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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온)
STP30NF20 STMicroelectronics STP30NF20 3.0800
RFQ
 ECAD 9666 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP30 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-5825-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 30A (TC) 10V 75mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1597 pf @ 25 v - 125W (TC)
STF5N65M6 STMicroelectronics STF5N65M6 -
RFQ
 ECAD 8598 0.00000000 stmicroelectronics * 튜브 활동적인 STF5N65 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000
STB21NM50N STMicroelectronics STB21NM50N -
RFQ
 ECAD 8194 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB21N MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 18A (TC) 10V 190mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 25V 1950 pf @ 25 v - 140W (TC)
TN2540-12G-TR STMicroelectronics TN2540-12G-TR 2.7600
RFQ
 ECAD 233 0.00000000 stmicroelectronics Ecopack®2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB TN2540 d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1,000 80 MA 1.2kV 25 a 1.3 v 300A, 314A 40 MA 1.6 v 16 a 10 µA 표준 표준
STI20N65M5 STMicroelectronics STI20N65M5 3.0100
RFQ
 ECAD 4470 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STI20 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 18A (TC) 10V 190mohm @ 9a, 10V 5V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 25V 1434 pf @ 100 v - 130W (TC)
STP130N10F3 STMicroelectronics STP130N10F3 3.5300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ iii 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP130 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 -497-12984-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 120A (TC) 10V 9.6MOHM @ 60A, 10V 4V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 20V 3305 pf @ 25 v - 250W (TC)
STPS8H100G STMicroelectronics STPS8H100G 1.5500
RFQ
 ECAD 196 년 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STPS8H Schottky D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 710 MV @ 8 a 4.5 µa @ 100 v 175 ° C (°) 8a -
STH52N10LF3-2AG STMicroelectronics STH52N10LF3-2AG -
RFQ
 ECAD 9734 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ F3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STH52 MOSFET (금속 (() H2PAK-2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 52A (TC) 5V, 10V 20mohm @ 26a, 10V 2.5V @ 250µA 18.5 nc @ 5 v ± 20V 1900 pf @ 400 v - 110W (TC)
STL24N65M2 STMicroelectronics STL24N65M2 1.5922
RFQ
 ECAD 4995 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL24 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (8x8) HV - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 14A (TC) 10V 250mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 25V 1060 pf @ 100 v - 125W (TC)
STI400N4F6 STMicroelectronics STI400N4F6 5.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ vi 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STI400N MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 1.7mohm @ 60a, 10V 4.5V @ 250µA 377 NC @ 10 v ± 20V 20000 pf @ 25 v - 300W (TC)
BAT30F4 STMicroelectronics Bat30f4 0.4100
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0201 (0603 메트릭) BAT30 Schottky 0201 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 310 mV @ 10 ma 50 µa @ 30 v -30 ° C ~ 85 ° C 300ma -
STPS5L60S STMicroelectronics STPS5L60S 0.9100
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC STPS5 Schottky SMC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 520 MV @ 5 a 220 µa @ 60 v 150 ° C (°) 5a -
STF18N65M5 STMicroelectronics STF18N65M5 -
RFQ
 ECAD 1871 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF18 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 15A (TC) 10V 220mohm @ 7.5a, 10V 5V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 25V 1240 pf @ 100 v - 25W (TC)
STY139N65M5 STMicroelectronics STY139N65M5 35.9200
RFQ
 ECAD 3878 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STY139 MOSFET (금속 (() Max247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-13043-5 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 130A (TC) 10V 17mohm @ 65a, 10V 5V @ 250µA 363 NC @ 10 v ± 25V 15600 pf @ 100 v - 625W (TC)
STB30NM60ND STMicroelectronics STB30NM60nd -
RFQ
 ECAD 3406 0.00000000 stmicroelectronics FDMESH ™ II 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB30N MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 130mohm @ 12.5a, 10V 5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 25V 2800 pf @ 50 v - 190W (TC)
