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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 그들 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 내구성 인증(암페어) 전류 - 유지(Ih)(최대) 테스트 조건 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 대책악 전압 - 꺼진 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 전압 - 온상태(Vtm)(최대) 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) 현재 - 일시적 상태(최대) SCR 유형 모델 지수 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
STV270N4F3 STMicroelectronics STV270N4F3 5.7400
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ECAD 7905 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 STripFET™ III 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 PowerSO-10옆형 하단 패드 STV270 MOSFET(금속) 10-파워SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 600 N채널 40V 270A(Tc) 10V 1.5m옴 @ 80A, 10V 4V @ 250μA 150nC @ 10V ±20V 25V에서 7500pF - 300W(Tc)
T405-600B STMicroelectronics T405-600B 1.3700
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ECAD 2 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 T405 DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 75 하나의 10mA 논리 - 기억카드 600V 4A 1.3V 30A, 31A 5mA
STPSC6H12B-TR1 STMicroelectronics STPSC6H12B-TR1 1.9398
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ECAD 5785 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 STPSC6 SiC(탄화규소) 쇼트키 DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 1200V 1.9V @ 6A 0ns 1200V에서 400μA -40°C ~ 175°C 6A 330pF @ 0V, 1MHz
PD85035STR-E STMicroelectronics PD85035STR-E 30.8300
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ECAD 9481 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 40V PowerSO-10RF옆형 하단 패드(직선 리드 2개) PD85035 870MHz LDMOS PowerSO-10RF(직선 리드) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. -1138-PD85035STR-ETR EAR99 8541.29.0095 600 8A 350mA 15W 17dB - 13.6V
STP35N60M2-EP STMicroelectronics STP35N60M2-EP 3.0791
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ECAD 6975 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ M2-EP 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 STP35 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 26A(TC) - - - ±25V - -
BTA12-600BW STMicroelectronics BTA12-600BW -
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ECAD 2871 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 스너비스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 BTA12 TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 250 하나의 50mA 터니스터 - 스너비스 600V 12A 1.3V 120A, 126A 50mA
STF36N60M6 STMicroelectronics STF36N60M6 6.3400
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ECAD 6727 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ M6 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 STF36 MOSFET(금속) TO-220FP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 30A(Tc) 10V 99m옴 @ 15A, 10V 250μA에서 4.75V 44.3nC @ 10V ±25V 100V에서 1960pF - 40W(Tc)
STGP12NB60KD STMicroelectronics STGP12NB60KD -
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ECAD 7592 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 파워메쉬™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 STGP12 기준 125W TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 480V, 12A, 10옴, 15V 80ns - 600V 30A 60A 2.8V @ 15V, 12A 258μJ(꺼짐) 54nC 25ns/96ns
SCT10N120 STMicroelectronics SCT10N120 11.7900
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ECAD 65 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 SCT10 SiCFET(탄화규소) HiP247™ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-16597-5 EAR99 8541.29.0095 100 N채널 1200V 12A(TC) 20V 690m옴 @ 6A, 20V 3.5V @ 250μA 22nC @ 20V +25V, -10V 400V에서 290pF - 150W(Tc)
STE48NM50 STMicroelectronics STE48NM50 30.5400
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ECAD 3141 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ 튜브 활동적인 150°C (TJ) 방역 동위원소 STE48 MOSFET(금속) ISOTOP® 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10 N채널 550V 48A(TC) 10V 100m옴 @ 24A, 10V 5V @ 250μA 117nC @ 10V ±30V 3700pF @ 25V - 450W(Tc)
STPS20M60SG-TR STMicroelectronics STPS20M60SG-TR 3.3700
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ECAD 5198 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB STPS20 쇼트키 D²PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 60V 565mV @ 20A 60V에서 125μA 150°C(최대) 20A -
STPS20M120STN STMicroelectronics STPS20M120STN -
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ECAD 3644 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-3 STPS20 쇼트키 TO-220AB 좁은 기록 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 120V 840mV @ 20A 120V에서 275μA 150°C(최대) 20A -
STL28N60DM2 STMicroelectronics STL28N60DM2 2.2424
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ECAD 8075 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 STL28 MOSFET(금속) PowerFlat™(8x8) HV 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 600V 21A(TC) 10V 175m옴 @ 10.5A, 10V 5V @ 250μA 34nC @ 10V ±25V 100V에서 1500pF - 140W(Tc)
STW7N95K3 STMicroelectronics STW7N95K3 6.7000
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ECAD 600 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 슈퍼메쉬3™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 STW7N95 MOSFET(금속) TO-247-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 950V 7.2A(Tc) 10V 1.35옴 @ 3.6A, 10V 100μA에서 5V 34nC @ 10V ±30V 100V에서 1031pF - 150W(Tc)
STP03D200 STMicroelectronics STP03D200 9.5000
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ECAD 5218 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 STP03 40W TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-7022-5 EAR99 8541.29.0095 50 1200V 100mA 100μA NPN-달링턴 2V @ 500μA, 50mA 200 @ 30mA, 10V -
