SIC
close

불연속 불연속 제품 (6390)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
STD50N03L STMicroelectronics STD50N03L -
RFQ
 ECAD 8826 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ iii 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 std50n MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 40A (TC) 5V, 10V 10.5mohm @ 20a, 10V 1V @ 250µA 14 nc @ 5 v ± 20V 1434 pf @ 25 v - 60W (TC)
STP7N60M2 STMicroelectronics STP7N60M2 1.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 플러스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP7N60 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 5A (TC) 10V 950mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 8.8 NC @ 10 v ± 25V 271 pf @ 100 v - 60W (TC)
STD60NF06T4 STMicroelectronics STD60NF06T4 2.0800
RFQ
 ECAD 8484 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD60 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 60A (TC) 10V 16mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 1810 pf @ 25 v - 110W (TC)
STD5NK40Z-1 STMicroelectronics STD5NK40Z-1 1.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA STD5NK40 MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 400 v 3A (TC) 10V 1.8ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 50µA 17 nc @ 10 v ± 30V 305 pf @ 25 v - 45W (TC)
STTH4R02D STMicroelectronics STTH4R02D -
RFQ
 ECAD 2841 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 STTH4R02 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-5281-5 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.05 V @ 4 a 30 ns 3 µa @ 200 v 175 ° C (°) 4a -
STPS20150CR STMicroelectronics STPS20150CR 0.6279
RFQ
 ECAD 5174 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STPS20150 Schottky i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 920 MV @ 10 a 5 µa @ 150 v 175 ° C (°)
STP11NM60 STMicroelectronics STP11NM60 4.2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP11 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 450mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 25V 1000 pf @ 25 v - 160W (TC)
STTH2004SG-TR STMicroelectronics STTH2004SG-TR 0.7707
RFQ
 ECAD 5178 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 STTH2004 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-STTH2004SG-TR 귀 99 8541.10.0080 1,000
1N5818RL STMicroelectronics 1N5818RL -
RFQ
 ECAD 2573 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N58 Schottky DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1N5818RLST 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 30 v 150 ° C (°) 1A -
STW45NM60 STMicroelectronics STW45NM60 14.0100
RFQ
 ECAD 4086 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW45 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 45A (TC) 10V 110mohm @ 22.5a, 10V 5V @ 250µA 134 NC @ 10 v ± 30V 3800 pf @ 25 v - 417W (TC)
STL19N60M2 STMicroelectronics STL19N60M2 1.3035
RFQ
 ECAD 6010 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL19 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (8x8) HV 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 4V @ 250µA 21.5 nc @ 10 v ± 25V 791 pf @ 100 v - 90W (TC)
STTH2003CFP STMicroelectronics STTH2003CFP 1.8700
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STTH2003 기준 TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 10A 1.25 V @ 10 a 35 ns 20 µa @ 300 v 175 ° C (°)
STPS10L60CG-TR STMicroelectronics STPS10L60CG-TR -
RFQ
 ECAD 3893 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STPS10 Schottky D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 5a 550 mV @ 5 a 220 µa @ 60 v 150 ° C (°)
STPS2045CT STMicroelectronics STPS2045CT 1.9500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 STPS2045 Schottky TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 570 mV @ 10 a 100 µa @ 45 v 175 ° C (°)
STGP3NB60F STMicroelectronics STGP3NB60F -
RFQ
 ECAD 8981 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STGP3 기준 68 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 480V, 3A, 10ohm, 15V 45 ns - 600 v 6 a 24 a 2.4V @ 15V, 3A 125µJ (OFF) 16 NC 12.5ns/105ns
STGF30M65DF2 STMicroelectronics STGF30M65DF2 2.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics 중 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STGF30 기준 38 w TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 30A, 10ohm, 15V 140 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 60 a 120 a 2V @ 15V, 30A 300µJ (on), 960µJ (OFF) 80 NC 31.6ns/115ns
T1235T-8R STMicroelectronics T1235T-8R 1.2900
RFQ
 ECAD 863 0.00000000 stmicroelectronics Snubberless ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 T1235 TO-220 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-18029 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 40 MA 대안 - 너버리스 스 800 v 12 a 1.3 v 90a, 95a 35 MA
STP9NK70ZFP STMicroelectronics STP9NK70ZFP 3.3600
RFQ
 ECAD 918 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STP9NK70 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 7.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 4a, 10V 4.5V @ 100µa 68 NC @ 10 v ± 30V 1370 pf @ 25 v - 35W (TC)
STB33N60M2 STMicroelectronics STB33N60M2 4.6400
RFQ
 ECAD 2652 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 플러스 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB33 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 26A (TC) 10V 125mohm @ 13a, 10V 4V @ 250µA 45.5 nc @ 10 v ± 25V 1781 pf @ 100 v - 190W (TC)
ESM6045DV STMicroelectronics ESM6045DV -
RFQ
 ECAD 9088 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 동위 동위 ESM6045 250 W. ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 450 v 84 a - npn-달링턴 1.35V @ 4A, 70A 120 @ 70a, 5V -
STP11NM60FD STMicroelectronics stp11nm60fd 5.3000
RFQ
 ECAD 955 0.00000000 stmicroelectronics FDMESH ™ 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP11 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 450mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 900 pf @ 25 v - 160W (TC)
PD57006S STMicroelectronics PD57006S -
RFQ
 ECAD 7254 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 65 v Powerso-10 0 바닥 패드 PD57006 945MHz LDMOS 10-Powerso 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 1A 70 MA 6W 15db - 28 v
STTH20004TV1 STMicroelectronics STTH20004TV1 31.3300
RFQ
 ECAD 2978 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 섀시 섀시 동위 동위 STTH20004 기준 ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 400 v 120a 1.2 v @ 100 a 100 ns 100 µa @ 400 v 150 ° C (°)
STPS30SM60SR STMicroelectronics STPS30SM60SR -
RFQ
 ECAD 1244 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STPS30 Schottky i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 615 mV @ 30 a 135 µa @ 60 v 150 ° C (°) 30A -
STW24N60M2 STMicroelectronics STW24N60M2 -
RFQ
 ECAD 3726 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 플러스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW24 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 18A (TC) 10V 190mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 25V 1060 pf @ 100 v - 150W (TC)
STDLED524 STMicroelectronics stdled524 -
RFQ
 ECAD 9941 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 stdled524 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 525 v 4A (TC) 10V 2.6ohm @ 2.2a, 10V 4.5V @ 50µA 12 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 100 v - 45W (TC)
STFU10NK60Z STMicroelectronics stfu10nk60z 1.6600
RFQ
 ECAD 447 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STFU10 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 750mohm @ 4.5a, 10V 4.5V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 1370 pf @ 25 v - 35W (TC)
STD6N65M2 STMicroelectronics STD6N65M2 1.4100
RFQ
 ECAD 3793 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 std6n65 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 4A (TC) 10V 1.35ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 9.8 nc @ 10 v ± 25V 226 pf @ 100 v - 60W (TC)
STL18N60M2 STMicroelectronics STL18N60M2 1.2230
RFQ
 ECAD 1348 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 플러스 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL18 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) HV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 308mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250µA 21.5 nc @ 10 v ± 25V 791 pf @ 100 v - 57W (TC)
STPS3045CG STMicroelectronics STPS3045cg -
RFQ
 ECAD 6035 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STPS3045 Schottky D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 570 mV @ 15 a 200 µa @ 45 v 200 ° C (()
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
Enter를 누르십시오. 검색 또는 ESC를 닫으십시오