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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 트리 트리 유형 | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 전압 -상태 (vtm) (최대) | 현재- it (it (av)) (max) | Current -Off State (Max) | scr 유형 | 노이즈 노이즈 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
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![]() | STF40N60M2 | 6.2700 | ![]() | 9143 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II 플러스 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF40 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 34A (TC) | 10V | 88mohm @ 17a, 10V | 4V @ 250µA | 57 NC @ 10 v | ± 25V | 2500 pf @ 100 v | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS69-06WFILM | - | ![]() | 1432 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BAS69 | Schottky | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 양극 양극 공통 | 15 v | 10MA (DC) | 570 mV @ 10 ma | 230 na @ 15 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STH180N4F6-2 | - | ![]() | 7925 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ F6 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STH180 | MOSFET (금속 (() | H2PAK-2 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 10V | 2.4mohm @ 60a, 10V | 4.5V @ 250µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 7735 pf @ 25 v | - | 190W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD30NF06LT4 | 1.5600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD30 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 35A (TC) | 5V, 10V | 28mohm @ 18a, 10V | 2.5V @ 250µA | 31 NC @ 5 v | ± 20V | 1600 pf @ 25 v | - | 70W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF5L15030CB2 | 54.4500 | ![]() | 5253 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 대부분 | 활동적인 | 110 v | 섀시 섀시 | GXB | RF5L15030 | 1.5GHz | LDMOS | GXB | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 497-RF5L15030CB2 | 180 | - | 1µA | 200 MA | 30W | 23.5dB | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN1205H-6G-TR | 1.2700 | ![]() | 13 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | TN1205 | d²pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 20 MA | 600 v | 12 a | 1.3 v | 120a, 126a | 5 MA | 1.6 v | 7.6 a | 5 µA | 표준 표준 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STGP14NC60KD | 1.8700 | ![]() | 5211 | 0.00000000 | stmicroelectronics | PowerMesh ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STGP14 | 기준 | 80 W. | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-5121-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 390V, 7A, 10ohm, 15V | 37 ns | - | 600 v | 25 a | 50 a | 2.5V @ 15V, 7A | 82µJ (on), 155µJ (OFF) | 34.4 NC | 22.5ns/116ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA08-800BWRG | 1.7700 | ![]() | 458 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Snubberless ™ | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | BTA08 | to-220Ab 단열 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 50 MA | 대안 - 너버리스 스 | 800 v | 8 a | 1.3 v | 80a, 84a | 50 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | P0102MA1AA3 | - | ![]() | 4090 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | P0102 | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 2,500 | 5 MA | 600 v | 800 MA | 800 MV | 7a, 8a | 200 µA | 1.95 v | 500 MA | 10 µA | 민감한 민감한 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD2N95K5 | 1.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh5 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD2N95 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 950 v | 2A (TC) | 10V | 5ohm @ 1a, 10V | 5V @ 100µa | 10 nc @ 10 v | 30V | 105 pf @ 100 v | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH1003SG-TR | - | ![]() | 7634 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STTH10 | 기준 | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 300 v | 1.3 V @ 10 a | 35 ns | 10 µa @ 300 v | 175 ° C (°) | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SO642 | - | ![]() | 4845 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SO642 | 310 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 300 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 2ma, 20ma | 40 @ 30MA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPS30SM80CT | - | ![]() | 3092 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STPS30 | Schottky | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 80 v | 15a | 790 MV @ 15 a | 40 µa @ 80 v | 175 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Let9120 | - | ![]() | 7638 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 80 v | M246 | Let9120 | 860MHz | LDMOS | M246 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 20 | 18a | 400 MA | 150W | 18db | - | 32 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPS30M80CT | 0.7742 | ![]() | 6504 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STPS30 | Schottky | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 80 