STL160NS3LLH7 STMicroelectronics STL160NS3LLH7 -
RFQ
 ECAD 3317 0.00000000 stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ vii 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL160 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 160A (TC) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 18a, 10V 2.3v @ 1ma 20 nc @ 4.5 v ± 20V 3245 pf @ 25 v - 84W (TC)
STB33N65M2 STMicroelectronics STB33N65M2 4.2600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB33 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 140mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 41.5 nc @ 10 v ± 25V 1790 pf @ 100 v - 190W (TC)
STW55NM60N STMicroelectronics STW55NM60N -
RFQ
 ECAD 4922 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW55N MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 51A (TC) 10V 60mohm @ 25.5a, 10V 4V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 25V 5800 pf @ 50 v - 350W (TC)
STGP8NC60KD STMicroelectronics stgp8nc60kd 1.5300
RFQ
 ECAD 4580 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STGP8 기준 65 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 390V, 3A, 10ohm, 15V 23.5 ns - 600 v 15 a 30 a 2.75V @ 15V, 3A 55µJ (on), 85µJ (OFF) 19 NC 17ns/72ns
STF12N60M2 STMicroelectronics STF12N60M2 1.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF12 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-16012-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 450mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 25V 538 pf @ 100 v - 25W (TC)
TXDV1212RG STMicroelectronics TXDV1212RG 3.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TXDV1212 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 100 MA 기준 1.2kV 12 a 1.5 v 120a, 125a 100 MA
STD100N10F7 STMicroelectronics STD100N10F7 2.8800
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ vii 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD100 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 80A (TC) 10V 8mohm @ 40a, 10V 4.5V @ 250µA 61 NC @ 10 v ± 20V 4369 pf @ 50 v - 120W (TC)
T830-8FP STMicroelectronics T830-8FP 1.7500
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 stmicroelectronics Snubberless ™ 튜브 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 T830 TO-220FPAB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 50 MA 대안 - 너버리스 스 800 v 8 a 1.3 v 80a, 84a 30 MA
STGB19NC60KT4 STMicroelectronics STGB19NC60KT4 2.7800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STGB19 기준 125 w D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 480V, 12a, 10ohm, 15V - 600 v 35 a 75 a 2.75V @ 15V, 12A 165µJ (on), 255µJ (OFF) 55 NC 30ns/105ns
STS8DN6LF6AG STMicroelectronics sts8dn6lf6ag 1.7200
RFQ
 ECAD 3261 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ F6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) STS8DN6 MOSFET (금속 (() 3.2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 8A (TA) 24mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 250µA 27NC @ 10V 1340pf @ 25V 논리 논리 게이트
STPSC10C065RY STMicroelectronics STPSC10C065RY 3.7600
RFQ
 ECAD 972 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 튜브 마지막으로 마지막으로 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STPSC10 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 0 ns 100 µa @ 650 v -40 ° C ~ 175 ° C 10A 480pf @ 0V, 1MHz
BYT60P-1000 STMicroelectronics BYT60P-1000 -
RFQ
 ECAD 8377 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 SOD-93-2 BYT60 기준 SOD-93 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 300 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 1000 v 60a 1.9 V @ 60 a 170 ns 100 @ 1000 v 150 ° C (°)
STP2NK100Z STMicroelectronics STP2NK100Z 3.2500
RFQ
 ECAD 439 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP2NK100 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1000 v 1.85A (TC) 10V 8.5ohm @ 900ma, 10V 4.5V @ 50µA 16 nc @ 10 v ± 30V 499 pf @ 25 v - 70W (TC)
STB8N90K5 STMicroelectronics STB8N90K5 3.5600
RFQ
 ECAD 3833 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ K5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB8N90 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 900 v 8A (TC) 10V 800mohm @ 1.17a, 10V 5V @ 100µa ± 30V - 130W (TC)
T1610-600G-TR STMicroelectronics T1610-600G-TR 2.5700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB T1610 D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 15 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 16 a 1.3 v 160a, 168a 10 MA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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