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디스크리트 반도체(26937)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 입력 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
NJVNJD35N04G onsemi NJVNJD35N04G -
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 ECAD 2287 0.00000000 온세미 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 NJVNJD35 45W DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 75 350V 4A 50μA NPN-달링턴 1.5V @ 20mA, 2A 2000 @ 2A, 2V 90MHz
EMX2DXV6T5G onsemi EMX2DXV6T5G -
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 ECAD 5702 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMX2DXV6 500mW SOT-563 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA(ICBO) 2 NPN(이중) 400mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 180MHz
NDF08N50ZG onsemi NDF08N50ZG -
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 ECAD 6092 0.00000000 온세미 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 NDF08 MOSFET(금속) TO-220FP 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 500V 8.5A(Tc) 10V 850m옴 @ 3.6A, 10V 100μA에서 4.5V 46nC @ 10V ±30V 25V에서 1095pF - 35W(Tc)
NTR1P02T1 onsemi NTR1P02T1 -
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 ECAD 2136 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NTR1P0 MOSFET(금속) SOT-23-3(TO-236) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. NTR1P02T1OS EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 1A(타) 4.5V, 10V 180m옴 @ 1.5A, 10V 2.3V @ 250μA 2.5nC @ 5V ±20V 5V에서 165pF - 400mW(타)
MUR1620CTRG onsemi MUR1620CTRG 2.3200
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 ECAD 7 0.00000000 온세미 스위치 모드™ 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-3 MUR1620 기준 TO-220 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍 구역 200V 8A 1.2V @ 8A 85ns 200V에서 5μA -65°C ~ 175°C
FQD3P20TM onsemi FQD3P20TM -
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 ECAD 4060 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 FQD3 MOSFET(금속) TO-252AA 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 200V 2.4A(Tc) 10V 2.7옴 @ 1.2A, 10V 5V @ 250μA 8nC @ 10V ±30V 25V에서 250pF - 2.5W(Ta), 37W(Tc)
KSD1616GBU onsemi KSD1616GBU -
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 ECAD 7742 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSD1616 750mW TO-92-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 50V 1A 100nA(ICBO) NPN 300mV @ 50mA, 1A 200 @ 100mA, 2V 160MHz
FDMS86320 onsemi FDMS86320 1.6800
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 ECAD 6 0.00000000 온세미 파워트렌치® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN FDMS86 MOSFET(금속) 8-PQFN(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 80V 10.5A(Ta), 22A(Tc) 8V, 10V 11.7m옴 @ 10.5A, 10V 250μA에서 4.5V 41nC @ 10V ±20V 40V에서 2640pF - 2.5W(Ta), 69W(Tc)
FMBA06 onsemi FMBA06 0.5300
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 ECAD 63 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 FMBA0 700mW SuperSOT™-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 80V 500mA 100nA 2 NPN(이중) 250mV @ 10mA, 100mA 100 @ 100mA, 1V 100MHz
3EZ8.2D5RLG onsemi 3EZ8.2D5RLG -
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 ECAD 5989 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 3EZ8.2 3W 축방향 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 6,000 1.5V @ 200mA 6V에서 5μA 8.2V 2.3옴
NVTFS6H850NWFTAG onsemi NVTFS6H850NWFTAG 1.2000
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 ECAD 4824 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN NVTFS6 MOSFET(금속) 8-WDFN(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 80V 11A(타), 68A(Tc) 10V 9.5m옴 @ 10A, 10V 70μA에서 4V 19nC @ 10V ±20V 40V에서 1140pF - 3.2W(Ta), 107W(Tc)
NTP4302G onsemi NTP4302G -
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 ECAD 5178 0.00000000 온세미 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 NTP430 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 30V 74A (Tc) 4.5V, 10V 9.3m옴 @ 37A, 10V 3V @ 250μA 28nC @ 4.5V ±20V 24V에서 2400pF - 80W(Tc)
FDMC610P onsemi FDMC610P 2.2900
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 ECAD 6006 0.00000000 온세미 파워트렌치® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN FDMC610 MOSFET(금속) 파워33 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 12V 80A(Tc) 2.5V, 4.5V 3.9m옴 @ 22A, 4.5V 1V @ 250μA 99nC @ 4.5V ±8V 6V에서 1250pF - 2.4W(Ta), 48W(Tc)
MMBT5550LT3G onsemi MMBT5550LT3G 0.2100
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 ECAD 96 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT5550 225mW SOT-23-3(TO-236) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 140V 600mA 100nA NPN 250mV @ 5mA, 50mA 60 @ 10mA, 5V -
FQP2NA90 onsemi FQP2NA90 -
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 ECAD 2252 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 FQP2 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 900V 2.8A(Tc) 10V 5.8옴 @ 1.4A, 10V 5V @ 250μA 20nC @ 10V ±30V 680pF @ 25V - 107W(Tc)