v | 15a | 745 MV @ 15 a | 40 µa @ 80 v | 175 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS30M120SR | 1.6900 | ![]() | 966 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | STPS30 | Schottky | i2pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 120 v | 900 mV @ 30 a | 275 µa @ 120 v | 150 ° C (°) | 30A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SD1731 | - | ![]() | 1860 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | M174 | SD1731 | 233W | M174 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 13db | 55V | 20A | NPN | 15 @ 10a, 6V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TN3050HP-12L2Y | 6.1200 | ![]() | 400 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | hu3pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 600 | 100 MA | 1.2kV | 30 a | 1.3 v | 300A, 330A | 50 MA | 1.65 v | 19 a | 5 µA | 표준 표준 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH1002CSFY | 0.9200 | ![]() | 925 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101, ECOPACK®2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | STTH1002 | 기준 | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-STTH1002CSFYTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 5a | 1.05 V @ 5 a | 35 ns | 4 µa @ 200 v | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ST2310FX | - | ![]() | 2989 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | ISOWATT218FX | ST2310 | 65 w | Isowatt-218fx | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 300 | 600 v | 12 a | 1MA | NPN | 3V @ 1.75A, 7A | 6.5 @ 7a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STAC4932B | 117.9750 | ![]() | 7106 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 쟁반 | 활동적인 | 200 v | STAC244B | STAC4932 | 123MHz | MOSFET | STAC244B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-10703 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 20 | n 채널 | - | 500 MA | 1000W | 26db | - | 100 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH8S12D | 1.4700 | ![]() | 7804 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | STTH8 | 기준 | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-15573-5 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1200 v | 2.7 V @ 8 a | 45 ns | 5 µa @ 1200 v | 175 ° C (°) | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH10R04FP | - | ![]() | 6750 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 풀 -2 | STTH10 | 기준 | TO-220FPAC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.7 V @ 10 a | 40 ns | 10 µa @ 400 v | 175 ° C (°) | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW30N80K5 | 8.4700 | ![]() | 6366 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW30 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | n 채널 | 800 v | 24A (TC) | 10V | 180mohm @ 12a, 10V | 5V @ 100µa | 43 NC @ 10 v | ± 30V | 1530 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP150N10F7 | 2.9200 | ![]() | 3915 | 0.00000000 | stmicroelectronics | DeepGate ™, Stripfet ™ vii | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP150 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 110A (TC) | 10V | 4.2MOHM @ 55A, 10V | 4.5V @ 250µA | 117 NC @ 10 v | ± 20V | 8115 pf @ 50 v | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGFW30NC60V | 6.4500 | ![]() | 279 | 0.00000000 | stmicroelectronics | PowerMesh ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | STGFW30 | 기준 | 80 W. | to-3pf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 390V, 20A, 3.3OHM, 15V | - | 600 v | 36 a | 100 a | 2.5V @ 15V, 20A | 220µJ (on), 330µJ (OFF) | 100 NC | 31ns/100ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGFW40H65FB | - | ![]() | 4066 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | STGFW40 | 기준 | 62.5 w | to-3pf-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40A, 5ohm, 15V | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 80 a | 160 a | 2V @ 15V, 40A | 498µJ (on), 363µJ (OFF) | 210 NC | 40ns/142ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STQ3N45K3-AP | - | ![]() | 1464 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh3 ™ | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | STQ3 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 450 v | 600MA (TC) | 10V | 3.8ohm @ 500ma, 10V | 4.5V @ 50µA | 6 nc @ 10 v | ± 30V | 150 pf @ 25 v | - | 3W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6036 | - | ![]() | 1879 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | 2N60 | 40 W. | SOT-32 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 4 a | 100µA | pnp- 달링턴 | 3V @ 40MA, 4A | 750 @ 2a, 3v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD20010S-E | - | ![]() | 3730 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 40 v | PowerSO-10RF 노출 된 바닥 패드 패드 (2 개의 직선 리드 리드) | PD20010 | 2GHz | LDMOS | PowerSO-10RF (직선 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 5a | 150 MA | 10W | 11db | - | 13.6 v |
일일 평균 RFQ 볼륨
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