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불연속 불연속 제품 (2287)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 -홀드 (ih) (최대)	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
NTE5031SM	0.2400	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		300MW	SOT-23	다운로드	rohs 비준수		2368-NTE5031SM	귀 99	8541.10.0050	1																																		24 v
NTE5276A	26.8600	RFQ	9519	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		50 W.	DO-5	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE5276A	귀 99	8541.10.0050	1																																		51 v	5.2 옴
TIP42C	1.1600	RFQ	244	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		2 w	TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	2368-TIP42C	귀 99	8541.29.0095	1																															100 v	6 a	700µA			PNP	1.5V @ 600MA, 6A	30 @ 300ma, 4v	3MHz
NTE247	6.9500	RFQ	532	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3		150 W.	TO-3	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE247	귀 99	8541.29.0095	1																															100 v	12 a	1MA			npn-달링턴	3V @ 120ma, 12a	750 @ 6a, 3v	-
47	0.8800	RFQ	324	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		40 W.	TO-220	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	2368-TIP47	귀 99	8541.29.0095	1																															250 v	1 a	1MA			NPN	1V @ 200MA, 1A	30 @ 300ma, 10V	10MHz
NTE289MP	2.6900	RFQ	8	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		600MW	To-92	다운로드	rohs 비준수		2368-NTE289MP	귀 99	8541.21.0095	1																															30 v	800 MA	100NA (ICBO)			NPN	800mv @ 20ma, 500ma	120 @ 50MA, 2V	140MHz
NTE183	21.8400	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-225AB, TO-127-3		90 W.	TO-127	다운로드	rohs 비준수		2368-NTE183	귀 99	8541.29.0095	1																															60 v	10 a	700µA			PNP	8V @ 3.3A, 10A	20 @ 4a, 4v	2MHz
NTE5230AK	22.2800	RFQ	4	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드		10 W.	Do-4	다운로드	rohs 비준수		2368-NTE5230AK	귀 99	8541.10.0050	1																																		180 v	260 옴
1N960B	0.1300	RFQ	245	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수		2368-1N960B	귀 99	8541.10.0050	1																											25 µa @ 6.9 v							9.1 v	7.5 옴
MPSA14	0.1200	RFQ	7	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 긴 몸		625 MW	TO-92 (TO-226)	다운로드	rohs 비준수		2368-MPSA14	귀 99	8541.21.0095	1																															30 v	500 MA	100NA (ICBO)			npn-달링턴	1.5V @ 100µa, 100ma	20000 @ 100MA, 5V	125MHz
NTE5047A	0.7900	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수		2368-NTE5047A	귀 99	8541.10.0050	1																																		82 v	330 옴
NTE631	0.2200	RFQ	7478	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			표면 표면	SOD-110	기준		SOD-110	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE631	귀 99	8541.10.0070	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																						75 v	1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 v	150 ° C	250ma	1.5pf @ 0v, 1MHz
NTE5211A	12.8800	RFQ	92	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드		10 W.	Do-4	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE5211A	귀 99	8541.10.0050	1																																		50 v	15 옴
NTE5688	17.6600	RFQ	88	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 110 ° C	섀시 섀시	맞는를 누르십시오			맞는를 누르십시오	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE5688	귀 99	8541.30.0080	1	하나의			60 MA										기준	200 v	40 a	2.5 v	400A @ 60Hz	100 MA
2N6387	1.2700	RFQ	32	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		2 w	TO-220	다운로드	Rohs3 준수		2368-2N6387	귀 99	8541.29.0095	1																															60 v	10 a	1MA			npn-달링턴	3V @ 100MA, 10A	1000 @ 5a, 3v	-
NTE5815HC	2.9900	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	축	기준		축	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE5815HC	귀 99	8541.10.0080	1		짐																						600 v	1 V @ 10 a		10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 125 ° C	10A	150pf @ 4V, 1MHz
NTE265	7.2500	RFQ	162	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-202 긴 2		1.33 w	TO-202	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE265	귀 99	8541.29.0095	1																															50 v	500 MA	500NA			npn-달링턴	1.5V @ 500µA, 500mA	10000 @ 200ma, 5V	75MHz
NTE5942	5.6700	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-5, 스터드	기준		DO-5	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE5942	귀 99	8541.10.0080	1		짐																						100 v	1.5 v @ 15 a		10 ma @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	15a	-
BDV65	2.7600	RFQ	618	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-	구멍을 구멍을	TO-218-3		125 w	TO-218	다운로드	rohs 비준수		2368-BDV65	귀 99	8541.29.0095	1																															60 v	12 a	-			NPN	-	1000 @ 5a, 4V	60MHz
NTE5264A	26.8600	RFQ	7	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		50 W.	DO-5	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE5264A	귀 99	8541.10.0050	1																																		24 v	2.6
NTE5515	11.0700	RFQ	52	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C	섀시 섀시	맞는를 누르십시오			맞는를 누르십시오	다운로드	rohs 비준수		2368-NTE5515	귀 99	8541.30.0000	1				50 MA											400 v	20 a	2 v	200a @ 60Hz	25 MA	1.9 v		2 MA	표준 표준
1N4734A	0.1400	RFQ	698	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 0.5%	-65 ° C ~ 20 ° C	구멍을 구멍을	축		1 W.	축	다운로드	Rohs3 준수		2368-1N4734A	귀 99	8541.10.0050	1																											10 µa @ 2 v							5.6 v	5 옴
NTE491T	5.6400	RFQ	480	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-237AA	MOSFET (금속 (()		TO-237	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE491T	귀 99	8541.29.0095	1			n 채널		60 v	310MA (TA)	5V, 10V	5ohm @ 500ma, 10V	2.5V @ 1mA	+15V, -300MV	60 pf @ 25 v	-	1W (TA)
GI850/MR850	3.0000	RFQ	512	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	기준		Do-201ad	다운로드	rohs 비준수		2368-GI850/MR850	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																						50 v	1.25 V @ 3 a	200 ns	10 µa @ 50 v	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	28pf @ 4V, 1MHz
NTE5826	8.5000	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			섀시 섀시	맞는를 누르십시오	기준		맞는를 누르십시오	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE5826	귀 99	8541.10.0080	1		짐																						400 v	1 V @ 50 a		5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	50a	400pf @ 4V, 1MHz
GI752	0.7000	RFQ	288	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	축	기준		축	다운로드	rohs 비준수		2368-GI752	귀 99	8541.10.0080	1		짐																						200 v	900 mV @ 6 a	2.5 µs	5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	6A	150pf @ 4V, 1MHz
NTE5295A	33.8600	RFQ	8	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		50 W.	DO-5	다운로드	rohs 비준수		2368-NTE5295A	귀 99	8541.10.0050	1																																		190 v	95 옴
NTE5594	236.6000	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	TO-200AC			TO-200AC	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE5594	귀 99	8541.10.0080	1				1 a											200 v	16.4 ka	3 v	11500A, 12650A	200 MA	1.75 v	820 a	60 MA	표준 표준
NTE56064	2.4800	RFQ	964	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220	다운로드	rohs 비준수		2368-NTE56064	귀 99	8541.30.0080	1	하나의			60 MA										기준	800 v	8 a	1.5 v	65a, 71a	50 MA
NTE5285A	26.8600	RFQ	37	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		50 W.	DO-5	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE5285A	귀 99	8541.10.0050	1																																		100 v	20 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2287)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²