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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | fjv992fmtf | 0.3200 | ![]() | 71 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | FJV992 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 120 v | 50 MA | - | PNP | 300mv @ 1ma, 10ma | 300 @ 1ma, 6V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSCT2907ALT3G | - | ![]() | 8386 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | NSCT29 | 225 MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 60 v | 600 MA | 10NA (ICBO) | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC6089-CA | 0.7500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMT190N65S3H | 5.4500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 온세미 | Superfet® III | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-powertsfn | MOSFET (금속 (() | 4-TDFN (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-NTMT190N65S3HTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 650 v | 16A (TC) | 10V | 190mohm @ 8a, 10V | 4V @ 1.4ma | 31 NC @ 10 v | ± 30V | 1600 pf @ 400 v | - | 129W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NDF02N60ZH | - | ![]() | 3756 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | NDF02 | MOSFET (금속 (() | TO-220-2 풀 -2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 2.4A (TC) | 10V | 4.8ohm @ 1a, 10V | 4.5V @ 50µA | 16 nc @ 10 v | ± 30V | 325 pf @ 25 v | - | 24W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | szmm3z3v6t1g | 0.3200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | szmm3 | 300MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 1 v | 3.6 v | 90 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C5V1RL | 0.0200 | ![]() | 8969 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR120VLSFT3 | - | ![]() | 3855 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SOD-123F | MBR120 | Schottky | SOD-123FL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 340 mV @ 1 a | 600 µa @ 20 v | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
fjz945otf | - | ![]() | 5489 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-623F | FJZ945 | 100MW | SOT-623F | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 150 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 10ma, 100ma | 70 @ 1ma, 6V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS5C442NLWFT1G | - | ![]() | 2428 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 27A (TA), 127A (TC) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 50a, 10V | 2V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 3100 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | fdd6n50ftm | 1.2800 | ![]() | 105 | 0.00000000 | 온세미 | unifet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FDD6N50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 500 v | 5.5A (TC) | 10V | 1.15ohm @ 2.75a, 10V | 5V @ 250µA | 19.8 nc @ 10 v | ± 30V | 960 pf @ 25 v | - | 89W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | nzd6v8mut5g | 0.0348 | ![]() | 6003 | 0.00000000 | 온세미 | NZD5V1MU | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 0201 (0603 메트릭) | 200 MW | 2-x3dfn (0.6x0.3) (0201) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-nzd6v8mut5gtr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 v @ 10 ma | 500 NA @ 3.5 v | 6.8 v | 40 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD5862N-1g | - | ![]() | 8850 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NTD58 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 60 v | 98A (TC) | 10V | 5.7mohm @ 45a, 10V | 4V @ 250µA | 82 NC @ 10 v | ± 20V | 6000 pf @ 25 v | - | 115W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BS270-D74Z | 0.4200 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 온세미 | - | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | BS270 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 400MA (TA) | 4.5V, 10V | 2ohm @ 500ma, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 50 pf @ 25 v | - | 625MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD5413NT4G | - | ![]() | 1199 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NTD54 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 30A (TA) | 10V | 26mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 20V | 1725 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4836NT3G | - | ![]() | 4684 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS4 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 11A (TA), 90A (TC) | 4.5V, 11.5V | 4mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 28 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2677 pf @ 12 v | - | 890MW (TA), 55.6W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
FD6M033N06 | - | ![]() | 6945 | 0.00000000 | 온세미 | Power-SPM ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | EPM15 | FD6M033 | MOSFET (금속 (() | - | EPM15 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 19 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 73A | 3.3mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250µA | 129NC @ 10V | 6010pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSVBAS70LT1G | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | NSVBAS70 | Schottky | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 70 v | 1 V @ 15 ma | 10 µa @ 70 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 70ma | 2pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD4141-F085 | - | ![]() | 4284 | 0.00000000 | 온세미 | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FDD4141 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 10.8A (TA), 50A (TC) | 4.5V, 10V | 12.3mohm @ 12.7a, 10V | 3V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 2775 pf @ 20 v | - | 2.4W (TA), 69W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FCD620N60ZF | 1.9600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 온세미 | Hiperfet ™, Polar ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FCD620 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 7.3A (TC) | 10V | 620mohm @ 3.6a, 10V | 5V @ 250µA | 36 nc @ 10 v | ± 20V | 1135 pf @ 25 v | - | 89W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
FLZ36VD | - | ![]() | 1454 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | FLZ36 | 500MW | SOD-80 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 v @ 200 ma | 133 NA @ 27 v | 34.9 v | 63 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC6015-TD-E | - | ![]() | 4418 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z33VB | 0.2300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | MM3Z33 | 200 MW | SOD-323F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 ma | 45 NA @ 23 v | 33 v | 75 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH3123-TL-E | - | ![]() | 8757 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-96 | CPH3123 | 900 MW | 3-cph | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2832-cph3123-tl-etr | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 3 a | 1µA (ICBO) | PNP | 650MV @ 100MA, 2A | 200 @ 100ma, 2v | 390MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | mur115g | 0.3800 | ![]() | 275 | 0.00000000 | 온세미 | 스위치 스위치 ™ | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | mur115 | 기준 | 축 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 875 mv @ 1 a | 35 ns | 2 µa @ 150 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fdy1002pz-g | - | ![]() | 7671 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET (금속 (() | 446MW (TA) | SOT-563 | - | 488-FDY1002PZ-G | 1 | 2 p 채널 | 20V | 830MA (TA) | 500mohm @ 830ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 3.1NC @ 4.5V | 135pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC2271E-AE | - | ![]() | 7419 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | 900 MW | 3MP | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-2SC2271E-AE-488 | 1 | 300 v | 100 MA | 1µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 2ma, 20ma | 100 @ 10ma, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD4857N-35G | - | ![]() | 8221 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | NTD48 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 25 v | 12A (TA), 78A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 24 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1960 pf @ 12 v | - | 1.31W (TA), 56.6W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC12005 | 5.0100 | ![]() | 348 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC 터미널 | 4- 스퀘어, GBPC | GBPC12 | 기준 | GBPC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | GBPC12005FS | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 6 a | 5 µa @ 50 v | 12 a | 단일 단일 | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NRVTS260ESFT3G | - | ![]() | 1119 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SOD-123F | NRVTS260 | Schottky | SOD-123FL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 650 mV @ 2 a | 12 µa @ 60 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 2A | - |
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