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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트
STTA806G-TR STMicroelectronics STTA806G-TR -
RFQ
 ECAD 2005 0.00000000 stmicroelectronics Turboswitch ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STTA806 기준 D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.75 V @ 8 a 52 ns 100 µa @ 600 v 150 ° C (°) 8a -
STF10N105K5 STMicroelectronics STF10N105K5 3.7100
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ K5 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF10 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1050 v 6A (TC) 10V 1.3ohm @ 3a, 10V 5V @ 100µa 21.5 nc @ 10 v 30V 545 pf @ 100 v - 30W (TC)
STD7N52DK3 STMicroelectronics STD7N52DK3 -
RFQ
 ECAD 4976 0.00000000 stmicroelectronics SuperFredmesh3 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD7 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 525 v 6A (TC) 10V 1.15ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 50µA 33 NC @ 10 v ± 30V 870 pf @ 50 v - 90W (TC)
STD78N75F4 STMicroelectronics STD78N75F4 -
RFQ
 ECAD 9318 0.00000000 stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 std78n MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 75 v 78A (TC) 10V 11mohm @ 35a, 10V 4V @ 250µA 76 NC @ 10 v ± 20V 5015 pf @ 25 v - 125W (TC)
STPS30100ST STMicroelectronics stps30100st 1.7000
RFQ
 ECAD 4459 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 STPS30100 Schottky TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mV @ 30 a 175 µa @ 100 v 150 ° C (°) 30A -
STTH6112TV1 STMicroelectronics STTH6112TV1 -
RFQ
 ECAD 4871 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 섀시 섀시 동위 동위 STTH61 기준 ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 1200 v 30A 2.25 V @ 30 a 115 ns 20 µa @ 1200 v 150 ° C (°)
STD70N6F3 STMicroelectronics STD70N6F3 1.3733
RFQ
 ECAD 8723 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ iii 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD70 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 70A (TC) 10V 10.5mohm @ 35a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 110W (TC)
STP18N60DM2 STMicroelectronics STP18N60DM2 2.7100
RFQ
 ECAD 8937 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP18 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 295mohm @ 6a, 10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 25V 800 pf @ 100 v - 90W (TC)
STB26NM60ND STMicroelectronics STB26NM60nd -
RFQ
 ECAD 8151 0.00000000 stmicroelectronics FDMESH ™ II 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB26N MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 175mohm @ 10.5a, 10V 5V @ 250µA 54.6 NC @ 10 v ± 25V 1817 pf @ 100 v - 190W (TC)
STB28NM50N STMicroelectronics STB28NM50N 6.7700
RFQ
 ECAD 6761 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB28 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 21A (TC) 10V 158mohm @ 10.5a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 25V 1735 pf @ 25 v - 150W (TC)
SCTWA70N120G2V-4 STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 37.5705
RFQ
 ECAD 2609 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 SCTWA70 MOSFET (금속 (() TO-247-4 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-SCTWA70N120G2V-4 귀 99 8541.29.0095 600 n 채널 1200 v 91A (TC) 18V 30mohm @ 50a, 18V 4.9V @ 1mA 150 nc @ 18 v +22V, -10V 3540 pf @ 800 v - 547W
STPS10LCD100CFP STMicroelectronics STPS10LCD100CFP -
RFQ
 ECAD 3631 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STPS10 Schottky - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 5a 840 mV @ 5 a 1.5 µa @ 100 v 175 ° C (°)
STW70N65DM6 STMicroelectronics STW70N65DM6 9.3640
RFQ
 ECAD 7154 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ DM6 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW70 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-STW70N65DM6 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 68A (TC) 10V 40mohm @ 34a, 10V 4.75V @ 250µA 125 nc @ 10 v ± 25V 4900 pf @ 100 v - 450W (TC)
STF5N80K5 STMicroelectronics STF5N80K5 1.9100
RFQ
 ECAD 995 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF5N80 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-16962 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 4A (TA) 10V 1.75ohm @ 2a, 10V 5V @ 100µa 5 nc @ 10 v ± 30V 177 pf @ 100 v - 20W (TC)
BAT54AWFILM STMicroelectronics Bat54awfilm 0.4600
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 Bat54 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 40 v 300MA (DC) 900 mv @ 100 ma 5 ns 1 µa @ 30 v -40 ° C ~ 150 ° C
