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불연속 불연속 제품 (2287)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	전류 - 출력 피크	현재 -홀드 (ih) (최대)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	Current -Off State (Max)	scr 유형	전압 - 파괴	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	현재 - 오버 브레이크
NTE2317	6.4200	RFQ	101	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-3P-3, SC-65-3			105 w	3pn	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE2317	귀 99	8541.29.0095	1																						450 v	15 a	1MA			npn-달링턴	1.8V @ 150MA, 8A	300 @ 5a, 10V	-
NTE2361	3.4300	RFQ	89	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸			300MW	92S	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE2361	귀 99	8541.21.0095	1																						50 v	500 MA	100NA (ICBO)			NPN	400mv @ 10ma, 100ma	200 @ 10ma, 5V	200MHz
NTE5886	12.8000	RFQ	54	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드		기준		Do-4	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5886	귀 99	8541.10.0080	1		짐													800 v	1.26 V @ 38 a		12 ma @ 800 v	-65 ° C ~ 175 ° C	12a	-
NTE5232AK	22.2800	RFQ	40	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드			10 W.	Do-4	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5232AK	귀 99	8541.10.0050	1																									200 v	300 옴
NTE6106	260.6400	RFQ	40	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	마개		기준		T-70	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE6106	귀 99	8541.10.0080	1		짐													1600 v	1.6 V @ 1500 a	11 µs	50 ma @ 1600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	450a	-
NTE5410	9.7700	RFQ	24	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 100 ° C	구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔				To-5	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5410	귀 99	8541.30.0000	1				5 MA		600 v	4 a	800 MV	40A @ 60Hz	200 µA	2.2 v	750 µA	민감한 민감한
NTE5242A	40.4000	RFQ	23	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드			50 W.	DO-5	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5242A	귀 99	8541.10.0050	1																									4.7 v	0.12 옴
NTE6158	-	RFQ	6898	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-8, 스터드		기준		Do-8	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE6158	귀 99	8541.10.0080	1		짐													1000 v	1.1 v @ 200 a		5 ma @ 1000 v	-65 ° C ~ 190 ° C	150a	-
NTE56040	1.7200	RFQ	128	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3				TO-220	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE56040	귀 99	8541.30.0080	1	하나의			15 MA	논리 - 게이트 민감한	500 v	4 a	1.5 v	25a, 27a	10 MA
NTE2426	1.7900	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA			1 W.	SOT-89	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE2426	귀 99	8541.21.0095	1																						80 v	500 MA	10µA			npn-달링턴	1.3V @ 500µa, 500ma	2000 @ 500ma, 10V	-
NTE5817	3.7000	RFQ	7	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	축		기준		축	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5817	귀 99	8541.10.0080	1		짐													1000 v	1 V @ 6 a		5 µa @ 1000 v	-50 ° C ~ 150 ° C	6A	150pf @ 4V, 1MHz
NTE2348	9.9700	RFQ	600	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-3P-3, SC-65-3			150 W.	to-3p	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE2348	귀 99	8541.29.0095	1																						800 v	12 a	10µA (ICBO)			NPN	2V @ 1.2MA, 6A	10 @ 800ma, 5V	15MHz
NTE5229A	13.3600	RFQ	12	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드			10 W.	Do-4	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5229A	귀 99	8541.10.0050	1																									175 v	250 옴
MJ11033	13.0000	RFQ	3	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-	구멍을 구멍을	TO-204AE			300 w	To-204 (To-3)	다운로드	Rohs3 준수	2368-MJ11033	귀 99	8541.29.0095	1																						120 v	50 a	2MA			pnp- 달링턴	2.5V @ 250MA, 25A	1000 @ 25a, 5V	-
TIP36C	3.4000	RFQ	252	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-218-3			125 w	TO-218	다운로드	rohs 비준수	2368-TIP36C	귀 99	8541.29.0095	1																						100 v	25 a	-			PNP	-	10 @ 15a, 4v	3MHz
NTE6416	3.9800	RFQ	88	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		125 ° C (TJ)		축				-	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE6416	귀 99	8541.30.0080	1			20 a	50 MA										55 ~ 65V																			500 µA
NTE56015	5.0000	RFQ	56	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3				TO-220	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE56015	귀 99	8541.30.0080	1	하나의			50 MA	기준	200 v	25 a	2.5 v	250A, 260A	50 MA
1N5353B	0.7600	RFQ	263	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,			5 w	축	다운로드	rohs 비준수	2368-1n5353B	귀 99	8541.10.0050	1																1.2 v @ 1 a		1 µa @ 12.2 v							16 v	2.5 옴
1N5821	0.5400	RFQ	514	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향		Schottky		Do-201ad	다운로드	rohs 비준수	2368-1n5821	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													30 v	500 mV @ 3 a		500 µa @ 30 v	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	190pf @ 4V, 1MHz
NTE2675	6.7700	RFQ	285	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-3P-3, SC-65-3			100 W.	3pn	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE2675	귀 99	8541.29.0095	1																						800 v	6 a	1MA (ICBO)			NPN	1V @ 400MA, 2A	10 @ 2a, 5V	-
NTE2369	0.5800	RFQ	136	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸	NTE23		300MW	92S	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE2369	귀 99	8541.21.0095	1																						50 v	100 MA	500NA			npn-사전-	300MV @ 250µA, 5MA	80 @ 10ma, 5V	250MHz	4.7 Kohms	4.7 Kohms
1N4760A	0.2400	RFQ	116	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 0.5%	-65 ° C ~ 20 ° C	구멍을 구멍을	축			1 W.	축	다운로드	rohs 비준수	2368-1N4760A	귀 99	8541.10.0050	1																		5 µa @ 51.7 v							68 v	150 옴
NTE5897	10.4300	RFQ	71	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드		기준		Do-4	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5897	귀 99	8541.10.0080	1		짐													200 v	1.23 V @ 50 a		12 ma @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	16A	-
NTE6122	467.7400	RFQ	5	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			클램프 클램프	DO-200AC, K-PUK		기준		do-200ac	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE6122	귀 99	8541.10.0080	1		짐													1600 v	1.41 V @ 4000 a		75 ma @ 1600 v	-40 ° C ~ 180 ° C	3000A	-
NTE6035	15.6000	RFQ	12	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-5, 스터드		기준		DO-5	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE6035	귀 99	8541.10.0080	1		짐													320 v	1.4 V @ 60 a		10 ma @ 320 v	-65 ° C ~ 175 ° C	60a	-
NTE102A	8.8300	RFQ	46	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		90 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	1-3 캔 금속			650 MW	TO-1	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE102A	귀 99	8541.21.0095	1																							1 a	25µA (ICBO)			PNP	170mv @ 50ma, 500ma	69 @ 300ma, 0V	-
NTE2309	6.7900	RFQ	369	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-3P-3, SC-65-3			2.5 w	to-3p	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE2309	귀 99	8541.29.0095	1																						800 v	12 a	10µA (ICBO)			NPN	2V @ 600MA, 3A	10 @ 400ma, 5V	15MHz
NTE5265AK	26.8600	RFQ	40	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드			50 W.	DO-5	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5265AK	귀 99	8541.10.0050	1																									25 v	2.7 옴
1N4003	0.0900	RFQ	9	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	2368-1N4003	귀 99	8541.10.0080	1		짐													200 v	1.1 v @ 1 a		5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
2N4403	0.1200	RFQ	42	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			625 MW	To-92	다운로드	Rohs3 준수	2368-2N4403	귀 99	8541.21.0095	1																						40 v	600 MA	100NA			PNP	750mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 2v	200MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2287)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²