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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 현재의 | 전압 | 전압 - 분리 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 트리 트리 유형 | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 전압 -상태 (vtm) (최대) | 현재- it (it (av)) (max) | Current -Off State (Max) | scr 유형 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | STX13004-AP | - | ![]() | 7029 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | STX13004 | 2.5 w | TO-92AP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 400 v | 2 a | 1MA | NPN | 1V @ 500MA, 2A | 10 @ 1a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD845DN40 | - | ![]() | 5062 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | STD845 | 3W | 8-DIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-10769-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V | 4a | 250µA | 2 NPN (() | 500mv @ 1a, 4a | 12 @ 2a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD790AT4 | - | ![]() | 2608 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD790 | 15 w | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 30 v | 3 a | 10µA (ICBO) | PNP | 700mv @ 100ma, 3a | 100 @ 500ma, 2v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BDW84C | - | ![]() | 7967 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-218-3, TO-218AC | BDW84 | 130 W. | TO-218-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-5717 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 100 v | 15 a | 1MA | pnp- 달링턴 | 4V @ 150MA, 15a | 750 @ 6a, 3v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bar18film | 0.3700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bar18 | Schottky | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 70 v | 410 mV @ 1 ma | 200 na @ 50 v | 150 ° C (°) | 70ma | 2pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTA3006PIRG | - | ![]() | 8974 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Turboswitch ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | dop3i-2 2 (직선 리드) | STTA300 | 기준 | DOP3I | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 300 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 2 독립 | 600 v | 30A | 1.75 V @ 30 a | 65 ns | 150 µa @ 480 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z0402DF 1AA2 | - | ![]() | 5784 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-202 탭이 2 | Z0402 | TO-202-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 250 | 하나의 | 3 MA | 논리 - 게이트 민감한 | 400 v | 4 a | 1.3 v | 20A, 21A | 3 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STX93003-AP | - | ![]() | 5351 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | STX93003 | 1.5 w | To-92 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 400 v | 1 a | 1MA | PNP | 500mv @ 100ma, 500ma | 16 @ 350MA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPS20L45CT | 1.7400 | ![]() | 995 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STPS20 | Schottky | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 10A | 550 mV @ 10 a | 200 µa @ 45 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJ4032 | - | ![]() | 5149 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 대부분 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | TO-204AA, TO-3 | MJ40 | 150 W. | TO-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1026-MJ4032 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | 100 v | 16 a | 3MA | pnp- 달링턴 | 2.5V @ 40MA, 10A | 1000 @ 10a, 3v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD140-16 | 0.4200 | ![]() | 2547 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | BD140 | 1.25 w | SOT-32 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 1.5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50ma, 500ma | 40 @ 2v, 150ma | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBYW02-200 | - | ![]() | 6062 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | smbyw | 기준 | SMB (DO-214AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.25 V @ 6 a | 35 ns | 10 µa @ 200 v | 150 ° C (°) | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPS20L60CGY-TR | 2.9100 | ![]() | 4133 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STPS20 | Schottky | d²pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 10A | 600 mV @ 10 a | 350 µa @ 60 v | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STH110N10F7-6 | - | ![]() | 5678 | 0.00000000 | stmicroelectronics | DeepGate ™, Stripfet ™ vii | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | STH110 | MOSFET (금속 (() | H2PAK-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 110A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 55a, 10V | 4.5V @ 250µA | 72 NC @ 10 v | ± 20V | 5117 pf @ 50 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stgips10c60 | - | ![]() | 4092 | 0.00000000 | stmicroelectronics | SLLIMM ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | 25-powerdip ip (0.993 ", 25.23mm) | IGBT | STGIPS10 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-15004-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 11 | 3 단계 | 10 a | 600 v | 2500VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STX817A | - | ![]() | 4837 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 가방 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | STX817 | 900 MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 80 v | 1.5 a | 1MA | PNP | 500mv @ 100ma, 1a | 25 @ 1a, 2v | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Tyn408gr | 1.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | Tyn408 | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 45 MA | 400 v | 8 a | 1.5 v | 80a, 84a | 25 MA | 1.6 v | 5 a | 5 µA | 표준 표준 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPS30H100CT | 1.5100 | ![]() | 3792 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STPS30 | Schottky | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 15a | 800 mV @ 15 a | 5 µa @ 100 v | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP11NM60 | 4.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP11 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 11A (TC) | 10V | 450mohm @ 5.5a, 10V | 5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 25V | 1000 pf @ 25 v | - | 160W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | Ste110ns20fd | - | ![]() | 7585 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 메쉬 메쉬 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 동위 동위 | Ste1 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 200 v | 110A (TC) | 10V | 24mohm @ 50a, 10V | 4V @ 250µA | 504 NC @ 10 v | ± 20V | 7900 pf @ 25 v | - | 500W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP24NF10 | 1.6900 | ![]() | 5428 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP24 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 26A (TC) | 10V | 60mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 870 pf @ 25 v | - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH3002CW | 2.8000 | ![]() | 120 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STTH3002 | 기준 | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 30 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 15a | 1.05 V @ 15 a | 22 ns | 20 µa @ 200 v | 175 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB10N95K5 | 3.5300 | ![]() | 2190 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh5 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB10 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 950 v | 8A (TC) | 10V | 800mohm @ 4a, 10V | 5V @ 100µa | 22 nc @ 10 v | ± 30V | 630 pf @ 100 v | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB42N65M5 | 12.1200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ v | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB42 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 33A (TC) | 10V | 79mohm @ 16.5a, 10V | 5V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 25V | 4650 pf @ 100 v | - | 190W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH2003CFP | 1.8700 | ![]() | 28 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STTH2003 | 기준 | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 300 v | 10A | 1.25 V @ 10 a | 35 ns | 20 µa @ 300 v | 175 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
T1235T-8T | 1.8200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Snubberless ™ | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | T1235 | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-13995-5 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 40 MA | 대안 - 너버리스 스 | 800 v | 12 a | 1.3 v | 90a, 95a | 35 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STL21N65M5 | 6.7700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ v | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL21 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (8x8) HV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 650 v | 17A (TC) | 10V | 179mohm @ 8.5a, 10V | 5V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 25V | 1950 pf @ 100 v | - | 3W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD3NK50ZT4 | 1.2800 | ![]() | 3409 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | std3nk50 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 500 v | 2.3A (TC) | 10V | 3.3ohm @ 1.15a, 10V | 4.5V @ 50µA | 15 nc @ 10 v | ± 30V | 280 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z0405MH | 0.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | ecopack2 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-Z0405MH | 귀 99 | 8541.30.0080 | 75 | 하나의 | 5 MA | 기준 | 600 v | 4 a | 1.3 v | 15a, 16a | 5 MA |
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