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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 트리 트리 유형 | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 전압 -상태 (vtm) (최대) | 현재- it (it (av)) (max) | Current -Off State (Max) | scr 유형 | 노이즈 노이즈 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | STP15NK50ZFP | - | ![]() | 1474 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STP15N | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 14A (TC) | 10V | 340mohm @ 7a, 10V | 4.5V @ 100µa | 106 NC @ 10 v | ± 30V | 2260 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS10H100CG | - | ![]() | 4105 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STPS10 | Schottky | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 5a | 730 MV @ 5 a | 3.5 µa @ 100 v | 175 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MD1803DFX | - | ![]() | 7274 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | MD1803 | 57 W. | to-3pf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 700 v | 10 a | 200µA | NPN | 2V @ 1.25A, 5A | 5.5 @ 5a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP15NM65N | - | ![]() | 9720 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP15N | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 12A (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 33.3 NC @ 10 v | ± 25V | 983 pf @ 50 v | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BD711 | - | ![]() | 1577 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BD711 | 75 w | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-6963-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 12 a | 100ma | NPN | 1V @ 400MA, 4A | 15 @ 4a, 4v | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPSC10H065G-TR | 3.8800 | ![]() | 7609 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STPSC10 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | d²pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 650 v | 1.75 V @ 10 a | 0 ns | 100 µa @ 650 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 10A | 480pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6036 | - | ![]() | 1879 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | 2N60 | 40 W. | SOT-32 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 4 a | 100µA | pnp- 달링턴 | 3V @ 40MA, 4A | 750 @ 2a, 3v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | pd85025str-e | - | ![]() | 4019 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 40 v | PowerSO-10RF 노출 된 바닥 패드 패드 (2 개의 직선 리드 리드) | PD85025 | 870MHz | LDMOS | PowerSO-10RF (직선 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | 7a | 300 MA | 10W | 17.3db | - | 13.6 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA26-800BWRG | 6.1000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Snubberless ™ | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 상위 3 절연 개 | BTA26 | 상위 3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 30 | 하나의 | 75 MA | 대안 - 너버리스 스 | 800 v | 25 a | 1.3 v | 250A, 260A | 50 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP50NE08 | - | ![]() | 3236 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP50N | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-2787-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 80 v | 50A (TC) | 10V | 24mohm @ 25a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 5100 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD9NM50N-1 | - | ![]() | 1448 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | std9 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 500 v | 5A (TC) | 10V | 560mohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 25V | 570 pf @ 50 v | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS40L45CW | 2.8200 | ![]() | 600 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STPS40 | Schottky | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 30 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 20A | 530 mV @ 20 a | 600 µa @ 45 v | 150 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB16NF06LT4 | 1.7000 | ![]() | 1482 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB16 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 16A (TC) | 5V, 10V | 90mohm @ 8a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 10 nc @ 4.5 v | ± 16V | 345 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD57006st-e | - | ![]() | 2318 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | PowerSO-10RF 노출 된 바닥 패드 패드 (2 개의 직선 리드 리드) | PD57006 | 945MHz | LDMOS | PowerSO-10RF (직선 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | 1A | 70 MA | 6W | 15db | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STFN42 | - | ![]() | 3982 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | STFN42 | 1.4 w | SOT-89-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400 v | 1 a | 100µA | NPN | 1.5V @ 250ma, 750ma | 10 @ 400ma, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF5L0912750CB4 | 217.8000 | ![]() | 9387 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 대부분 | 활동적인 | 110 v | 섀시 섀시 | D4E | RF5L0912750 | 960MHz ~ 1.215GHz | LDMOS | D4E | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 497-RF5L0912750CB4 | 100 | - | 1µA | 150 MA | 750W | 15db | - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB46NF30 | 4.4900 | ![]() | 995 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB46 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 300 v | 42A (TC) | 10V | 75mohm @ 17a, 10V | 4V @ 250µA | 90 NC @ 10 v | ± 20V | 3200 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STP10NK60ZFP | 3.5400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STP10 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 10A (TC) | 10V | 750mohm @ 4.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 30V | 1370 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF21NM60N | - | ![]() | 3847 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF21 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-5004-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 17A (TC) | 10V | 220mohm @ 8.5a, 10V | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 v | ± 25V | 1900 pf @ 50 v | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N5657 | - | ![]() | 9304 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | 2N56 | 20 W. | SOT-32-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-2623-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 350 v | 500 MA | 100µA | NPN | 10V @ 100MA, 500MA | 30 @ 100MA, 10V | 10MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH12R06G-TR | 2.5900 | ![]() | 1926 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STTH12 | 기준 | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 2.9 V @ 12 a | 45 ns | 45 µa @ 600 v | 175 ° C (°) | 12a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | P0115DA 1AA3 | - | ![]() | 5244 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | P0115 | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 2,500 | 5 MA | 400 v | 800 MA | 800 MV | 7a, 8a | 50 µA | 1.95 v | 500 MA | 10 µA | 민감한 민감한 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPS16L40CT | 1.5600 | ![]() | 855 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STPS16 | Schottky | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 40 v | 8a | 500 mV @ 8 a | 700 µa @ 40 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS30H60CFP | 1.6000 | ![]() | 918 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STPS30 | Schottky | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 15a | 660 mV @ 15 a | 60 @ 60 v | 175 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS3150UY | 0.8800 | ![]() | 5591 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Q 자동차 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | STPS3150 | Schottky | SMB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 820 MV @ 3 a | 2 µa @ 150 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD54003-E | 8.0223 | ![]() | 3284 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 25 v | Powerso-10 0 바닥 패드 | PD54003 | 500MHz | LDMOS | 10-Powerso | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 4a | 50 MA | 3W | 12db | - | 7.5 v |
일일 평균 RFQ 볼륨
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