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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 -홀드 (ih) (최대)	소스 소스 (vds)으로 배수	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	저항 -rds (on)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	전류 전류 (ID) - 최대
NTE5300	1.3700	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)				기준			다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5300	귀 99	8541.10.0080	1																		1 V @ 8 a	5 µa @ 200 v		8 a				단일 단일	200 v
NTE5878	10.9800	RFQ	60	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드		기준		Do-4	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5878	귀 99	8541.10.0080	1		짐															400 v	1.26 V @ 38 a	12 ma @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	12a	-
MJE172	1.0000	RFQ	164	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-225AA, TO-126-3			1.5 w	TO-126	다운로드	rohs 비준수	2368-MJE172	귀 99	8541.29.0095	1																							80 v	3 a						100NA (ICBO)				PNP	1.7V @ 600MA, 3A	50 @ 100MA, 1V	50MHz
NTE461	11.9600	RFQ	422	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-	구멍을 구멍을	TO-71-6 1 캔				To-71	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE461	귀 99	8541.21.0095	1			2 n 채널 (채널)		50 v	6pf @ 15V																					50 v	500 µa @ 15 v	500 MV @ 500 PA
NTE5344	16.6700	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		175 ° C (TJ)	QC 터미널	4- 스퀘어		기준		-	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5344	귀 99	8541.10.0080	1																		1.2 v @ 20 a	10 µa @ 1000 v		40 a				단일 단일	1kv
NTE5340	11.5500	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		175 ° C (TJ)	QC 터미널	4- 스퀘어		기준		-	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5340	귀 99	8541.10.0080	1																		1.2 v @ 20 a	10 µa @ 200 v		40 a				단일 단일	200 v
NTE469	1.3300	RFQ	145	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			625 MW	To-92	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE469	귀 99	8541.29.0095	1			n 채널		35 v	5pf @ 10V																					35 v	2 ma @ 15 v					100 옴
2N6292	1.3500	RFQ	14	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			40 W.	TO-220	다운로드	Rohs3 준수	2368-2N6292	귀 99	8541.29.0095	1																							70 v	7 a						1MA				NPN	3.5v @ 3a, 7a	30 @ 2a, 4v	4MHz
1N5343B	0.7600	RFQ	648	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,			5 w	축	다운로드	Rohs3 준수	2368-1n5343B	귀 99	8541.10.0050	1																		1.2 v @ 1 a	10 µa @ 5.7 v												7.5 v	1.5 옴
2N5320	1.2700	RFQ	105	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			10 W.	To-39	다운로드	Rohs3 준수	2368-2N5320	귀 99	8541.29.0095	1																							75 v	2 a						-				NPN	500mv @ 50ma, 500ma	30 @ 500ma, 4v	-
1N5337B	-	RFQ	9999	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,			5 w	축	다운로드	Rohs3 준수	2368-1n5337b	귀 99	8541.10.0050	1																		1.2 v @ 1 a	5 µa @ 1 v												4.7 v	2 옴
NTE56071	4.9600	RFQ	776	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3				TO-220	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE56071	귀 99	8541.30.0080	1	하나의			60 MA			기준	800 v	25 a	1.5 v	190a, 209a	50 MA
NTE5014SM	0.2400	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300MW	SOT-23	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5014SM	귀 99	8541.10.0050	1																															6.8 v
NTE2359	0.9100	RFQ	297	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸	NTE23		300MW	92S	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE2359	귀 99	8541.29.0095	1																							50 v	100 MA						500NA				npn-사전-	300MV @ 250µA, 5MA	50 @ 5MA, 5V	250MHz	47 Kohms	47 Kohms
MMBT2907A	0.1400	RFQ	29	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	2368-MMBT2907A	귀 99	8541.21.0095	1																							60 v	600 MA						10NA (ICBO)				PNP	1.6V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	200MHz
NTE2410	0.7100	RFQ	802	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			225 MW	SOT-23	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE2410	귀 99	8541.29.0095	1																							160 v	600 MA						50NA (ICBO)				NPN	200mv @ 5ma, 50ma	80 @ 10ma, 5V	-
NTE5320	4.3900	RFQ	304	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에미		기준		4-sip	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5320	귀 99	8541.10.0080	1																		1 V @ 3 a	10 µa @ 1000 v		4 a				단일 단일	1kv
1N5236B	0.1200	RFQ	245	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 0.5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	-	다운로드	Rohs3 준수	2368-1n5236B	귀 99	8541.10.0050	1																			3 µa @ 6 v												7.5 v	6 옴
NTE54004	7.3500	RFQ	477	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-220-3				TO-220	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE54004	귀 99	8541.30.0000	1				60 MA				1kv	55 a	1.5 v	550A, 650A	40 MA	1.8 v	35 a	5 MA	표준 표준
NTE451	1.8100	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			350 MW	To-92	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE451	귀 99	8541.21.0095	1			n 채널			5pf @ 15V																					25 v	4 ma @ 15 v	500 mV @ 10 NA											30 MA
NTE6072	-	RFQ	7529	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-5, 스터드		기준		DO-5	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE6072	귀 99	8541.10.0080	1		짐															1000 v	1.25 V @ 20 ma	2 ma @ 1000 v	-65 ° C ~ 190 ° C	70A	-
NTE5847	6.9200	RFQ	39	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드		기준		Do-4	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5847	귀 99	8541.10.0080	1		짐															800 v	1.2 v @ 3 a	10 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
NTE5368	221.2100	RFQ	7708	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	스터드 스터드	TO-208AD, TO-83-3, 스터드				To-83	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5368	귀 99	8541.10.0080	1				600 MA				600 v	135 a	3 v	2450A, 2560A	200 MA	2.15 v	85 a	30 MA	표준 표준
NTE54001	6.1800	RFQ	145	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-220-3				TO-220	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE54001	귀 99	8541.30.0000	1				60 MA				400 v	55 a	1.5 v	550A, 650A	40 MA	1.8 v	35 a	1 MA	표준 표준
NTE184MP	3.3600	RFQ	16	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-225AA, TO-126-3			40 W.	TO-126	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE184MP	귀 99	8541.29.0095	1																							80 v	4 a						1MA				NPN	1.4v @ 1a, 4a	20 @ 1.5a, 2v	2MHz
NTE5089A	0.6000	RFQ	83	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			1 W.	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5089A	귀 99	8541.10.0050	1																															51 v	95 옴
NTE5082A	0.6000	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			1 W.	DO-35	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5082A	귀 99	8541.10.0050	1																															25 v	30 옴
NTE2427	1.8200	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA			1 W.	SOT-89	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE2427	귀 99	8541.21.0095	1																							80 v	500 MA						10µA				pnp- 달링턴	1.3V @ 500µa, 500ma	2000 @ 500ma, 10V	-
1N4747A	0.1400	RFQ	152	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 20 ° C	구멍을 구멍을	축			1 W.	축	다운로드	Rohs3 준수	2368-1n4747a	귀 99	8541.10.0050	1																			5 µa @ 15.2 v												20 v	22 옴
NTE5266AK	26.8600	RFQ	103	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드			50 W.	DO-5	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5266AK	귀 99	8541.10.0050	1																															27 v	2.8 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2287)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²