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불연속 불연속 제품 (26937)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 전류 전류 (ID) - 최대
SMBZ2606-8LT3 onsemi SMBZ2606-8LT3 0.0200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0050 10,000
MM5Z12VT5G onsemi MM5Z12VT5G 0.2300
RFQ
 ECAD 1000 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.42% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 MM5Z12 500MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 12 v 25 옴
2SA1962RTU onsemi 2SA1962RTU -
RFQ
 ECAD 8819 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 2SA1962 130 W. to-3p 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2832-2SA1962RTU 귀 99 8541.29.0075 450 250 v 17 a 5µA (ICBO) PNP 3V @ 800ma, 8a 55 @ 1a, 5V 30MHz
2SC4414S onsemi 2SC4414S -
RFQ
 ECAD 7059 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,290
MTD15N06V1 onsemi MTD15N06V1 -
RFQ
 ECAD 1751 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1
FDS7788 onsemi FDS7788 -
RFQ
 ECAD 2966 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS77 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 18A (TA) 4.5V, 10V 4mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 48 NC @ 5 v ± 20V 3845 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
BC857BLT3G onsemi BC857BLT3G 0.1200
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
2SC3392-6-TB-E onsemi 2SC3392-6-TB-E -
RFQ
 ECAD 7700 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
SZNZ9F2V7ST5G onsemi sznz9f2v7st5g 0.0833
RFQ
 ECAD 2001 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-923 sznz9 250 MW SOD-923 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-SZNZ9F2V7ST5G 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
2SC4110M onsemi 2SC4110m -
RFQ
 ECAD 9465 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
FQA90N15-F109 onsemi FQA90N15-F109 6.2500
RFQ
 ECAD 340 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA90 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 150 v 90A (TC) 10V 18mohm @ 45a, 10V 4V @ 250µA 285 NC @ 10 v ± 25V 8700 pf @ 25 v - 375W (TC)
SZBZX84C7V5LT3G onsemi szbzx84c7v5lt3g 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, SZBZX84CXXXLT1G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SZBZX84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
FDA24N40F onsemi FDA24N40F 4.2400
RFQ
 ECAD 859 0.00000000 온세미 unifet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FDA24 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 400 v 23A (TC) 10V 190mohm @ 11.5a, 10V 5V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 30V 3030 pf @ 25 v - 235W (TC)
FDV304P onsemi FDV304P 0.4000
RFQ
 ECAD 6943 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FDV304 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 25 v 460MA (TA) 2.7V, 4.5V 1.1ohm @ 500ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.5 nc @ 4.5 v ± 8V 63 pf @ 10 v - 350MW (TA)
FDD390N15ALZ onsemi FDD390N15ALZ 1.5400
RFQ
 ECAD 3141 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD390 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 26A (TC) 4.5V, 10V 42mohm @ 26a, 10V 2.8V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1760 pf @ 75 v - 63W (TC)
NRVB2045MFST1G onsemi NRVB2045MFST1G -
RFQ
 ECAD 9269 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NRVB2045 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 488-NRVB2045MFST1G 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 610 mV @ 30 a 600 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
1N5243B onsemi 1N5243B 0.1800
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5243 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 9.9 v 13 v 13 옴
FDB0190N807L onsemi FDB0190N807L 5.9700
RFQ
 ECAD 775 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) FDB0190 MOSFET (금속 (() TO-263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 270A (TC) 8V, 10V 1.7mohm @ 34a, 10V 4V @ 250µA 249 NC @ 10 v ± 20V 19110 pf @ 40 v - 3.8W (TA), 250W (TC)
2SK1691-E onsemi 2SK1691-E 1.7600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
2N5245_L99Z onsemi 2N5245_L99Z -
RFQ
 ECAD 7938 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 30 v 2N5245 - JFET To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 n 채널 15MA - - -
FCPF11N65_G onsemi fcpf11n65_g -
RFQ
 ECAD 8092 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 FCPF11 - 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
2SK4177-DL-E onsemi 2SK4177-DL-E -
RFQ
 ECAD 4695 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 2SK4177 MOSFET (금속 (() SMP-FD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 1500 v 2A (TA) 10V 13o @ 1a, 10V - 37.5 nc @ 10 v ± 20V 380 pf @ 30 v - 80W (TC)
2SB1126-TD-E onsemi 2SB1126-TD-E 0.1700
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000
MMBZ5245BLT3G onsemi MMBZ5245BLT3G -
RFQ
 ECAD 5432 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 11 v 15 v 16 옴
TF256-5-TL-H onsemi TF256-5-TL-H -
RFQ
 ECAD 1368 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1123 TF256 30 MW 3- USFP - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 3.1pf @ 2v 240 µa @ 2 v 100 mV @ 1 µA 1 MA
NTR4171PT3G onsemi NTR4171PT3G -
RFQ
 ECAD 7164 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NTR417 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 30 v 2.2A (TA) 2.5V, 10V 75mohm @ 2.2a, 10V 1.4V @ 250µA 15.6 NC @ 10 v ± 12V 720 pf @ 15 v - 480MW (TA)
2SC3331T onsemi 2SC3331T 0.0200
RFQ
 ECAD 6042 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,229
2SD1230 onsemi 2SD1230 1.0100
RFQ
 ECAD 323 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 323
SPS9600RLRE onsemi sps9600rlre 1.0000
RFQ
 ECAD 3396 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 2,000
SFT1443-W onsemi SFT1443-W -
RFQ
 ECAD 5795 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA SFT144 MOSFET (금속 (() IPAK/TP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 9A (TA) 4V, 10V 225mohm @ 3a, 10V 2.6v @ 1ma 9.8 nc @ 10 v ± 20V 490 pf @ 20 v - 1W (TA), 19W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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