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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 전류 - 출력 피크 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 전압 - 파괴 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 현재 - 오버 브레이크
BUL3P5 STMicroelectronics bul3p5 -
RFQ
 ECAD 6874 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 bul3p5 60 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400 v 3 a 100µA PNP 500mv @ 200ma, 1a 18 @ 700ma, 5V -
SD2941-10RW STMicroelectronics SD2941-10RW -
RFQ
 ECAD 1261 0.00000000 stmicroelectronics - 쟁반 활동적인 130 v M174 SD2941 175MHz MOSFET M174 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 20A 250 MA 175W 15.8dB - 50 v
STGP35N35LZ STMicroelectronics STGP35N35LZ -
RFQ
 ECAD 9741 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STGP35 논리 176 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 300V, 15A, 5V - 345 v 40 a 80 a 1.7V @ 4.5V, 15a - 49 NC 1.1µs/26.5µs
STS1DN45K3 STMicroelectronics STS1DN45K3 -
RFQ
 ECAD 3554 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh3 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) STS1D MOSFET (금속 (() 1.3W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 450V 500ma 3.8ohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 50µA 6NC @ 10V 150pf @ 25V -
ACS120-7SH STMicroelectronics ACS120-7SH -
RFQ
 ECAD 9104 0.00000000 stmicroelectronics ASD ™ 튜브 쓸모없는 -30 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA ACS120 TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 3,000 하나의 45 MA 논리 - 게이트 민감한 700 v 2 a 1 v 20a, 11a 10 MA
BAS70-05WFILM STMicroelectronics BAS70-05WFILM 0.3600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAS70 Schottky SOT-323-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 70 v 70MA (DC) 1 V @ 15 ma 10 µa @ 70 v 150 ° C (°)
STU3N62K3 STMicroelectronics stu3n62k3 1.4900
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh3 ™ 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA stu3n62 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 620 v 2.7A (TC) 10V 2.5ohm @ 1.4a, 10V 4.5V @ 50µA 13 nc @ 10 v ± 30V 385 pf @ 25 v - 45W (TC)
STPS40SM100CG-TR STMicroelectronics STPS40SM100CG-TR 3.7600
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STPS40 Schottky d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 810 mV @ 20 a 45 µa @ 100 v 150 ° C (°)
STPS30L30CG-TR STMicroelectronics stps30l30cg-tr 1.5700
RFQ
 ECAD 410 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STPS30 Schottky D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 15a 460 mV @ 15 a 1.5 ma @ 60 v 150 ° C (°)
STWA63N65DM2 STMicroelectronics STWA63N65DM2 12.8700
RFQ
 ECAD 7493 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STWA63 MOSFET (금속 (() TO-247 긴 7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 600 n 채널 650 v 60A (TC) 10V 50mohm @ 30a, 10V 5V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 25V 5500 pf @ 100 v - 446W (TC)
STP10NM60N STMicroelectronics stp10nm60n 3.1400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP10 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-9098-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 25V 540 pf @ 50 v - 70W (TC)
STPS10M80CR STMicroelectronics STPS10M80CR -
RFQ
 ECAD 7866 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STPS10 Schottky i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 5a 705 MV @ 5 a 20 µa @ 80 v 175 ° C (°)
STD30PF03L-1 STMicroelectronics STD30PF03L-1 -
RFQ
 ECAD 4771 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA STD30 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 30 v 24A (TC) 5V, 10V 28mohm @ 12a, 10V 1V @ 250µA 28 NC @ 5 v ± 16V 1670 pf @ 25 v - 70W (TC)
STD3NK60ZT4 STMicroelectronics STD3NK60ZT4 1.3100
RFQ
 ECAD 173 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD3NK60 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 2.4A (TC) 10V 3.6ohm @ 1.2a, 10V 4.5V @ 50µA 11.8 nc @ 10 v ± 30V 311 pf @ 25 v - 45W (TC)
STIPQ3M60T-HZS STMicroelectronics stipq3m60t-hzs 7.6315
RFQ
 ECAD 4660 0.00000000 stmicroelectronics sllimm nano -2nd 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 26-DIP 모듈 MOSFET stipq3 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-stipq3m60t-hzs 귀 99 8542.39.0001 360 3 상 인버터 3 a 600 v 1500VRMS
STU75N3LLH6-S STMicroelectronics stu75n3llh6-s -
RFQ
