RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (2287)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 -홀드 (ih) (최대)	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	저항 -rds (on)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
1N5369B	0.7600	RFQ	94	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,		5 w		축	다운로드	Rohs3 준수	2368-1n5369B	귀 99	8541.10.0050	1																							1.2 v @ 1 a		500 NA @ 38.8 v												51 v	27
팁 126	1.0400	RFQ	192	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		65 w		TO-220-3	다운로드	rohs 비준수	2368-TIP126	귀 99	8541.29.0095	1																														80 v	5 a					500µA				pnp- 달링턴	4V @ 20MA, 5A	1000 @ 3A, 3V	4MHz
NTE2382	4.7900	RFQ	639	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	MOSFET (금속 (()			TO-220	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE2382	귀 99	8541.29.0095	1			n 채널		100 v	9.2A (TC)	10V	270mohm @ 4.6a, 10V	4V @ 250µA	23 nc @ 10 v	± 20V	400 pf @ 25 v	-	50W (TC)
NTE467	1.3100	RFQ	63	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		310 MW		To-92	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE467	귀 99	8541.21.0095	1			n 채널		30 v							10pf @ 12v																						30 v	50 ma @ 20 v				30 옴
NTE5609	4.2400	RFQ	104	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3				TO-220	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5609	귀 99	8541.30.0080	1	하나의			50 MA											논리 - 게이트 민감한	600 v	8 a	1.3 v	80A @ 60Hz	10 MA
NTE2392	32.7600	RFQ	877	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3	MOSFET (금속 (()			TO-3	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE2392	귀 99	8541.29.0095	1			n 채널		100 v	40A (TC)	10V	55mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	120 nc @ 10 v	± 20V	3000 pf @ 25 v	-	150W (TC)
NTE5631	2.8600	RFQ	34	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3				TO-220	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5631	귀 99	8541.30.0080	1	하나의			50 MA											기준	50 v	10 a	2.5 v	100A, 110A	50 MA
2N5401	0.1200	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 긴 몸		625 MW		TO-92 (TO-226)	다운로드	rohs 비준수	2368-2N5401	귀 99	8541.21.0095	1																														150 v	600 MA					50NA (ICBO)				PNP	500mv @ 5ma, 50ma	60 @ 10ma, 5V	300MHz
NTE5245AK	40.4000	RFQ	16	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		50 W.		DO-5	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5245AK	귀 99	8541.10.0050	1																																					6 v	0.13 옴
NTE5331	7.3600	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에미	기준			4-sip	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5331	귀 99	8541.10.0080	1																							1 V @ 6 a		5 µa @ 1000 v		6 a					단일 단일	1kv
NTE5849	7.2800	RFQ	68	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	기준			Do-4	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5849	귀 99	8541.10.0080	1		짐																				1000 v	1.2 v @ 3 a		10 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
NTE5720	127.1200	RFQ	70	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준			시리즈 시리즈 - 연결 scr		다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5720	귀 99	8541.30.0080	1																1.2kV		3 v	1950a @ 60Hz	150 MA	90 a								2 scrs
1N5060	0.5500	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	SOD-57,, 방향	눈사태			SOD-57	다운로드	Rohs3 준수	2368-1n5060	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																				400 v	1 V @ 1 a	4 µs	1 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	40pf @ 0V, 1MHz
NTE168	2.6200	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 165 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-sip	기준			4-sip	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE168	귀 99	8541.10.0080	1																							1.1 v @ 2 a		10 µa @ 400 v		2 a					단일 단일	400 v
1N5262B	0.1200	RFQ	672	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 0.5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		500MW		-	다운로드	rohs 비준수	2368-1n5262b	귀 99	8541.10.0050	1																									100 na @ 39 v												51 v	125 옴
NTE5247A	26.8600	RFQ	4	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		50 W.		DO-5	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5247A	귀 99	8541.10.0050	1																																					6.8 v	0.2 옴
NTE53512	9.7000	RFQ	6439	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	QC 터미널	4- 스퀘어	기준			-	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE53512	귀 99	8541.10.0080	1																							1.19 v @ 40 a		10 µa @ 1200 v		35 a					3 단계	1.2kV
NTE2407	0.7400	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		225 MW		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE2407	귀 99	8541.21.0095	1																														60 v	600 MA					50NA				PNP	1.6V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	300MHz
NTE2431	1.6900	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA		1 W.		SOT-89	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE2431	귀 99	8541.21.0095	1																														300 v	1 a					50µA				PNP	2V @ 5MA, 50MA	30 @ 50MA, 10V	15MHz
NTE5058A	1.5400	RFQ	3	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		500MW		DO-35	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5058A	귀 99	8541.10.0050	1																																					180 v	2200 옴
NTE5067A	0.6000	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		1 W.		DO-35	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5067A	귀 99	8541.10.0050	1																																					3.9 v	9 옴
NTE5061A	1.7900	RFQ	239	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		1 W.		DO-35	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5061A	귀 99	8541.10.0050	1																																					2.4 v	30 옴
NTE5338	-	RFQ	1583	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	4- 렉스 탕관	기준			-	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5338	귀 99	8541.10.0080	1																							1.2 v @ 100 a				100 a					3 단계	600 v
2N5550	0.1500	RFQ	237	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 긴 몸		625 MW		TO-92 (TO-226)	다운로드	Rohs3 준수	2368-2N5550	귀 99	8541.21.0095	1																														140 v	600 MA					100NA (ICBO)				NPN	250mv @ 5ma, 50ma	60 @ 10ma, 5V	300MHz
NTE6094	19.9800	RFQ	46	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-5, 스터드	Schottky			DO-5	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE6094	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																				45 v	700 mV @ 60 a		50 ma @ 45 v	-65 ° C ~ 150 ° C	60a	4000pf @ 5V, 100kHz
NTE5226AK	13.3600	RFQ	20	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드		10 W.		Do-4	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5226AK	귀 99	8541.10.0050	1																																					150 v	175 옴
1N5267B	0.1800	RFQ	4278	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 0.5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		500MW		-	다운로드	rohs 비준수	2368-1n5267b	귀 99	8541.10.0050	1																									100 na @ 56 v												75 v	270 옴
NTE5042A	0.7900	RFQ	730	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		500MW		DO-35	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5042A	귀 99	8541.10.0050	1																																					56 v	150 옴
NTE5243AK	40.4000	RFQ	9	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		50 W.		DO-5	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5243AK	귀 99	8541.10.0050	1																																					5.1 v	0.12 옴
NTE175	5.6600	RFQ	3806	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-213AA, TO-66-2		35 W.		To-66	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE175	귀 99	8541.29.0095	1																														300 v	2 a					5MA				NPN	750mv @ 125ma, 1a	40 @ 100ma, 10V	15MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2287)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²