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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	테스트 테스트	현재의	전압	전압 - 분리	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
STY140NS10	14.3300	RFQ	6	stmicroelectronics	메쉬 메쉬 ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		STY140		MOSFET (금속 (()		Max247 ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30			n 채널					100 v	140A (TC)	10V	11mohm @ 70a, 10V	4V @ 250µA	600 NC @ 10 v	± 20V	12600 pf @ 25 v	-	450W (TC)
STF7N105K5	3.0400	RFQ	1	stmicroelectronics	Supermesh5 ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		STF7		MOSFET (금속 (()		TO-220FP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	497-15271-5	귀 99	8541.29.0095	50			n 채널					1050 v	4A (TC)	10V	2ohm @ 2a, 10V	5V @ 100µa	17 nc @ 10 v	± 30V	380 pf @ 100 v	-	25W (TC)
stw23nm50n	-	RFQ	4525	stmicroelectronics	MDMESH ™ II	튜브	쓸모없는	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		STW23N		MOSFET (금속 (()		TO-247-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30			n 채널					500 v	17A (TC)	10V	190mohm @ 8.5a, 10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 v	± 25V	1330 pf @ 50 v	-	125W (TC)
STL15N60M2-EP	2.1500	RFQ	8886	stmicroelectronics	MDMESH ™ M2-EP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		STL15		MOSFET (금속 (()		Powerflat ™ (5x6) HV	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널					600 v	7A (TC)	10V	418mohm @ 4.5a, 10V	4.75V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 25V	590 pf @ 100 v	-	55W (TC)
STGP30V60DF	-	RFQ	6106	stmicroelectronics	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		STGP30	기준		258 w	TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50				400V, 30A, 10ohm, 15V																		53 ns					트렌치 트렌치 정지	600 v	60 a	120 a	2.3V @ 15V, 30A	383µJ (on), 233µJ (OFF)	163 NC	45NS/189NS
STF2N80K5	1.4700	RFQ	2	stmicroelectronics	Supermesh5 ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		STF2N80		MOSFET (금속 (()		TO-220FP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널					800 v	2A (TC)	10V	4.5ohm @ 1a, 10V	5V @ 100µa	3 NC @ 10 v	30V	95 pf @ 100 v	-	20W (TC)
STW14NM50	-	RFQ	9206	stmicroelectronics	MDMESH ™	튜브	쓸모없는	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		STW14N		MOSFET (금속 (()		TO-247-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	600			n 채널					550 v	14A (TC)	10V	350mohm @ 6a, 10V	5V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 30V	1000 pf @ 25 v	-	175W (TC)
stpsc30g12wly	18.0500	RFQ	200	stmicroelectronics	-	튜브	활동적인					STPSC30					-		1 (무제한)		497-STPSC30G12WLY	귀 99	8541.10.0080	30
BD536	-	RFQ	9373	stmicroelectronics	-	튜브	쓸모없는	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		BD536			50 W.	TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50																												60 v	8 a						100µA	PNP	800mv @ 600ma, 6a	25 @ 2A, 2V	-
stp160n3ll	1.6000	RFQ	1	stmicroelectronics	Stripfet ™ H6	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		STP160		MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	497-16021-5	귀 99	8541.29.0095	50			n 채널					30 v	120A (TC)	4.5V, 10V	3.2MOHM @ 60A, 10V	2.5V @ 250µA	42 NC @ 4.5 v	± 20V	3500 pf @ 25 v	-	136W (TC)
stu3n65m6	0.5230	RFQ	5067	stmicroelectronics	MDMESH ™ M6	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA		stu3n65		MOSFET (금속 (()		i-pak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널					650 v	3.5A (TC)	10V	1.5ohm @ 1.75a, 10V	3.75V @ 250µA	6 nc @ 10 v	± 25V	150 pf @ 100 v	-	45W (TC)
STGB20N45LZAG	2.8100	RFQ	6940	stmicroelectronics	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		STGB20	논리		150 W.	d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000				300V, 10A, 1KOHM, 5V																							-	450 v	25 a	50 a	1.25V @ 4V, 6A	-	26 NC	1.1µs/4.6µs
sts8n6lf6ag	1.5200	RFQ	7824	stmicroelectronics	자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ F6	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		STS8N6		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널					60 v	8A (TA)	4.5V, 10V	24mohm @ 4a, 10V	2.5V @ 250µA	27 NC @ 10 v	± 20V	1340 pf @ 25 v	-	3.2W (TA)
stgfl6nc60di	-	RFQ	4143	stmicroelectronics	PowerMesh ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		STGFL6	기준		22 w	TO-220FP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50				390V, 3A, 10ohm, 15V																		23 ns					-	600 v	7 a	18 a	2.9V @ 15V, 3A	32µJ (on), 24µJ (OFF)	12 NC	6.7ns/46ns
