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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재 -홀드 (ih) (최대)	테스트 테스트	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	전류- 누출 리버스 @ vr	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	25 ° C @ TD (오프/온)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
1N966B	2.1800	RFQ	39	모토로라	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-1N966B-600066			149																						5 µa @ 12.2 v									16 v	17 옴
TIP33A	0.3700	RFQ	10	모토로라	-	상자	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-218-3				80 W.	TO-218	다운로드	rohs 비준수				귀 99	8541.29.0095	100																								60 v	10 a					-			NPN	-	100 @ 3a, 4v	3MHz
NTD4N60T4	0.7200	RFQ	25	모토로라	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()		DPAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널			600 v	4A (TC)	10V	2.4ohm @ 2a, 10V	4V @ 250µA	10 nc @ 10 v	± 20V	760 pf @ 25 v	-	96W (TC)
1N4682	3.4900	RFQ	37	모토로라	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.10.0050	86																					1.5 v @ 100 ma	1 µa @ 1 v									2.7 v
STD2002T4	1.0000	RFQ	8299	모토로라	*	대부분	활동적인										-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	2,500
1N5988B	2.7500	RFQ	62	모토로라	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5988			500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	110																					1.1 v @ 200 ma	25 µa @ 1 v									3.3 v	95 옴
1N5991BRL	0.0700	RFQ	85	모토로라	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW	DO - 204AH	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																					1.2 v @ 200 ma	5 µa @ 1 v									4.3 v	88 옴
MJE18002D2	0.4600	RFQ	13	모토로라	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3				50 W.	TO-220-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	0000.00.0000	1																								450 v	2 a					100µA			NPN	750mv @ 200ma, 1a	14 @ 400ma, 1V	13MHz
MJW16212	4.9200	RFQ	1	모토로라	스캔 스캔 ™	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3				150 W.	TO-247	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	0000.00.0000	1																								650 v	10 a					250µA			NPN	1V @ 2.2A, 5.5A	4 @ 10a, 5V	2.75MHz
STD1065T4	1.0000	RFQ	8562	모토로라	*	대부분	활동적인										-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	2,500
1N6002B	1.8400	RFQ	38	모토로라	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N6002			500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	163																					1.1 v @ 200 ma	100 na @ 9.1 v									12 v	22 옴
2N5209RLRE	0.0400	RFQ	52	모토로라	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드				625 MW	TO-92 (TO-226)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	0000.00.0000	2,000																								50 v	50 MA					50NA (ICBO)			NPN	700mv @ 1ma, 10ma	150 @ 10ma, 5V	30MHz
TIP35A	-	RFQ	3528	모토로라	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-218-3				125 w	TO-218	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	1																								60 v	25 a					-			NPN	-	10 @ 15a, 4v	3MHz
1N4703RL	0.4300	RFQ	149	모토로라	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW	DO - 204AH	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.10.0050	5,000																					1.5 v @ 100 ma	50 NA @ 12.1 v									16 v
BZX85C10RL	-	RFQ	1253	모토로라	BZX85C3V3RL	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				1 W.	DO-35 (DO-204AH)	다운로드					귀 99	8541.10.0050	1																					1.2 v @ 200 ma	500 na @ 7 v									10 v	7 옴
1N4708RL	0.2300	RFQ	154	모토로라	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW	DO - 204AH	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.10.0050	5,000																					1.5 v @ 100 ma	10 na @ 16.7 v									22 v
1N5233D	0.0700	RFQ	13	모토로라	-	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW	DO - 204AH	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.10.0050	1																					1.1 v @ 200 ma	5 µa @ 3.5 v									6 v	7 옴
1N5995BRL	0.0200	RFQ	70	모토로라	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW	DO - 204AH	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																					1.2 v @ 200 ma	1 µa @ 4 v									6.2 v	10 옴
MMSF2P02ER2	-	RFQ	2143	모토로라	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MOSFET (금속 (()		8-SOIC	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MMSF2P02ER2-600066			1		p 채널			20 v	2.5A (TA)	4.5V, 10V	250mohm @ 2a, 10V	3V @ 250µA	15 nc @ 10 v	± 20V	475 pf @ 16 v	-	2.5W (TA)
MUR3040	-	RFQ	6309	모토로라	*	대부분	쓸모없는										-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MUR3040-600066			1
1N5384BG	-	RFQ	9239	모토로라	1N53	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	T-18, 축,				5 w	축	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-1N5384BG-600066			1																					1.2 v @ 1 a	500 NA @ 122 v									160 v	350 옴
MTP1302	-	RFQ	4509	모토로라	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			MOSFET (금속 (()		TO-220-3	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MTP1302-600066			1		n 채널			30 v	42A (TC)	4.5V, 10V	22mohm @ 10a, 10V	2V @ 250µA	40.5 nc @ 10 v	± 20V	1162 pf @ 25 v	-	74W (TC)
2N2639	-	RFQ	7297	모토로라	-	대부분	활동적인		-	구멍을 구멍을	78-6 금속 6	2N263			600MW	To-78-6	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0095	10																								45V	30ma					-			2 NPN (()	-	50 @ 10µa, 5V	40MHz
NTB6N60T4	1.3000	RFQ	6	모토로라	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널			600 v	6A (TC)	10V	1.2ohm @ 3a, 10V	4V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V	1670 pf @ 25 v	-	142W (TC)
1N4697	4.6500	RFQ	25	모토로라	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW	DO - 204AH	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	70																					1.5 v @ 100 ma	1 µa @ 7.6 v									10 v
MGW30N60	4.6300	RFQ	8385	모토로라	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		기준		202 w	TO-247	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0095	50				360V, 30A, 20ohm, 15V																			-	600 v	50 a	100 a	3.45V @ 15V, 30A	980µJ (OFF)	76ns/348ns
1N989B	-	RFQ	9605	모토로라	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향				500MW	DO-7	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.10.0050	1																					1.1 v @ 200 ma	5 µa @ 114 v									150 v	1500 옴
MAC223A6FP	-	RFQ	7468	모토로라	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩					TO-220-3	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MAC223A6FP-600066			1	하나의		50 MA												기준	400 v	25 a	2 v	250A @ 60Hz	50 MA
BC556BG	0.1100	RFQ	6	모토로라	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드				625 MW	TO-92 (TO-226)	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.21.0075	5,000																								65 v	100 MA					100NA			PNP	650MV @ 5MA, 100MA	180 @ 2MA, 5V	280MHz
1N5252BRL	0.0200	RFQ	20	모토로라	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW	DO - 204AH	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.10.0050	15,000																					1.2 v @ 200 ma	100 na @ 18 v									24 v	33 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (113)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²