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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
NTMFS4836NT3G onsemi NTMFS4836NT3G -
RFQ
 ECAD 4684 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 11A (TA), 90A (TC) 4.5V, 11.5V 4mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 28 NC @ 4.5 v ± 20V 2677 pf @ 12 v - 890MW (TA), 55.6W (TC)
FDD6N50FTM onsemi fdd6n50ftm 1.2800
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 온세미 unifet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD6N50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 5.5A (TC) 10V 1.15ohm @ 2.75a, 10V 5V @ 250µA 19.8 nc @ 10 v ± 30V 960 pf @ 25 v - 89W (TC)
NZD6V8MUT5G onsemi nzd6v8mut5g 0.0348
RFQ
 ECAD 6003 0.00000000 온세미 NZD5V1MU 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0201 (0603 메트릭) 200 MW 2-x3dfn (0.6x0.3) (0201) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-nzd6v8mut5gtr 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 10 ma 500 NA @ 3.5 v 6.8 v 40
FJV4104RMTF onsemi fjv4104rmtf -
RFQ
 ECAD 7665 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 fjv410 200 MW SOT-23-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 200MHz 47 Kohms 47 Kohms
NSCT2907ALT3G onsemi NSCT2907ALT3G -
RFQ
 ECAD 8386 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NSCT29 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
KSA1013RTA onsemi KSA1013RTA -
RFQ
 ECAD 4355 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) KSA1013 900 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 160 v 1 a 1µA (ICBO) PNP 1.5V @ 50MA, 500MA 60 @ 200ma, 5V 50MHz
SZMMSZ4714T1G onsemi SZMMSZ4714T1G 0.3200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 SZMMSZ4714 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 na @ 25 v 33 v
FQPF13N50CF onsemi fqpf13n50cf 3.0200
RFQ
 ECAD 5786 0.00000000 온세미 FRFET® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF13 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 13A (TC) 10V 540mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 30V 2055 PF @ 25 v - 48W (TC)
NTD3055L170G onsemi NTD3055L170G -
RFQ
 ECAD 6268 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD30 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 9A (TA) 5V 170mohm @ 4.5a, 5V 2V @ 250µA 10 nc @ 5 v ± 15V 275 pf @ 25 v - 1.5W (TA), 28.5W (TJ)
NVMFS5C673NT1G onsemi NVMFS5C673NT1G 0.6888
RFQ
 ECAD 9172 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 14A (TA), 50A (TC) 10V 10.7mohm @ 7a, 10V 4V @ 35µA 9.6 NC @ 10 v ± 20V 680 pf @ 30 v - 3.6W (TA), 46W (TC)
NSVBAS70LT1G onsemi NSVBAS70LT1G 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NSVBAS70 Schottky SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 70 v 1 V @ 15 ma 10 µa @ 70 v -55 ° C ~ 150 ° C 70ma 2pf @ 0V, 1MHz
2SC6015-TD-E onsemi 2SC6015-TD-E -
RFQ
 ECAD 4418 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 1,000
MM3Z33VB onsemi MM3Z33VB 0.2300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F MM3Z33 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 23 v 33 v 75 옴
FLZ36VD onsemi FLZ36VD -
RFQ
 ECAD 1454 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 FLZ36 500MW SOD-80 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.2 v @ 200 ma 133 NA @ 27 v 34.9 v 63 옴
FDD4141-F085 onsemi FDD4141-F085 -
RFQ
 ECAD 4284 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD4141 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 10.8A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 12.3mohm @ 12.7a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2775 pf @ 20 v - 2.4W (TA), 69W (TC)
FDPF5N50FT onsemi fdpf5n50ft -
RFQ
 ECAD 1169 0.00000000 온세미 unifet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FDPF5 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2832-fdpf5n50ft 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 1.55ohm @ 2.25a, ​​10V 5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 25 v - 28W (TC)
2SC536F-SPA-AC onsemi 2SC536F-SPA-AC 0.2700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 1
FCD620N60ZF onsemi FCD620N60ZF 1.9600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 온세미 Hiperfet ™, Polar ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FCD620 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 7.3A (TC) 10V 620mohm @ 3.6a, 10V 5V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1135 pf @ 25 v - 89W (TC)
NRVBS3200T3G onsemi NRVBS3200T3G -
RFQ
 ECAD 9065 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB NRVBS32 Schottky SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 840 mV @ 3 a 1 ma @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
MPS2907ARL1G onsemi MPS2907ARL1G -
RFQ
 ECAD 4784 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) MPS290 625 MW TO-92 (TO-226) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
FQP2P40-F080 onsemi FQP2P40-F080 1.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP2 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 400 v 2A (TC) 10V 6.5ohm @ 1a, 10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 350 pf @ 25 v - 63W (TC)
FDMS7670AS onsemi FDMS7670AS 1.2900
RFQ
 ECAD 182 0.00000000 온세미 Powertrench®, SyncFet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS7670 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 22A (TA), 42A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 21A, 10V 3V @ 1mA 66 NC @ 10 v ± 20V 4225 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 65W (TC)
NVTFS6H850NWFTAG onsemi NVTFS6H850NWFTAG 1.2000
RFQ
 ECAD 4824 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFS6 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 11A (TA), 68A (TC) 10V 9.5mohm @ 10a, 10V 4V @ 70µA 19 NC @ 10 v ± 20V 1140 pf @ 40 v - 3.2W (TA), 107W (TC)
NTP75N03-6G onsemi NTP75N03-6G -
RFQ
 ECAD 9350 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NTP75N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 75A (TC) 10V 6.5mohm @ 37.5a, 10V 2V @ 250µA 75 NC @ 5 v ± 20V 5635 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 125W (TC)
FDS8958A onsemi FDS8958A 0.8500
RFQ
 ECAD 4228 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS89 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 7a, 5a 28mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 16NC @ 10V 575pf @ 15V 논리 논리 게이트
NTB30N20T4G onsemi NTB30N20T4G -
RFQ
 ECAD 8670 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NTB30 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 30A (TA) 10V 81mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 30V 2335 pf @ 25 v - 2W (TA), 214W (TC)
FDMS0346 onsemi FDMS0346 -
RFQ
 ECAD 3475 0.00000000 온세미 * 대부분 쓸모없는 FDMS03 - - 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
FQA33N10L onsemi fqa33n10l -
RFQ
 ECAD 3695 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA3 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 100 v 36A (TC) 5V, 10V 52mohm @ 18a, 10V 2V @ 250µA 40 nc @ 5 v ± 20V 1630 pf @ 25 v - 163W (TC)
FDBL86066-F085 onsemi FDBL86066-F085 3.6900
RFQ
 ECAD 637 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn FDBL86066 MOSFET (금속 (() 8-HPSOF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 185A (TC) 10V 4.1mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 69 NC @ 10 v ± 20V 3240 pf @ 50 v - 300W (TA)
FDMA86265P onsemi FDMA86265P 1.1300
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 FDMA86265 MOSFET (금속 (() 6 x 2 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 1A (TA) 6V, 10V 1.2ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 4 NC @ 10 v ± 25V 210 pf @ 75 v - 2.4W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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