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불연속 불연속 제품 (2287)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	현재 -홀드 (ih) (최대)	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
NTE5912	10.3800	RFQ	36	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	기준			Do-4	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE5912	귀 99	8541.10.0080	1	짐																						50 v		1.23 V @ 63 a		12 ma @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	20A	-
NTE6120	134.0300	RFQ	3	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			클램프 클램프	DO-200AA, A-PUK	기준			do-200aa	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE6120	귀 99	8541.10.0080	1	짐																						1600 v		1.4 V @ 500 a		15 ma @ 1600 v	-30 ° C ~ 190 ° C	500A	-
NTE297	2.0900	RFQ	379	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		1 W.		To-92	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE297	귀 99	8541.21.0095	1																																80 v	500 MA			100NA (ICBO)			NPN	400mv @ 30ma, 300ma	130 @ 150ma, 10V	120MHz
NTE5289AK	33.8600	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		50 W.		DO-5	다운로드	rohs 비준수		2368-NTE5289AK	귀 99	8541.10.0050	1																																					130 v	50 옴
NTE491	0.7300	RFQ	686	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	MOSFET (금속 (()			To-92	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE491	귀 99	8541.21.0095	1		n 채널		60 v	200MA (TA)	4.5V, 10V	5ohm @ 500ma, 10V	3V @ 1mA	± 20V	50 pf @ 25 v	-	350MW (TA)
NTE385	10.0300	RFQ	219	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3		175 w		TO-3	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE385	귀 99	8541.29.0095	1																																400 v	15 a			200µA			NPN	1.5V @ 1.6A, 8A	8 @ 10a, 5V	-
NTE5021SM	0.2400	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		300MW		DO-35	다운로드	rohs 비준수		2368-NTE5021SM	귀 99	8541.10.0050	1																																					12 v
NTE5805	0.7600	RFQ	14	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향	기준			DO-27	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE5805	귀 99	8541.10.0080	1	짐																						500 v		1.2 v @ 9.4 a		500 µa @ 500 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
NTE6069	18.4700	RFQ	8	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-5, 스터드	기준			DO-5	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE6069	귀 99	8541.10.0080	1	짐																						800 v		1.25 V @ 20 ma		2 ma @ 800 v	-65 ° C ~ 190 ° C	70A	-
NTE5200A	12.8800	RFQ	48	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드		10 W.		Do-4	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE5200A	귀 99	8541.10.0050	1																																					27 v	7 옴
1N5391	0.1100	RFQ	4	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	기준			DO-15	다운로드	rohs 비준수		2368-1n5391	귀 99	8541.10.0080	1	짐																						50 v		1.4 V @ 1.5 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	25pf @ 4V, 1MHz
1N4739A	0.1400	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 0.5%	-65 ° C ~ 20 ° C	구멍을 구멍을	축		1 W.		축	다운로드	Rohs3 준수		2368-1N4739A	귀 99	8541.10.0050	1																											10 µa @ 7 v										9.1 v	5 옴
GI851/MR851	0.3000	RFQ	761	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	기준			Do-201ad	다운로드	rohs 비준수		2368-GI851/MR851	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																						100 v		1.25 V @ 3 a	200 ns	10 µa @ 100 v	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	28pf @ 4V, 1MHz
NTE5351	11.6100	RFQ	128	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 100 ° C (TC)	구멍을 구멍을	TO-213AA, TO-66-2			하나의		다운로드	rohs 비준수		2368-NTE5351	귀 99	8541.10.0080	1			50 MA										600 v	5 a	3.5 v	65a, 80a	40 MA		3.2 a												1 scr
NTE5514	10.0600	RFQ	26	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C	섀시 섀시	맞는를 누르십시오				맞는를 누르십시오	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE5514	귀 99	8541.30.0000	1			50 MA										200 v	20 a	2 v	200a @ 60Hz	25 MA	1.9 v		2 MA	표준 표준
NTE5722	119.1700	RFQ	16	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-	섀시 섀시	기준 기준			시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE5722	귀 99	8541.30.0080	1			100 MA										1.2kV	141 a	2.5 v	2000a @ 60Hz	100 MA		90 a												1 scr, 1 다이오드
NTE2557	9.7000	RFQ	312	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		100 W.		TO-247	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE2557	귀 99	8541.29.0095	1																																200 v	15 a			100µA			npn-달링턴	1.5V @ 30MA, 10A	1500 @ 10a, 3v	20MHz
NTE315	2.7600	RFQ	80	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		120 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 긴 몸		750 MW		TO-92L	다운로드	rohs 비준수		2368-NTE315	귀 99	8541.21.0095	1																																50 v	1 a			200NA (ICBO)			NPN	300mv @ 50ma, 1a	199 @ 100MA, 2V	-
NTE190	12.6500	RFQ	12	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-202 긴 2		10 W.		202n	다운로드	rohs 비준수		2368-NTE190	귀 99	8541.21.0095	1																																180 v	1 a			100µA (ICBO)			NPN	500mv @ 20ma, 200ma	40 @ 10ma, 10V	35MHz
NTE6218	45.8200	RFQ	8	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			섀시 섀시	기준 기준	기준			기준 기준	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE6218	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																					1 음극 음극 공통		100A	1.3 V @ 100 a	95 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C
NTE5286AK	26.8600	RFQ	42	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		50 W.		DO-5	다운로드	rohs 비준수		2368-NTE5286AK	귀 99	8541.10.0050	1																																					105 v	25 옴
MJ10007	6.5600	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3		150 W.		TO-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	2368-MJ10007	귀 99	8541.29.0095	1																																400 v	10 a			250µA			npn-달링턴	2.9V @ 1A, 10A	40 @ 2.5a, 5V	-
NTE5327W	8.2000	RFQ	18	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어	기준			-	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE5327W	귀 99	8541.10.0080	1																									1.2 v @ 12.5 a		10 µa @ 800 v		25 a					단일 단일	800 v
2N5303	4.3200	RFQ	43	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3		200 w		TO-3	다운로드	Rohs3 준수		2368-2N5303	귀 99	8541.29.0095	1																																80 v	20 a			5MA			NPN	2V @ 4A, 20A	15 @ 15a, 2v	2MHz
NTE5098A	0.8200	RFQ	9	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		1 W.		DO-35	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE5098A	귀 99	8541.10.0050	1																																					130 v	800 옴
NTE5196AK	12.8800	RFQ	14	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드		10 W.		Do-4	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE5196AK	귀 99	8541.10.0050	1																																					20 v	4 옴
NTE5083A	0.6000	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		1 W.		DO-35	다운로드	rohs 비준수		2368-NTE5083A	귀 99	8541.10.0050	1																																					28 v	37 옴
MJ10015	12.0000	RFQ	3436	NTE Electronics, Inc	스위치 스위치 ™	가방	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3		250 W.		TO-3	다운로드	Rohs3 준수		2368-MJ10015	귀 99	8541.29.0095	1																																400 v	50 a			250µA			npn-달링턴	5V @ 10A, 50A	25 @ 20A, 5V	-
NTE6060	15.2000	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-5, 스터드	기준			DO-5	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE6060	귀 99	8541.10.0080	1	짐																						400 v		1.25 V @ 20 ma		2 ma @ 400 v	-65 ° C ~ 190 ° C	70A	-
NTE5994	10.8000	RFQ	56	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-5, 스터드	기준			DO-5	다운로드	Rohs3 준수		2368-NTE5994	귀 99	8541.10.0080	1	짐																						600 v		1.3 V @ 40 a		9 ma @ 600 v	-65 ° C ~ 190 ° C	40a	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2287)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²