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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 전압 - 출력 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 얻다 전압 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f) 현재 -볼리 (IV) 현재 - 피크
1N5245B NTE Electronics, Inc 1N5245B 0.1200
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW - 다운로드 rohs 비준수 2368-1n5245b 귀 99 8541.10.0050 1 100 na @ 11 v 15 v 16 옴
NTE2638 NTE Electronics, Inc NTE2638 2.6200
RFQ
 ECAD 631 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE2638 귀 99 8541.29.0095 1 400 v 7 a 250µA npn-달링턴 2V @ 250MA, 5A 150 @ 2.5a, 5V -
1N4742A NTE Electronics, Inc 1N4742A 0.1400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 ± 0.5% -65 ° C ~ 20 ° C 구멍을 구멍을 축 1 W. 축 다운로드 Rohs3 준수 2368-1N4742A 귀 99 8541.10.0050 1 5 µa @ 9.1 v 12 v 9 옴
NTE54 NTE Electronics, Inc NTE54 3.7400
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2W TO-220 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE54 귀 99 8541.29.0095 1 - 150V 8a NPN 40 @ 2a, 2v 30MHz -
NTE6008 NTE Electronics, Inc NTE6008 21.8800
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 스터드 스터드 DO-203AA, DO-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE6008 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.4 V @ 40 a 400 ns 50 µa @ 400 v -65 ° C ~ 160 ° C 40a -
NTE5295AK NTE Electronics, Inc NTE5295AK 33.8600
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 스터드 스터드 DO-203AA, DO-5, 스터드 50 W. DO-5 다운로드 rohs 비준수 2368-NTE5295AK 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µa @ 144.4 v 190 v 95 옴
NTE5564 NTE Electronics, Inc NTE5564 40.0000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 스터드 스터드 TO-208AA, TO-48-3, 스터드 TO-48 고립 8 스터드 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE5564 귀 99 8541.10.0080 1 50 MA 400 v 35 a 300A @ 60Hz 30 MA 1.6 v 2 MA 표준 표준
NTE633 NTE Electronics, Inc NTE633 0.1100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE633 귀 99 8541.10.0070 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 v 150 ° C 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
NTE2388 NTE Electronics, Inc NTE2388 7.7300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE2388 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 180mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 125W (TC)
NTE5853 NTE Electronics, Inc NTE5853 2.9100
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 스터드 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE5853 귀 99 8541.10.0080 1 짐 100 v 1.1 v @ 19 a 12 ma @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
NTE55MCP NTE Electronics, Inc NTE55MCP 10.9700
RFQ
 ECAD 8503 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2W TO-220 - Rohs3 준수 2368-NTE55MCP 귀 99 8541.29.0095 1 - 150V 8a PNP 40 @ 2a, 2v 30MHz -
UF4007 NTE Electronics, Inc UF4007 0.2700
RFQ
 ECAD 216 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF400 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 2368-UF4007 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 10 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
NTE5621 NTE Electronics, Inc NTE5621 3.8500
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AB, TO-127-3 TO-127 다운로드 rohs 비준수 2368-NTE5621 귀 99 8541.30.0080 1 하나의 50 MA 기준 25 v 10 a 2 v 100A @ 60Hz 50 MA
1N5364B NTE Electronics, Inc 1N5364B 0.7600
RFQ
 ECAD 704 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 5 w 축 다운로드 Rohs3 준수 2368-1n5364b 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 25.1 v 33 v 10 옴
NTE5963 NTE Electronics, Inc NTE5963 4.1100
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 섀시 섀시 맞는를 누르십시오 기준 맞는를 누르십시오 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE5963 귀 99 8541.10.0080 1 짐 400 v 1.7 V @ 57 a 1 ma @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 25A -
NTE262 NTE Electronics, Inc NTE262 2.3800
RFQ
 ECAD 377 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE262 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 5 a 500µA pnp- 달링턴 4V @ 20MA, 5A 1000 @ 3A, 3V -
NTE6234 NTE Electronics, Inc NTE6234 158.0000
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE6234 귀 99 8541.10.0080 1 짐 1 연결 연결 시리즈 190a 1.38 V @ 600 a 12 µa @ 1600 v -
NTE6409 NTE Electronics, Inc NTE6409 9.7600
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE6409 귀 99 8541.29.0095 1 - - 600MW 18 MA 2 µA
NTE5873 NTE Electronics, Inc NTE5873 9.4300
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 스터드 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 비준수 2368-NTE5873 귀 99 8541.10.0080 1 짐 100 v 1.26 V @ 38 a 12 ma @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 12a -
NTE159M NTE Electronics, Inc NTE159M 1.2000
RFQ
 ECAD 466 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 1.8 w TO-18 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE159M 귀 99 8541.21.0095 1 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
NTE5448 NTE Electronics, Inc NTE5448 21.0000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AB, TO-127-3 TO-127 다운로드 rohs 비준수 2368-NTE5448 귀 99 8541.30.0000 1 40 MA 600 v 8 a 1.5 v 80A @ 60Hz 30 MA 1.5 v 5.1 a 10 µA 표준 표준
1N755A NTE Electronics, Inc 1N755A 0.1500
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 2368-1n755A 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 1 v 7.5 v 6 옴
1N5352B NTE Electronics, Inc 1N5352B 0.7600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 5 w 축 다운로드 Rohs3 준수 2368-1n5352b 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 11.5 v 15 v 2.5 옴
NTE6011 NTE Electronics, Inc NTE6011 28.4100
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 스터드 스터드 DO-203AA, DO-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE6011 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.4 V @ 40 a 400 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 160 ° C 40a -
NTE5381 NTE Electronics, Inc NTE5381 160.8600
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 클램프 클램프 TO-200AB, A-PUK TO-200AB 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE5381 귀 99 8541.30.0000 1 1.2kV 400 a 3 v 4500A @ 60Hz 150 MA 1.85 v 250 a 25 MA 표준 표준
1N4756A NTE Electronics, Inc 1N4756A 0.1400
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 ± 0.5% -65 ° C ~ 20 ° C 구멍을 구멍을 축 1 W. 축 다운로드 rohs 비준수 2368-1N4756A 귀 99 8541.10.0050 1 5 µa @ 35.8 v 47 v 80 옴
NTE2384 NTE Electronics, Inc NTE2384 50.8400
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MOSFET (금속 (() TO-3 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE2384 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 900 v 6A (TC) 10V 1.4ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 25 v - 180W (TC)
NTE5653 NTE Electronics, Inc NTE5653 13.6500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 90 ° C 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 To-5 다운로드 rohs 비준수 2368-NTE5653 귀 99 8541.30.0080 1 하나의 5 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 3 a 2.2 v 30A @ 60Hz 3 MA
NTE5913 NTE Electronics, Inc NTE5913 10.3800
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 스터드 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 비준수 2368-NTE5913 귀 99 8541.10.0080 1 짐 50 v 1.23 V @ 63 a 12 ma @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 20A -
NTE104MP NTE Electronics, Inc NTE104MP 61.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 100 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 90 W. TO-3 다운로드 rohs 비준수 2368-NTE104MP 귀 99 8541.29.0095 1 35 v 10 a 1MA (ICBO) PNP 290mv @ 400ma, 4a 50 @ 20MA, 2V 300kHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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