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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 테스트 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 트리 트리 유형 | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 전압 -상태 (vtm) (최대) | 현재- it (it (av)) (max) | Current -Off State (Max) | scr 유형 | 노이즈 노이즈 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | TIP2955 | 2.4800 | ![]() | 4137 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | TIP2955 | 90 W. | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 60 v | 15 a | 700µA | PNP | 3v @ 3.3a, 10a | 20 @ 4a, 4v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T810-600H | - | ![]() | 1265 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | T810 | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 15 MA | 논리 - 게이트 민감한 | 600 v | 8 a | 1.3 v | 80a, 84a | 10 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STH52N10LF3-2AG | - | ![]() | 9734 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ F3 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STH52 | MOSFET (금속 (() | H2PAK-2 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 52A (TC) | 5V, 10V | 20mohm @ 26a, 10V | 2.5V @ 250µA | 18.5 nc @ 5 v | ± 20V | 1900 pf @ 400 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBYT01-400 | - | ![]() | 1642 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | smbyt | 기준 | SMB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.5 v @ 1 a | 60 ns | 10 µa @ 400 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN2015H-6FP | 1.2600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | TN2015 | TO-220FPAB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 50 MA | 600 v | 20 a | 1.3 v | 180a, 197a | 15 MA | 1.6 v | 12.7 a | 5 µA | 표준 표준 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB8N90K5 | 3.5600 | ![]() | 3833 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB8N90 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 900 v | 8A (TC) | 10V | 800mohm @ 1.17a, 10V | 5V @ 100µa | ± 30V | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ferd30m45cg-Tr | 1.6000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | ferd30 | ferd (효과 필드 정류기 정류기 다이오드) | d²pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 15a | 470 mV @ 15 a | 600 µa @ 45 v | 175 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS16170cg | - | ![]() | 6567 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STPS16170 | Schottky | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 170 v | 8a | 920 MV @ 8 a | 15 µa @ 170 v | 175 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB120N10F4 | - | ![]() | 2153 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB120N | - | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | 120A (TC) | 10V | - | - | ± 20V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH30RQ06G-TR | 2.2200 | ![]() | 135 | 0.00000000 | stmicroelectronics | ECOPACK® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STTH30 | 기준 | d²pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 2.95 V @ 30 a | 55 ns | 40 µa @ 600 v | 175 ° C (°) | 30A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB21NM50N | - | ![]() | 8194 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB21N | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 18A (TC) | 10V | 190mohm @ 9a, 10V | 4V @ 250µA | 65 nc @ 10 v | ± 25V | 1950 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
48 | - | ![]() | 7073 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 48 | 2 w | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 300 v | 1 a | 1MA | NPN | 1V @ 200MA, 1A | 30 @ 300ma, 10V | 10MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN2540-12G-TR | 2.7600 | ![]() | 233 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Ecopack®2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | TN2540 | d²pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 80 MA | 1.2kV | 25 a | 1.3 v | 300A, 314A | 40 MA | 1.6 v | 16 a | 10 µA | 표준 표준 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS1H100U | 0.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | STPS1 | Schottky | SMB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 770 mv @ 1 a | 4 µa @ 100 v | 175 ° C (°) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPS40SM100CT | 2.0900 | ![]() | 215 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STPS40 | Schottky | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 20A | 810 mV @ 20 a | 45 µa @ 100 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD11N60M2-EP | - | ![]() | 8305 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ M2-EP | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD11 | MOSFET (금속 (() | DPAK | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 7.5A (TC) | 10V | 595mohm @ 3.75a, 10V | 4.75V @ 250µA | 12.4 NC @ 10 v | ± 25V | 390 pf @ 100 v | - | 85W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ST9060C | 76.8980 | ![]() | 1686 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 상자 | 활동적인 | 94 v | 섀시 섀시 | M243 | ST9060 | 1.5GHz | LDMOS | M243 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | 12a | 80W | 17.3db | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF5L05950CF2 | 135.0000 | ![]() | 1643 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 대부분 | 활동적인 | 50 v | 표면 표면 | C2 | RF5L05950 | 1.5GHz | LDMOS | C2 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 497-RF5L05950CF2 | 100 | n 채널 | - | 2500W | 50dB | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BU941P | - | ![]() | 6463 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | BU941 | 155 w | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 v | 15 a | 100µA | npn-달링턴 | 2V @ 300ma, 12a | 300 @ 5a, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL15N65M5 | 2.9400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ v | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL15 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 650 v | 10A (TC) | 10V | 375mohm @ 5a, 10V | 5V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 25V | 816 pf @ 100 v | - | 52W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPST5H100AFY | 0.6700 | ![]() | 8811 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101, ECOPACK®2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-128 | STPST5 | Schottky | SOD128FLAT | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 680 mV @ 5 a | 11.5 µa @ 100 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 5a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BTW68-1000RG | - | ![]() | 1482 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C | 구멍을 구멍을 | 상위 3 | BTW68 | 상위 3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-4184-5 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 30 | 75 MA | 1kv | 30 a | 1.5 v | 400A, 420A | 50 MA | 2.1 v | 19 a | 20 µA | 표준 표준 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP1N105K3 | 1.5600 | ![]() | 565 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh3 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | stp1n | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 1050 v | 1.4A (TC) | 10V | 11ohm @ 600ma, 10V | 4.5V @ 50µA | 13 nc @ 10 v | ± 30V | 180 pf @ 100 v | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH10LCD06CFP | 1.5400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STTH10 | 기준 | TO-220FPAB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 600 v | 5a | 2 V @ 5 a | 50 ns | 1 µa @ 600 v | 175 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTA512FP | - | ![]() | 2965 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Turboswitch ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 | STTA512 | 기준 | TO-220FPAC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-4402-5 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1200 v | 2.2 v @ 5 a | 95 ns | 100 µa @ 1200 v | 150 ° C (°) | 5a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stu6n90k5 | 2.1600 | ![]() | 182 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 Long Leads, IPAK, TO-251AB | stu6n90 | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-17076 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 900 v | 6A (TC) | 10V | 1.1ohm @ 3a, 10V | 5V @ 100µa | ± 30V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH200W06TV1 | - | ![]() | 7316 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | STTH2 | 기준 | 동위 동위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 2 독립 | 600 v | 100A | 1.5 v @ 100 a | 75 ns | 30 µa @ 600 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP62NS04Z | 2.2700 | ![]() | 831 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 메쉬 메쉬 ™ | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP62 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 33 v | 62A (TC) | 10V | 15mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 47 NC @ 10 v | 클램핑 | 1330 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP9NM40N | 1.9000 | ![]() | 742 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP9N | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 5.6A (TC) | 10V | 790mohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 25V | 365 pf @ 50 v | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGB10H60DF | 1.9100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STGB10 | 기준 | 115 w | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 10A, 10ohm, 15V | 107 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 20 a | 40 a | 1.95V @ 15V, 10A | 83µJ (on), 140µJ (OFF) | 57 NC | 19.5ns/103ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
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