NSVDTC143ZET1G onsemi NSVDTC143ZET1G 0.4100
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 ECAD 11 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 NSVDTC143 200mW SC-75, SOT-416 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250mV @ 1mA, 10mA 80 @ 5mA, 10V 4.7kΩ 47kΩ
NVMFS5C430NLT1G onsemi NVMFS5C430NLT1G -
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 ECAD 4574 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerTDFN, 5리드 NVMFS5 MOSFET(금속) 5-DFN(5x6)(8-SOFL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 40V 200A(Tc) 4.5V, 10V 1.5m옴 @ 50A, 10V 2V @ 250μA 70nC @ 10V ±20V 20V에서 4300pF - 3.8W(Ta), 110W(Tc)
EFC3C001NUZTCG onsemi EFC3C001NUZTCG -
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 ECAD 8068 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 4-XFBGA, WLCSP EFC3C001 MOSFET(금속) 1.6W 4-WLCSP(1.26x1.26) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-EFC3C001NUZTCG-488 EAR99 8541.29.0095 5,000 2 N채널(이중) 시작 - - - 1.3V @ 1mA 15nC @ 4.5V - 레벨 레벨 컨트롤러, 2.5V 드라이브
MUR405 onsemi MUR405 -
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 ECAD 8326 0.00000000 온세미 스위치 모드™ 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 DO-201AA, DO-27, 축방향 MUR40 기준 축방향 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 50V 890mV @ 4A 35ns 50V에서 5μA -65°C ~ 175°C 4A -
FJPF6806DTU onsemi FJPF6806DTU -
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 ECAD 4606 0.00000000 온세미 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 FJPF68 40W TO-220F-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 750V 6A 1mA NPN 5V @ 1A, 4A 4 @ 4A, 5V -
BC547ARL1 onsemi BC547ARL1 -
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 ECAD 3015 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리(성형 리드) BC547 625mW TO-92 (TO-226) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 2,000 45V 100mA 15nA NPN 500μA, 10mA에서 250mV 110 @ 2mA, 5V 300MHz
1N5994B onsemi 1N5994B -
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 ECAD 5835 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 1N5994 500mW DO-35 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 1,000 1.2V @ 200mA 2μA @ 3V 5.6V 25옴
EMH2408-TL-H onsemi EMH2408-TL-H -
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 ECAD 6914 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 EMH2408 MOSFET(금속) 1.2W 8-EMH 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 20V 4A 45m옴 @ 4A, 4.5V - 4.7nC @ 4.5V 345pF @ 10V 게임 레벨 레벨
NTD5C648NLT4G onsemi NTD5C648NLT4G 4.6800
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 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 NTD5C648 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 22A(타), 91A(Tc) 4.5V, 10V 4.1m옴 @ 45A, 10V 2.1V @ 250μA 17nC @ 10V ±20V 30V에서 2900pF - 4.4W(Ta), 76W(Tc)
FDU8580 onsemi FDU8580 -
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 ECAD 2141 0.00000000 온세미 파워트렌치® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA FDU85 MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 75 N채널 20V 35A(Tc) 4.5V, 10V 9m옴 @ 35A, 10V 2.5V @ 250μA 27nC @ 10V ±20V 1445pF @ 10V - 49.5W(Tc)
FDC658APG onsemi FDC658APG -
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 ECAD 3188 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 FDC658 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 488-FDC658APGTR 더 이상 사용하지 않는 경우 3,000 -
FQD6N60CTM-WS onsemi FQD6N60CTM-WS -
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 ECAD 7740 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 FQD6N60 MOSFET(금속) TO-252AA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 4A(TC) 10V 2옴 @ 2A, 10V 4V @ 250μA 20nC @ 10V ±30V 25V에서 810pF - 80W(Tc)
BSS138-G onsemi BSS138-G 0.5100
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 ECAD 6971 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 MOSFET(금속) SOT-23-3(TO-236) - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 50V 220mA(타) 4.5V, 10V 3.5옴 @ 220mA, 10V 1.5V @ 1mA 2.4nC @ 10V ±20V 27pF @ 25V - 360mW(타)
NXH200T120H3Q2F2STNG onsemi NXH200T120H3Q2F2STNG 215.8400
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 ECAD 8166 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 방역 기준기준 679W 기준 56-PIM/Q2PACK(93x47) 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 488-NXH200T120H3Q2F2STNG EAR99 8541.29.0095 12 다리 다리 트렌치 필드스톱 650V 330A 2.3V @ 15V, 200A 500μA 아니요 35.615nF @ 25V
CPH6341-M-TL-W onsemi CPH6341-M-TL-W 0.6000
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 ECAD 6892 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-23-6 CPH6341 MOSFET(금속) 6-CPH - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 5A(타) 4V, 10V 59m옴 @ 3A, 10V 2.6V @ 1mA 10nC @ 10V ±20V 10V에서 430pF - 1.6W(타)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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