STGIB15CH60TS-XZ	12.4920	RFQ	3382	stmicroelectronics	sllimm -2nd	대부분	활동적인		구멍을 구멍을	26-powerdip ip (1.146 ", 29.10mm)	IGBT	STGIB15					-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	497-STGIB15CH60TS-XZ	귀 99	8542.39.0001	156	3 상 인버터				20 a	600 v	1600VRMS
BAT46CWFILM	-	RFQ	4565	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	SC-70, SOT-323		BAT46		Schottky		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도																1 음극 음극 공통	100 v	150MA (DC)	450 mV @ 10 ma		5 µa @ 75 v	150 ° C (°)
STTH310UFY	0.9700	RFQ	23	stmicroelectronics	자동차, AEC-Q101, ECOPACK®2	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	DO-221AA, SMB 플랫 리드		STTH310		기준		smbflat	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																	1000 v		1.7 V @ 3 a	75 ns	10 µa @ 1000 v	-40 ° C ~ 175 ° C	3A	-
STPS2045CR	-	RFQ	5826	stmicroelectronics	-	튜브	쓸모없는		구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA		STPS2045		Schottky		i2pak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	497-4392-5	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																1 음극 음극 공통	45 v	10A	570 mV @ 10 a		100 µa @ 45 v	175 ° C (°)
STPS20H100CFP	1.6700	RFQ	1	stmicroelectronics	-	튜브	활동적인		구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		STPS20		Schottky		TO-220FP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																1 음극 음극 공통	100 v	10A	770 MV @ 10 a		4.5 µa @ 100 v	175 ° C (°)
STB6N65K3	-	RFQ	2495	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	-		STB6N65		-		-	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000			-						5.4A (TC)		-	-				-	-
stu11nm60nd	-	RFQ	7006	stmicroelectronics	FDMESH ™ II	튜브	쓸모없는	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA		stu11n		MOSFET (금속 (()		i-pak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	75			n 채널					600 v	10A (TC)	10V	450mohm @ 5a, 10V	5V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 25V	850 pf @ 50 v	-	90W (TC)
STPS15L30CDJFTR	1.2700	RFQ	6	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	8-powervdfn		STPS15		Schottky		Powerflat ™ (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																1 음극 음극 공통	30 v	7.5A	480 MV @ 7.5 a		1 ma @ 30 v	150 ° C (°)
STTH30L06WY	3.7400	RFQ	5359	stmicroelectronics	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인		구멍을 구멍을	do-247-2 (7 리드)		STTH30		기준		DO-247	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	497-13541	귀 99	8541.10.0080	30		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																	600 v		1.55 V @ 30 a	90 ns	25 µa @ 600 v	-40 ° C ~ 175 ° C	30A	-
STGP10NB60SD	2.8800	RFQ	6173	stmicroelectronics	PowerMesh ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		STGP10	기준		80 W.	TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50				480V, 10A, 1KOHM, 15V																		37 ns					-	600 v	29 a	80 a	1.75V @ 15V, 10A	600µJ (on), 5mj (OFF)	33 NC	700ns/1.2µs
STWA70N60DM6	13.2400	RFQ	3364	stmicroelectronics	MDMESH ™ DM6	튜브	활동적인	-	구멍을 구멍을	TO-247-3		STWA70		MOSFET (금속 (()		TO-247 긴 7	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	600			n 채널					600 v	62A (TC)	-	-	-		± 25V		-	-
STPS10170CB-TR	1.5000	RFQ	174	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		STPS10170		Schottky		DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																1 음극 음극 공통	170 v	5a	920 MV @ 5 a		10 µa @ 170 v	175 ° C (°)
stps1l30u	0.4200	RFQ	7	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	DO-214AA, SMB		STPS1		Schottky		SMB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																	30 v		395 mV @ 1 a		200 µa @ 30 v	150 ° C (°)	1A	-
BAT54SWFILMY	0.5000	RFQ	47	stmicroelectronics	자동차, AEC-Q101, ECOPACK®2	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	SC-70, SOT-323		Bat54		Schottky		SOT-323-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																1 연결 연결 시리즈	40 v	300MA (DC)	900 mv @ 100 ma	5 ns	1 µa @ 30 v	-40 ° C ~ 150 ° C
STPS30L40CW	-	RFQ	1772	stmicroelectronics	-	튜브	쓸모없는		구멍을 구멍을	TO-247-3		STPS30L40		Schottky		TO-247-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	30		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																1 음극 음극 공통	40 v	15a	550 mV @ 15 a		360 µa @ 40 v	150 ° C (°)
STTH16L06CT	1.7700	RFQ	421	stmicroelectronics	-	튜브	활동적인		구멍을 구멍을	TO-220-3		STTH16		기준		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																1 음극 음극 공통	600 v	10A	1.8 v @ 8 a	55 ns	8 µa @ 600 v	175 ° C (°)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (6390)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²