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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	전류 - 출력 피크	FET 유형	현재 -홀드 (ih) (최대)	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	전압 - 파괴	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	노이즈 노이즈 (db typ @ f)	현재 - 오버 브레이크
NTE390	4.4500	RFQ	237	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-3P-3, SC-65-3		80 W.	3pn	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE390	귀 99	8541.29.0095	1																																			100 v	10 a	700µA			NPN	4V @ 2.5A, 10A	40 @ 1a, 4v	3MHz
NTE5092A	0.6000	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		1 W.	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE5092A	귀 99	8541.10.0050	1																																						68 v	150 옴
NTE2351	3.9500	RFQ	751	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	3-sip		1 W.	3-sip	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE2351	귀 99	8541.29.0095	1																																			80 v	4 a	20µA (ICBO)			npn-달링턴	1.5V @ 6MA, 3A	2000 @ 1a, 2v	-
1N5375B	0.7600	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,		5 w	축	다운로드	Rohs3 준수		2368-1n5375b	귀 99	8541.10.0050	1																													1.2 v @ 1 a		500 NA @ 62.2 v							82 v	65 옴
NTE2385	7.1800	RFQ	815	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE2385	귀 99	8541.29.0095	1				n 채널			500 v	8A (TC)	10V	850mohm @ 4.8a, 10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 v	± 20V	1300 pf @ 25 v	-	125W (TC)
1N4755A	0.1400	RFQ	427	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 0.5%	-65 ° C ~ 20 ° C	구멍을 구멍을	축		1 W.	축	다운로드	Rohs3 준수		2368-1n4755a	귀 99	8541.10.0050	1																															5 µa @ 32.7 v							43 v	70 옴
2N5551	0.1900	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드		625 MW	To-92	다운로드	Rohs3 준수		2368-2N5551	귀 99	8541.21.0095	1																																			160 v	200 MA	-			NPN	200mv @ 5ma, 50ma	80 @ 10ma, 5V	300MHz
NTE5609	4.2400	RFQ	104	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE5609	귀 99	8541.30.0080	1	하나의				50 MA												논리 - 게이트 민감한	600 v	8 a	1.3 v	80A @ 60Hz	10 MA
NTE5409	8.8800	RFQ	99	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 100 ° C	구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔			To-5	다운로드	rohs 비준수		2368-NTE5409	귀 99	8541.30.0000	1					5 MA													400 v	4 a	800 MV	40A @ 60Hz	200 µA	2.2 v		750 µA	민감한 민감한
NTE5292A	33.8600	RFQ	137	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		50 W.	DO-5	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE5292A	귀 99	8541.10.0050	1																																						160 v	80 옴
TIP33C	3.0000	RFQ	328	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-218-3		80 W.	TO-218	다운로드	Rohs3 준수		2368-TIP33C	귀 99	8541.29.0095	1																																			100 v	10 a	-			NPN	-	100 @ 3a, 4v	3MHz
팁 126	1.0400	RFQ	192	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		65 w	TO-220-3	다운로드	rohs 비준수		2368-TIP126	귀 99	8541.29.0095	1																																			80 v	5 a	500µA			pnp- 달링턴	4V @ 20MA, 5A	1000 @ 3A, 3V	4MHz
MJ10004	6.4800	RFQ	585	NTE Electronics, Inc	스위치 스위치 ™	가방	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3		175 w	TO-3	다운로드	rohs 비준수		2368-MJ10004	귀 99	8541.29.0095	1																																			350 v	20 a	250µA			npn-달링턴	3V @ 2A, 20A	50 @ 5a, 5V	-
NTE6408	1.1100	RFQ	8444	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		축			-	다운로드	rohs 비준수		2368-NTE6408	귀 99	8541.30.0080	1			2 a																								28 ~ 36V																		25 µA
2N4870	3.0000	RFQ	52	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		300MW	To-92	다운로드	Rohs3 준수		2368-2N4870	귀 99	8541.21.0095	1																																					-			PNP	-	-	-
1N4001	0.0800	RFQ	4654	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수		2368-1N4001	귀 99	8541.10.0080	1		짐																										50 v	1.1 v @ 1 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
2N5232A	0.3000	RFQ	7318	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		360 MW	To-92	다운로드	rohs 비준수		2368-2N5232A	귀 99	8541.21.0095	1																																			50 v	100 MA	30NA			NPN	125mv @ 1ma, 10ma	250 @ 2MA, 5V	-
NTE5019T1	1.4600	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE5019T1	귀 99	8541.10.0050	1																																						10 v	15 옴
BD912	1.4400	RFQ	458	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		90 W.	TO-220	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	2368-BD912	귀 99	8541.29.0095	1																																			100 v	15 a	1MA			PNP	3V @ 2.5A, 10A	40 @ 500ma, 4v	3MHz
NTE136A	0.3300	RFQ	665	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		1 W.	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE136A	귀 99	8541.10.0050	1																																						5.6 v	5 옴
2N3440	2.1800	RFQ	32	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			To-39	다운로드	Rohs3 준수		2368-2N3440	귀 99	8541.29.0095	1																																			250 v	1 a	-			NPN	-	-	-
NTE5511	10.8000	RFQ	32	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 100 ° C	구멍을 구멍을	TO-213AA, TO-66-2			To-66	다운로드	rohs 비준수		2368-NTE5511	귀 99	8541.30.0000	1					20 MA													200 v	5 a	2 v	60A @ 60Hz	15 MA		3.2 a		표준 표준
NTE2396A	1.7400	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE2396A	귀 99	8541.29.0095	1				n 채널			100 v	33A (TC)	10V	44mohm @ 16a, 10V	4V @ 250µA	71 NC @ 10 v	± 20V	1960 pf @ 25 v	-	130W (TC)
NTE64	3.2500	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-	표면 표면	4-SMD,, 리드		375MW	4-SMD	다운로드	rohs 비준수		2368-NTE64	귀 99	8541.21.0095	1						12db																													15V	30ma				NPN		30 @ 5MA, 5V	4.5GHz	2DB @ 1GHz
NTE6037	-	RFQ	3428	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-5, 스터드	기준		DO-5	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE6037	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																										600 v	1.75 V @ 267 a	500 ns	100 µa @ 600 v	-40 ° C ~ 125 ° C	85A	-
NTE5592	217.8000	RFQ	9875	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	TO-200AB, A-PUK			TO-200AB	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE5592	귀 99	8541.10.0080	1					600 MA													1.2kV	780 a	3 v	4650A, 5120A	150 MA	1.75 v	470 a	20 MA	표준 표준
NTE131	6.5800	RFQ	44	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		90 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-213AA, TO-66-2		6 w	To-66	다운로드	rohs 비준수		2368-NTE131	귀 99	8541.29.0095	1																																			32 v	1 a	1MA			PNP	80mv @ 100ma, 1a	36 @ 1a, 0v	-
NTE5027A	0.7900	RFQ	862	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE5027A	귀 99	8541.10.0050	1																																						18 v	21 옴
NTE160	5.1800	RFQ	777	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		90 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AF, TO-72-4 금속 캔		60MW	To-72	다운로드	rohs 비준수		2368-NTE160	귀 99	8541.21.0095	1						14db																													20V	10MA				PNP		50 @ 2MA, 10V	700MHz	5dB @ 800MHz
2N3392	0.6200	RFQ	97	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		625 MW	To-92-3	다운로드	rohs 비준수		2368-2N3392	귀 99	8541.21.0095	1																																			25 v	500 MA	100NA (ICBO)			NPN	-	150 @ 2MA, 4.5V	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2287)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²