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불연속 불연속 제품 (2287)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전류 - 출력 피크	FET 유형	현재 -홀드 (ih) (최대)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	전압 - 파괴	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	전류 전류 (ID) - 최대	현재 - 오버 브레이크
NTE5082A	0.6000	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			1 W.	DO-35	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5082A	귀 99	8541.10.0050	1																														25 v	30 옴
1N5236B	0.1200	RFQ	245	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 0.5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	-	다운로드	Rohs3 준수	2368-1n5236B	귀 99	8541.10.0050	1																		3 µa @ 6 v												7.5 v	6 옴
NTE451	1.8100	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			350 MW	To-92	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE451	귀 99	8541.21.0095	1			n 채널		5pf @ 15V																					25 v	4 ma @ 15 v	500 mV @ 10 NA										30 MA
NTE6072	-	RFQ	7529	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-5, 스터드		기준		DO-5	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE6072	귀 99	8541.10.0080	1	짐															1000 v	1.25 V @ 20 ma	2 ma @ 1000 v	-65 ° C ~ 190 ° C	70A	-
NTE5847	6.9200	RFQ	39	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드		기준		Do-4	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5847	귀 99	8541.10.0080	1	짐															800 v	1.2 v @ 3 a	10 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
NTE5368	221.2100	RFQ	7708	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	스터드 스터드	TO-208AD, TO-83-3, 스터드				To-83	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5368	귀 99	8541.10.0080	1				600 MA		600 v	135 a	3 v	2450A, 2560A	200 MA	2.15 v	85 a	30 MA	표준 표준
NTE54001	6.1800	RFQ	145	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-220-3				TO-220	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE54001	귀 99	8541.30.0000	1				60 MA		400 v	55 a	1.5 v	550A, 650A	40 MA	1.8 v	35 a	1 MA	표준 표준
NTE184MP	3.3600	RFQ	16	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-225AA, TO-126-3			40 W.	TO-126	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE184MP	귀 99	8541.29.0095	1																						80 v	4 a						1MA			NPN	1.4v @ 1a, 4a	20 @ 1.5a, 2v	2MHz
NTE5089A	0.6000	RFQ	83	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			1 W.	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5089A	귀 99	8541.10.0050	1																														51 v	95 옴
NTE54004	7.3500	RFQ	477	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-220-3				TO-220	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE54004	귀 99	8541.30.0000	1				60 MA		1kv	55 a	1.5 v	550A, 650A	40 MA	1.8 v	35 a	5 MA	표준 표준
PN2907A	0.1100	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			500MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	2368-PN2907A	귀 99	8541.21.0095	1																						60 v	600 MA						10NA (ICBO)			PNP	1.6V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	200MHz
NTE5417	2.3100	RFQ	57	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 110 ° C	구멍을 구멍을	TO-220-3				TO-220	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5417	귀 99	8541.30.0000	1				30 MA		200 v	10 a	1.5 v	100A @ 60Hz	25 MA	1.8 v		500 µA	표준 표준
1N5372B	0.7600	RFQ	41	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,			5 w	축	다운로드	rohs 비준수	2368-1n5372B	귀 99	8541.10.0050	1																	1.2 v @ 1 a	500 NA @ 47.1 v												62 v	42 옴
NTE5892	9.4300	RFQ	54	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드		기준		Do-4	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5892	귀 99	8541.10.0080	1	짐															50 v	1.23 V @ 50 a	12 ma @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	16A	-
NTE2359	0.9100	RFQ	297	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸	NTE23		300MW	92S	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE2359	귀 99	8541.29.0095	1																						50 v	100 MA						500NA			npn-사전-	300MV @ 250µA, 5MA	50 @ 5MA, 5V	250MHz	47 Kohms	47 Kohms
MMBT2907A	0.1400	RFQ	29	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	2368-MMBT2907A	귀 99	8541.21.0095	1																						60 v	600 MA						10NA (ICBO)			PNP	1.6V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	200MHz
NTE2410	0.7100	RFQ	802	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			225 MW	SOT-23	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE2410	귀 99	8541.29.0095	1																						160 v	600 MA						50NA (ICBO)			NPN	200mv @ 5ma, 50ma	80 @ 10ma, 5V	-
NTE5320	4.3900	RFQ	304	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에미		기준		4-sip	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5320	귀 99	8541.10.0080	1																	1 V @ 3 a	10 µa @ 1000 v		4 a				단일 단일	1kv
TIP105	1.5100	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			80 W.	TO-220-3	다운로드	rohs 비준수	2368-TIP105	귀 99	8541.29.0095	1																						60 v	8 a						50µA			pnp- 달링턴	2.5V @ 80MA, 8A	1000 @ 3A, 4V	4MHz
1N4762A	0.2400	RFQ	988	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 0.5%	-65 ° C ~ 20 ° C	구멍을 구멍을	축			1 W.	축	다운로드	rohs 비준수	2368-1n4762a	귀 99	8541.10.0050	1																		5 µa @ 62.2 v												82 v	200 옴
NTE2686	4.7300	RFQ	737	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-3P-3 p 팩			75 w	to-3pml	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE2686	귀 99	8541.29.0095	1																						150 v	8 a						100µA (ICBO)			pnp- 달링턴	2.5V @ 6MA, 6A	4000 @ 6A, 4V	65MHz
1N4746A	0.1400	RFQ	766	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 0.5%	-65 ° C ~ 20 ° C	구멍을 구멍을	축			1 W.	축	다운로드	Rohs3 준수	2368-1N4746A	귀 99	8541.10.0050	1																		5 µa @ 13.7 v												18 v	20 옴
1N5225B	0.1400	RFQ	510	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	-	다운로드	Rohs3 준수	2368-1n5225b	귀 99	8541.10.0050	1																		50 µa @ 1 v												3 v	29 옴
D44C11	1.5200	RFQ	132	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			30 w	TO-220	다운로드	rohs 비준수	2368-D44C11	귀 99	8541.29.0095	1																						80 v	4 a						10µA			NPN	500mv @ 50ma, 1a	100 @ 200ma, 1v	50MHz
NTE6418	1.8300	RFQ	745	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		125 ° C (TJ)		축				-	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE6418	귀 99	8541.30.0080	1		20 a		50 MA											104 ~ 118V																								500 µA
NTE5598	-	RFQ	9081	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	TO-200AC, K-PUK				TO-200AC	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5598	귀 99	8541.10.0080	1						600 v	2.79 ka	3 v	24650A, 27000A	200 MA	1.35 v	1.78 ka	75 MA	표준 표준
NTE53002	2.1800	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 125 ° C (TJ)				기준			다운로드	rohs 비준수	2368-NTE53002	귀 99	8541.10.0080	1																	1.1 v @ 5 a	10 µa @ 600 v		10 a				단일 단일	600 v
NTE2645	2.9400	RFQ	172	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			1 W.	To-39	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE2645	귀 99	8541.29.0095	1																						175 v	1 a						100NA (ICBO)			PNP	600mv @ 5ma, 50ma	100 @ 50MA, 10V	-
NTE5024SM	0.2400	RFQ	5070	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300MW	SOT-23	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5024SM	귀 99	8541.10.0050	1																														15 v
NTE5025A	0.7900	RFQ	924	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5025A	귀 99	8541.10.0050	1																														16 v	17 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2287)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²