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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	현재 - 최대	현재 -홀드 (ih) (최대)	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	저항 -rds (on)	저항 @ if, f	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
NTE6364	141.9600	RFQ	9	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-9, 스터드	기준		Do-9	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE6364	귀 99	8541.10.0080	1	짐																								1600 v			30 ma @ 1600 v	-40 ° C ~ 180 ° C	300A	-
NTE6116	-	RFQ	4841	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			클램프 클램프	DO-200AC, K-PUK	기준		do-200ac	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE6116	귀 99	8541.10.0080	1	짐																								600 v	1.41 V @ 4000 a		75 ma @ 600 v	-40 ° C ~ 180 ° C	3000A	-
NTE123A	1.3300	RFQ	488	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔		1.2 w	TO-18	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE123A	귀 99	8541.21.0095	1																																40 v	800 MA						10NA					NPN	1V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	300MHz
NTE75	29.0200	RFQ	47	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C	섀시, 마운트 스터드	~ 111-4,-		2 w	~ 111	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE75	귀 99	8541.29.0095	1																																80 v	5 a						100µA					NPN	1.5v @ 500ma, 5a	40 @ 50MA, 5V	120MHz
NTE5306	2.1600	RFQ	714	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4 회원	기준		-	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5306	귀 99	8541.10.0080	1																										1 V @ 1 a		10 µa @ 800 v		1.5 a				단일 단일	800 v
NTE5496	10.9600	RFQ	10	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 125 ° C (TJ)	스터드 스터드	TO-208AA, TO-48-3, 스터드			To-48	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5496	귀 99	8541.30.0000	1				50 MA												600 v	25 a	2 v	150A @ 60Hz	1.2 a	2 v	16 a	10 µA	표준 표준
NTE240	5.3900	RFQ	20	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-202 긴 2		1 W.	202n	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE240	귀 99	8541.29.0095	1																																300 v	500 MA						200NA (ICBO)					PNP	750mv @ 3ma, 30ma	30 @ 30MA, 10V	60MHz
NTE5301	1.4600	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에미	기준		4-sip	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5301	귀 99	8541.10.0080	1																										1 V @ 8 a		5 µa @ 600 v		8 a				단일 단일	600 v
NTE5513	14.5600	RFQ	12	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 100 ° C	구멍을 구멍을	TO-213AA, TO-66-2			To-66	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5513	귀 99	8541.30.0000	1				20 MA												600 v	5 a	2 v	60A @ 60Hz	15 MA		3.2 a		표준 표준
NTE5042A	0.7900	RFQ	730	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5042A	귀 99	8541.10.0050	1																																								56 v	150 옴
NTE5126A	1.3000	RFQ	424	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		5 w	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5126A	귀 99	8541.10.0050	1																																								11 v	2.5 옴
NTE2392	32.7600	RFQ	877	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3	MOSFET (금속 (()		TO-3	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE2392	귀 99	8541.29.0095	1		n 채널				100 v	40A (TC)	10V	55mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	120 nc @ 10 v	± 20V	3000 pf @ 25 v	-	150W (TC)
1N5711	0.4000	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		Do-204Ah, do-35, 축 방향			-	다운로드	rohs 비준수	2368-1n5711	귀 99	8541.10.0070	1			15 MA												250 MW																2pf @ 0V, 1MHz			Schottky- 싱글	70V								-
GI852/MR852	0.3200	RFQ	188	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	기준		Do-201ad	다운로드	rohs 비준수	2368-GI852/MR852	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																								200 v	1.25 V @ 3 a	200 ns	10 µa @ 200 v	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	28pf @ 4V, 1MHz
NTE5557	174.7200	RFQ	4051	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		125 ° C (TJ)	섀시 섀시	TO-200AB, A-PUK			TO-200AB	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5557	귀 99	8541.30.0080	1																1.6kV	820 a	3 v	6200A @ 50Hz	200 MA	2 v	735 a	40 MA	표준 표준
NTE6107	260.6400	RFQ	11	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	마개	기준		T-70	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE6107	귀 99	8541.10.0080	1	짐																								1600 v	1.6 V @ 1500 a	11 µs	50 ma @ 1600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	450a	-
NTE5562	38.0000	RFQ	10	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C	스터드 스터드	TO-208AA, TO-48-3, 스터드			TO-48 고립 8 스터드	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5562	귀 99	8541.10.0080	1				50 MA												200 v	35 a		300A @ 60Hz	30 MA	1.6 v		2 MA	표준 표준
NTE5949	6.5900	RFQ	6	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-5, 스터드	기준		DO-5	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5949	귀 99	8541.10.0080	1	짐																								400 v	1.5 v @ 15 a		10 ma @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	15a	-
NTE5525	20.6100	RFQ	189	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 125 ° C (TJ)	스터드 스터드	TO-208AA, TO-48-3, 스터드			To-48	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5525	귀 99	8541.30.0000	1																250 v	25 a	3 v	150A @ 60Hz	40 MA	1.7 v	16 a		표준 표준
1N4749A	0.1400	RFQ	582	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 0.5%	-65 ° C ~ 20 ° C	구멍을 구멍을	축		1 W.	축	다운로드	rohs 비준수	2368-1n4749a	귀 99	8541.10.0050	1																												5 µa @ 18.2 v												24 v	25 옴
NTE2910	7.9500	RFQ	266	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔			TO-18	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE2910	귀 99	8541.29.0095	1		n 채널				40 v							14pf @ 20V																							40 v	5 ma @ 20 v	500 MV @ 1 NA				100 옴
NTE5550	3.6300	RFQ	68	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5550	귀 99	8541.10.0080	1				40 MA												50 v	25 a	1.5 v	300A, 350A	40 MA	1.8 v	16 a	10 µA	표준 표준
NTE387	37.6000	RFQ	20	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3		250 W.	TO-3	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE387	귀 99	8541.29.0095	1																																150 v	50 a						50µA					NPN	3V @ 10a, 50a	50 @ 1a, 4v	30MHz
NTE5251AK	26.8600	RFQ	86	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		50 W.	DO-5	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5251AK	귀 99	8541.10.0050	1																																								9.1 v	0.5 옴
1N5245B	0.1200	RFQ	88	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		500MW	-	다운로드	rohs 비준수	2368-1n5245b	귀 99	8541.10.0050	1																												100 na @ 11 v												15 v	16 옴
NTE2638	2.6200	RFQ	631	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		2 w	TO-220	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE2638	귀 99	8541.29.0095	1																																400 v	7 a						250µA					npn-달링턴	2V @ 250MA, 5A	150 @ 2.5a, 5V	-
1N4742A	0.1400	RFQ	6	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 0.5%	-65 ° C ~ 20 ° C	구멍을 구멍을	축		1 W.	축	다운로드	Rohs3 준수	2368-1N4742A	귀 99	8541.10.0050	1																												5 µa @ 9.1 v												12 v	9 옴
NTE54	3.7400	RFQ	27	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		2W	TO-220	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE54	귀 99	8541.29.0095	1					-																											150V	8a											NPN		40 @ 2a, 2v	30MHz	-
NTE6008	21.8800	RFQ	66	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-5, 스터드	기준		DO-5	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE6008	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																								400 v	1.4 V @ 40 a	400 ns	50 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 160 ° C	40a	-
NTE5295AK	33.8600	RFQ	36	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	스터드 스터드	DO-203AA, DO-5, 스터드		50 W.	DO-5	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5295AK	귀 99	8541.10.0050	1																										1.5 V @ 10 a		10 µa @ 144.4 v												190 v	95 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2287)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²