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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	전류 - 출력 피크	현재 -홀드 (ih) (최대)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	Current -Off State (Max)	scr 유형	전압 - 파괴	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	현재 - 오버 브레이크
NTE5920	12.7300	RFQ	24	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	기준		Do-4	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5920	귀 99	8541.10.0080	1		짐														400 v		1.23 V @ 63 a		12 ma @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	20A	-
1N757A	0.1500	RFQ	6	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	2368-1n757a	귀 99	8541.10.0050	1																		1.5 v @ 200 ma		100 na @ 1 v							9.1 v	10 옴
NTE5260AK	26.8600	RFQ	64	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		50 W.	DO-5	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5260AK	귀 99	8541.10.0050	1																											18 v	2 옴
NTE5461	2.0500	RFQ	102	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 100 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5461	귀 99	8541.30.0000	1				20 MA		50 v	10 a	1.5 v	100A @ 60Hz	15 MA	2 v	10 µA	표준 표준
NTE5873	9.4300	RFQ	90	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	기준		Do-4	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5873	귀 99	8541.10.0080	1		짐														100 v		1.26 V @ 38 a		12 ma @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	12a	-
NTE150A	0.2500	RFQ	99	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		1 W.	DO-35	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE150A	귀 99	8541.10.0050	1																											82 v	200 옴
MJ2955	3.0800	RFQ	32	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		200 ° C (TJ)	섀시 섀시	TO-204AA, TO-3		115 w	TO-3	다운로드	Rohs3 준수	2368-MJ2955	귀 99	8541.29.0095	1																								60 v	15 a	700µA			PNP	3v @ 3.3a, 10a	20 @ 4a, 4v	-
NTE5438	3.2900	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5438	귀 99	8541.30.0000	1				5 MA		600 v	8 a	800 MV	100A @ 60Hz	200 µA	1.6 v	10 µA	민감한 민감한
NTE56041	1.9600	RFQ	84	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE56041	귀 99	8541.30.0080	1	하나의			15 MA	논리 - 게이트 민감한	600 v	4 a	1.5 v	25a, 27a	10 MA
1N4151	0.0700	RFQ	9	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	기준		DO-35	다운로드	Rohs3 준수	2368-1n4151	귀 99	8541.10.0070	1		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도														75 v		1 V @ 50 ma	4 ns	50 Na @ 50 v	175 ° C (°)	150ma	2pf @ 0V, 1MHz
NTE6107	260.6400	RFQ	11	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	마개	기준		T-70	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE6107	귀 99	8541.10.0080	1		짐														1600 v		1.6 V @ 1500 a	11 µs	50 ma @ 1600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	450a	-
1N4748A	0.1400	RFQ	369	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	± 0.5%	-65 ° C ~ 20 ° C	구멍을 구멍을	축		1 W.	축	다운로드	Rohs3 준수	2368-1N4748A	귀 99	8541.10.0050	1																				5 µa @ 16.7 v							22 v	23 옴
NTE5635	5.0300	RFQ	734	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5635	귀 99	8541.30.0080	1	하나의			50 MA	기준	400 v	10 a	2.5 v	100A, 110A	50 MA
NTE241	1.2700	RFQ	137	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		60 W.	TO-220	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE241	귀 99	8541.29.0095	1																								80 v	4 a	1MA			NPN	1.4v @ 1a, 4a	20 @ 1.5a, 2v	2.5MHz
NTE6165	80.0800	RFQ	11	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-8, 스터드	기준		Do-8	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE6165	귀 99	8541.10.0080	1		짐														1600 v		1.1 v @ 200 a		5 ma @ 1600 v	-65 ° C ~ 190 ° C	150a	-
2N4991	5.8000	RFQ	434	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)		TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			To-92	다운로드	Rohs3 준수	2368-2N4991	귀 99	8541.21.0095	1			1 a	1.5 MA										6 ~ 10V																			1 µA
NTE56045	4.6700	RFQ	236	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭			TO-220FN	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE56045	귀 99	8541.30.0080	1	하나의			30 MA	논리 - 게이트 민감한	500 v	16 a	1.5 v	140a, 150a	10 MA
NTE6059	13.9900	RFQ	20	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-5, 스터드	기준		DO-5	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE6059	귀 99	8541.10.0080	1		짐														300 v		1.25 V @ 20 ma		2 ma @ 300 v	-65 ° C ~ 190 ° C	70A	-
NTE125-1	-	RFQ	1373	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	기준		DO-41	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE125-1	귀 99	8541.10.0080	1		짐														1000 v		1.1 v @ 1 a		10 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
NTE627	1.7100	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	기준		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE627	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													2 독립	200 v	8a	950 MV @ 6 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
NTE2684	0.9500	RFQ	503	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-225AA, TO-126-3		15 w	TO-126	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE2684	귀 99	8541.29.0095	1																								120 v	5 a	100NA (ICBO)			NPN	1.2v @ 700ma, 7a	45 @ 500ma, 10V	100MHz
NTE5805	0.7600	RFQ	14	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향	기준		DO-27	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5805	귀 99	8541.10.0080	1		짐														500 v		1.2 v @ 9.4 a		500 µa @ 500 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
NTE6356	68.1300	RFQ	4416	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-9, 스터드	기준		Do-9	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE6356	귀 99	8541.10.0080	1		짐														600 v				40 ma @ 600 v	-40 ° C ~ 180 ° C	300A	-
NTE5991	7.1000	RFQ	360	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-5, 스터드	기준		DO-5	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5991	귀 99	8541.10.0080	1		짐														400 v		1.3 V @ 40 a		15 ma @ 400 v	-65 ° C ~ 190 ° C	40a	-
NTE634	0.9500	RFQ	708	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	SOD-57,, 방향	눈사태		SOD-57	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE634	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)														200 v		980 MV @ 2 a	25 ns	5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	100pf @ 0V, 1MHz
NTE636	1.0600	RFQ	479	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	SOD-57,, 방향	눈사태		SOD-57	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE636	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)														600 v		1.25 V @ 2 a	50 ns	5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1.6a	65pf @ 0v, 1MHz
NTE586	1.9000	RFQ	3	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향	Schottky		DO-27	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE586	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)														40 v		525 mV @ 3 a		1 ma @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	110pf @ 4V, 1MHz
NTE5891	13.4800	RFQ	8	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	기준		Do-4	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5891	귀 99	8541.10.0080	1		짐														1000 v		1.26 V @ 38 a		12 ma @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	12a	-
NTE5915	10.9300	RFQ	15	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	기준		Do-4	다운로드	rohs 비준수	2368-NTE5915	귀 99	8541.10.0080	1		짐														100 v		1.23 V @ 63 a		12 ma @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	20A	-
NTE5610	6.4900	RFQ	669	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220	다운로드	Rohs3 준수	2368-NTE5610	귀 99	8541.30.0080	1	하나의			50 MA	논리 - 게이트 민감한	800 v	8 a	1.3 v	80A @ 60Hz	10 MA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2287)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²