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불연속 불연속 제품 (2287)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	전압 - 출력	FET 유형	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	전압- v (VT)	현재 -볼리 (IV)	현재 - 피크
NTE5933	15.6300	RFQ	103	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	기준		Do-4	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5933	귀 99	8541.10.0080	1		짐																										1000 v		1.23 V @ 63 a		12 ma @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	20A	-
NTE137A	0.3300	RFQ	14	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		1 W.	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE137A	귀 99	8541.10.0050	1																																							6.2 v	2 옴
NTE5225AK	13.3600	RFQ	17	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드		10 W.	Do-4	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5225AK	귀 99	8541.10.0050	1																																							140 v	125 옴
1N4248	2.7300	RFQ	256	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	축	기준		축	다운로드	Rohs3 준수	2368-1n4248	귀 99	8541.10.0080	1		짐																										800 v		1.2 v @ 1 a	2 µs	1 µa @ 800 v	-	1A	-
1N5349B	0.7600	RFQ	5	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,		5 w	축	다운로드	Rohs3 준수	2368-1n5349B	귀 99	8541.10.0050	1																														1.2 v @ 1 a		2 µA @ 9.1 v							12 v	2.5 옴
NTE573-1	1.3100	RFQ	3	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE573-1	귀 99	8541.10.0080	1		짐																										100 v		850 mV @ 5 a		500 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	5a	380pf @ 4V, 1MHz
1N5257B	0.1200	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 0.5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		500MW	-	다운로드	rohs 비준수	2368-1n5257b	귀 99	8541.10.0050	1																																100 na @ 25 v							33 v	58 옴
NTE2343	2.0000	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		80 W.	TO-220	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE2343	귀 99	8541.29.0095	1																																				120 v	12 a	1MA			npn-달링턴	3V @ 100MA, 10A	1000 @ 3A, 3V	-
NTE5028A	0.7900	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5028A	귀 99	8541.10.0050	1																																							19 v	23 옴
NTE5274AK	26.8600	RFQ	40	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		50 W.	DO-5	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5274AK	귀 99	8541.10.0050	1																																							47 v	5 옴
NTE175	5.6600	RFQ	3806	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-213AA, TO-66-2		35 W.	To-66	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE175	귀 99	8541.29.0095	1																																				300 v	2 a	5MA			NPN	750mv @ 125ma, 1a	40 @ 100ma, 10V	15MHz
1N756A	0.1500	RFQ	684	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	2368-1N756A	귀 99	8541.10.0050	1																														1.5 v @ 200 ma		100 na @ 1 v							8.2 v	8 옴
NTE5243AK	40.4000	RFQ	9	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		50 W.	DO-5	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5243AK	귀 99	8541.10.0050	1																																							5.1 v	0.12 옴
NTE6058	13.9900	RFQ	64	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-5, 스터드	기준		DO-5	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE6058	귀 99	8541.10.0080	1		짐																										300 v		1.25 V @ 20 ma		2 ma @ 300 v	-65 ° C ~ 190 ° C	70A	-
NTE5982	5.8200	RFQ	46	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-5, 스터드	기준		DO-5	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5982	귀 99	8541.10.0080	1		짐																										100 v		1.3 V @ 40 a		15 ma @ 100 v	-65 ° C ~ 190 ° C	40a	-
NTE585	0.9400	RFQ	4	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	Schottky		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE585	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																										40 v		600 mV @ 1 a		1 ma @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
NTE2934	7.3100	RFQ	449	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-3P-3 p 팩	MOSFET (금속 (()		to-3pml	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE2934	귀 99	8541.29.0095	1				n 채널			400 v	11.5A (TC)	10V	300mohm @ 5.75a, 10V	4V @ 250µA	131 NC @ 10 v	± 30V	2780 pf @ 25 v	-	92W (TC)
NTE56026	60.6100	RFQ	88	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 110 ° C (TJ)	스터드 스터드	TO-208AA, TO-48-3, 스터드			TO-48 고립 8 스터드	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE56026	귀 99	8541.30.0080	1	하나의				60 MA												기준	600 v	40 a	2.5 v	350A, 400A	50 MA
NTE5556-I	2.3100	RFQ	330	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭			ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5556-I	귀 99	8541.10.0080	1					50 MA													600 v	25 a	1.3 v	320A, 350A	40 MA	1.6 v	16 a	5 µA	표준 표준
NTE6251	6.8200	RFQ	186	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	TO-3P-3, SC-65-3	기준		to-3p	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE6251	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																									1 음극 음극 공통	200 v	30A	950 MV @ 15 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
NTE5406	4.0500	RFQ	308	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 100 ° C	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			To-92	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5406	귀 99	8541.30.0000	1					3 MA													600 v	800 MA	800 MV	8A @ 60Hz	200 µA	1.7 v		200 µA	민감한 민감한
GI854/MR854	0.3200	RFQ	98	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	기준		Do-201ad	다운로드	rohs 비준수	2368-GI854/MR854	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																										400 v		1.25 V @ 3 a	200 ns	10 µa @ 400 v	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	28pf @ 4V, 1MHz
NTE159-10	14.8600	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		625 MW	To-92	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE159-10	귀 99	8541.21.0095	1																																				80 v	800 MA	50NA (ICBO)			PNP	500mv @ 50ma, 500ma	50 @ 10ma, 10V	-
2N2646	5.8000	RFQ	234	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인				TO-206AA, TO-18-3 금속 캔				다운로드	Rohs3 준수	2368-2N2646	귀 99	8541.21.0095	1			-			35V										300MW																													3 v	600 µA	5 µA
NTE5079A	0.6000	RFQ	780	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		1 W.	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5079A	귀 99	8541.10.0050	1																																							20 v	22 옴
NTE6087	5.8500	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	Schottky		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE6087	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																									2 독립	45 v	15a	620 MV @ 15 a		1 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
NTE147A	0.2500	RFQ	226	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		1 W.	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE147A	귀 99	8541.10.0050	1																																							33 v	45 옴
NTE5062A	1.7900	RFQ	128	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		1 W.	DO-35	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5062A	귀 99	8541.10.0050	1																																							2.5 v	30 옴
NTE5286A	26.8600	RFQ	45	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		50 W.	DO-5	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5286A	귀 99	8541.10.0050	1																																							105 v	25 옴
NTE5257A	26.8600	RFQ	28	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		50 W.	DO-5	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5257A	귀 99	8541.10.0050	1																																							15 v	1.4 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2287)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²