STW9NK90Z STMicroelectronics STW9NK90Z 4.5000
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ECAD 5962 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 슈퍼메쉬™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 STW9 MOSFET(금속) TO-247-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 900V 8A(TC) 10V 1.3옴 @ 3.6A, 10V 100μA에서 4.5V 72nC @ 10V ±30V 2115pF @ 25V - 160W(Tc)
STPS120MF STMicroelectronics STPS120MF 0.5800
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ECAD 28 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 DO-222AA STPS120 쇼트키 ST마이트 플랫 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 12,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 20V 490mV @ 1A 3.9μA @ 20V 150°C(최대) 1A -
P0111DA 5AL3 STMicroelectronics P0111DA 5AL3 0.6400
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ECAD 26 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) P0111 TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 2,000 5mA 400V 800mA 800mV 7A, 8A 25μA 1.95V 500mA 10μA 프로세서 카드보드
BD679 STMicroelectronics BD679 0.5400
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ECAD 4 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-225AA, TO-126-3 BD679 40W SOT-32-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-5776 EAR99 8541.29.0095 50 80V 4A 500μA NPN-달링턴 2.5V @ 30mA, 1.5A 750 @ 1.5A, 3V -
STGW20NB60KD STMicroelectronics STGW20NB60KD -
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ECAD 2225 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 파워메쉬™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 STGW20 기준 170W TO-247-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 25 480V, 20A, 10옴, 15V 80.5ns - 600V 50A 100A 2.8V @ 15V, 20A 675μJ(켜짐), 500μJ(꺼짐) 85nC 39ns/105ns
STP11NK50ZFP STMicroelectronics STP11NK50ZFP 3.0400
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ECAD 518 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 슈퍼메쉬™ 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 STP11 MOSFET(금속) TO-220FP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-5973-5 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 500V 10A(TC) 10V 520m옴 @ 4.5A, 10V 100μA에서 4.5V 68nC @ 10V ±30V 1390pF @ 25V - 30W(Tc)
STB55NF06T4 STMicroelectronics STB55NF06T4 2.5800
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ECAD 2841 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 STripFET™ II 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB STB55 MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 60V 50A(Tc) 10V 18m옴 @ 27.5A, 10V 4V @ 250μA 60nC @ 10V ±20V 25V에서 1300pF - 110W(Tc)
STTH2R02AY STMicroelectronics STTH2R02AY 0.4800
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ECAD 5 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 자동차, AEC-Q101, ECOPACK®2 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 DO-214AC, SMA 기준 SMA(DO-214AC) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 5,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 200V 1.04V @ 2A 30ns 200V에서 2.5μA 175°C 2A -
STPS40M80CR STMicroelectronics STPS40M80CR -
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ECAD 2650 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA STPS40 쇼트키 I2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 80V 20A 735mV @ 20A 80V에서 65μA 175°C(최대)
SCT20N120H STMicroelectronics SCT20N120H 16.5900
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ECAD 5115 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 200°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB SCT20 SiCFET(탄화규소) H2Pak-2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 1200V 20A(TC) 20V 290m옴 @ 10A, 20V 3.5V @ 1mA 45nC @ 20V +25V, -10V 400V에서 650pF - 175W(Tc)
T835H-8I STMicroelectronics T835H-8I 1.3400
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ECAD 2185 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 H 시리즈 튜브 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 T835 TO-220AB 절연 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-T835H-8I EAR99 8541.30.0080 50 하나의 35mA 터니스터 - 스너비스 800V 8A 1.3V 80A, 84A 35mA
STPS5L60RL STMicroelectronics STPS5L60RL -
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ECAD 5098 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 DO-201AD, 축 STPS5 쇼트키 DO-201AD 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,900 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 60V 520mV @ 5A 60V에서 220μA 150°C(최대) 5A -
STU7N60DM2 STMicroelectronics STU7N60DM2 0.6796
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ECAD 5557 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ DM2 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA STU7N60 MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 600V 6A(TC) 10V 900m옴 @ 3A, 10V 250μA에서 4.75V 7.5nC @ 10V ±25V 100V에서 324pF - 60W(Tc)
STPS40150CW STMicroelectronics STPS40150CW 2.9000
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ECAD 11 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-247-3 STPS40150 쇼트키 TO-247-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 30 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 150V 20A 920mV @ 20A 150V에서 8μA 175°C(최대)
STD3NK90ZT4 STMicroelectronics STD3NK90ZT4 2.3300
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ECAD 4368 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 슈퍼메쉬™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 STD3NK90 MOSFET(금속) TO-252 (D-팩) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 900V 3A(TC) 10V 4.8옴 @ 1.5A, 10V 50μA에서 4.5V 22.7nC @ 10V ±30V 25V에서 590pF - 90W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고