | 350 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ4703T1G | 0.2500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ4703 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 12.1 v | 16 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBF4391LT1 | - | ![]() | 8159 | 0.00000000 | 온세미 | * | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | MMBF43 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ6.2D5RLG | - | ![]() | 7895 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ6.2 | 3 w | 축 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.5 v @ 200 ma | 5 µa @ 3 v | 6.2 v | 1.5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DWC010-TE-E | 0.1500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-DWC010-TE-E-488 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | sgr20n40ltf | - | ![]() | 1221 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | sgr20 | 기준 | 45 W. | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | - | 도랑 | 400 v | 150 a | 8V @ 4.5V, 150A | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LY85_BZ84C8V2 | - | ![]() | 8235 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | 표면 표면 | 주사위 | BZ84C8 | 주사위 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 3,000 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고