STL45N60DM6 STMicroelectronics STL45N60DM6 6.3400
RFQ
 ECAD 8376 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ DM6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL45 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (8x8) HV 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 497-19464-2 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 110mohm @ 12.5a, 10V 4.75V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 25V 1920 pf @ 100 v - 160W (TC)
STTH1R04QRL STMicroelectronics STTH1R04QRL 0.5500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 STTH1 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.5 v @ 1 a 30 ns 5 µa @ 400 v 175 ° C (°) 1A -
FERD60H100CGY-TR STMicroelectronics ferd60h100cgy-tr 3.0400
RFQ
 ECAD 441 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB ferd (효과 필드 정류기 정류기 다이오드) d²pak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-FERD60H100CGY-TR 귀 99 8541.10.0080 1,000 짐 1 음극 음극 공통 100 v 30A 850 mV @ 30 a 60 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C
BAT48 STMicroelectronics BAT48 0.4700
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BAT48 Schottky DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 750 mv @ 200 ma 25 µa @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C 350ma 20pf @ 0V, 1MHz
STPS30H100DJF-TR STMicroelectronics STPS30H100DJF-TR 1.3300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powervdfn STPS30 Schottky Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 840 mV @ 30 a 6 µa @ 100 v 150 ° C (°) 30A -
STPST1H100AF STMicroelectronics STPST1H100AF 0.3600
RFQ
 ECAD 4583 0.00000000 stmicroelectronics Ecopack®2 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 STPST1 Schottky SOD128FLAT - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 725 mv @ 1 a 1.7 µa @ 100 v 175 ° C 1A -
STP95N2LH5 STMicroelectronics STP95N2LH5 -
RFQ
 ECAD 2184 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ v 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP95 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-9093-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 25 v 80A (TC) 5V, 10V 40a, 40a, 10v 4.9mohm 1V @ 250µA 13.4 NC @ 5 v ± 22V 1817 pf @ 25 v - 80W (TC)
STGWA30H60DFB STMicroelectronics stgwa30h60dfb -
RFQ
 ECAD 7393 0.00000000 stmicroelectronics HB 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGWA30 기준 260 W. TO-247 긴 7 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 600 400V, 30A, 10ohm, 15V 53 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 60 a 120 a 2V @ 15V, 30A 383µJ (on), 293µJ (OFF) 149 NC 37ns/146ns
STB9NK50ZT4 STMicroelectronics STB9NK50ZT4 1.5800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB9 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 7.2A (TC) 10V 850mohm @ 3.6a, 10V 4.5V @ 100µa 32 NC @ 10 v ± 30V 910 pf @ 25 v - 110W (TC)
STS5NF60L STMicroelectronics STS5NF60L 1.4500
RFQ
 ECAD 5424 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) STS5NF60 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 5A (TC) 4.5V, 10V 55mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 250µA 17 nc @ 5 v ± 20V 1250 pf @ 25 v - 2.5W (TC)
STU7N80K5 STMicroelectronics STU7N80K5 2.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA stu7n80 MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-13656-5 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 800 v 6A (TC) 10V 1.2ohm @ 3a, 10V 5V @ 100µa 13.4 NC @ 10 v ± 30V 360 pf @ 100 v - 110W (TC)
STPS3045CW STMicroelectronics STPS3045CW 1.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 STPS3045 Schottky TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 570 mV @ 15 a 200 µa @ 45 v 200 ° C (()
PD85035STR1-E STMicroelectronics PD85035ST1-E -
RFQ
 ECAD 7735 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 40 v - PD85035 870MHz LDMOS PowerSO-10RF (직선 리드) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 600 8a 350 MA 15W 17dB - 13.6 v
STB230NH03L STMicroelectronics STB230NH03L -
RFQ
 ECAD 7641 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB230N MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 40A, 10V 2.5V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 10 v - 300W (TC)
STPS1L30MF STMicroelectronics STPS1L30MF 0.6500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-222AA STPS1 Schottky stmite flat 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 390 mV @ 1 a 390 µa @ 30 v 150 ° C (°) 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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