 ECAD 2251 0.00000000 stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ vi 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA STU75N MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 75A (TC) 4.5V, 10V 5.9mohm @ 37.5a, 10V 2.5V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1690 pf @ 25 v - 60W (TC)
T810T-8T STMicroelectronics T810T-8T 1.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 T810 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 15 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 8 a 1.3 v 60a, 63a 10 MA
STB20NM50FDT4 STMicroelectronics STB20NM50FDT4 6.7200
RFQ
 ECAD 8791 0.00000000 stmicroelectronics FDMESH ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB20 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 250mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 30V 1380 pf @ 25 v - 192W (TC)
STFU15NM65N STMicroelectronics STFU15NM65N 4.5600
RFQ
 ECAD 466 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STFU15 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-16109-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 12A (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 33.3 NC @ 10 v ± 25V 983 pf @ 50 v - 30W (TC)
STGWS38IH130D STMicroelectronics STGWS38IH130D -
RFQ
 ECAD 9557 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGWS38 기준 180 w TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 960V, 20A, 10ohm, 15V - 1300 v 55 a 125 a 2.8V @ 15V, 20A 3.4mj (OFF) 127 NC -/284ns
STD150N3LLH6 STMicroelectronics STD150N3LLH6 2.0300
RFQ
 ECAD 963 0.00000000 stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ vi 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD15 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 250µA 29 NC @ 4.5 v ± 20V 3700 pf @ 25 v - 110W (TC)
STD10PF06-1 STMicroelectronics STD10PF06-1 -
RFQ
 ECAD 3778 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA STD10 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 60 v 10A (TC) 10V 200mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 850 pf @ 25 v - 40W (TC)
STPS10SM80CG-TR STMicroelectronics STPS10SM80CG-TR -
RFQ
 ECAD 5545 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STPS10 Schottky d²pak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 5a 745 MV @ 5 a 15 µa @ 80 v 175 ° C (°)
STF6N95K5 STMicroelectronics STF6N95K5 2.3300
RFQ
 ECAD 970 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF6 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-12854-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 950 v 9A (TC) 10V 1.25ohm @ 3a, 10V 5V @ 100µa 13 nc @ 10 v ± 30V 450 pf @ 100 v - 25W (TC)
STH145N8F7-2AG STMicroelectronics STH145N8F7-2AG 3.7400
RFQ
 ECAD 7486 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ F7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STH145 MOSFET (금속 (() H2PAK-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 80 v 90A (TC) 10V 4MOHM @ 45A, 10V 4.5V @ 250µA 96 NC @ 10 v ± 20V 6340 pf @ 40 v - 200W (TC)
STF23NM60ND STMicroelectronics STF23NM60nd 3.3476
RFQ
 ECAD 3079 0.00000000 stmicroelectronics FDMESH ™ II 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF23 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 19.5A (TC) 10V 180mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 25V 2050 pf @ 50 v - 35W (TC)
STP12N50M2 STMicroelectronics STP12N50M2 1.7200
RFQ
 ECAD 1455 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 플러스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP12 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 10A (TC) 10V 380mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 25V 560 pf @ 100 v - 85W (TC)
TMMDB3TG STMicroelectronics tmmdb3tg 0.6400
RFQ
 ECAD 6959 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) DO-213AA TMMDB3 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2,500 2 a 30 ~ 34V 15 µA
TYN608RG STMicroelectronics Tyn608RG 1.7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 Tyn608 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 30 MA 600 v 8 a 1.3 v 95A, 100A 15 MA 1.6 v 5 a 5 µA 표준 표준
STD7LN80K5 STMicroelectronics STD7LN80K5 2.1600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 std7ln80 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 800 v 5A (TC) 10V 1.15ohm @ 2.5a, 10V 5V @ 100µa 12 nc @ 10 v ± 30V 270 pf @ 100 v - 85W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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