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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 현재의 | 전압 | 전압 - 분리 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 트리 트리 유형 | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 노이즈 노이즈 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | STF16NF25 | 2.3200 | ![]() | 6632 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF16 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 14A (TC) | 10V | 235mohm @ 6.5a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 680 pf @ 25 v | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH5L06B | - | ![]() | 8039 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STTH5L06 | 기준 | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.3 V @ 5 a | 95 ns | 5 µa @ 600 v | 175 ° C (°) | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STX83003 | 0.5900 | ![]() | 360 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 가방 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | STX83003 | 1.5 w | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400 v | 1 a | 1MA | NPN | 1V @ 50MA, 350MA | 16 @ 350MA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STY60NM60 | 23.4200 | ![]() | 8391 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STY60 | MOSFET (금속 (() | Max247 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 60A (TC) | 10V | 55mohm @ 30a, 10V | 5V @ 250µA | 266 NC @ 10 v | ± 30V | 7300 pf @ 25 v | - | 560W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGIB30M60S-E | 18.9254 | ![]() | 9833 | 0.00000000 | stmicroelectronics | SLLIMM ™ | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | 26-powerdip ip (1.146 ", 29.10mm) | IGBT | STGIB30 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 156 | 3 상 인버터 | 35 a | 600 v | 1500VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T850H-6G | 0.4946 | ![]() | 3436 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Snubberless ™ | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | T850 | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 2,000 | 하나의 | 75 MA | 대안 - 너버리스 스 | 600 v | 8 a | 1 v | 80a, 84a | 50 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STPS30M80CT | 0.7742 | ![]() | 6504 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STPS30 | Schottky | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 80 v | 15a | 745 MV @ 15 a | 40 µa @ 80 v | 175 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS3060CW | 2.0800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STPS3060 | Schottky | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 30 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 15a | 850 mV @ 15 a | 150 µa @ 60 v | 150 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW15N95K5 | - | ![]() | 2839 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh5 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW15 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 950 v | 12A (TC) | 10V | 500mohm @ 6a, 10V | 5V @ 100µa | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 900 pf @ 100 v | - | 170W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS10M80CG-TR | - | ![]() | 1025 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STPS10 | Schottky | d²pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 80 v | 5a | 705 MV @ 5 a | 20 µa @ 80 v | 175 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGW50HF60S | 6.0000 | ![]() | 408 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STGW50 | 기준 | 284 w | TO-247-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 30A, 10ohm, 15V | - | 600 v | 110 a | 130 a | 1.45V @ 15V, 30A | 250µJ (on), 4.2mj (OFF) | 200 NC | 50ns/220ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z0405NF 1AA2 | - | ![]() | 3478 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-202 탭이 2 | Z0405 | TO-202-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 250 | 하나의 | 5 MA | 논리 - 게이트 민감한 | 800 v | 4 a | 1.3 v | 20A, 21A | 5 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYT200PIV-400 | - | ![]() | 2693 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | 동위 동위 | BYT200 | 기준 | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 2 독립 | 400 v | 100A | 1.6 V @ 100 a | 100 ns | 120 µa @ 400 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS120MF | 0.5800 | ![]() | 28 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-222AA | STPS120 | Schottky | stmite flat | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 12,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 490 mV @ 1 a | 3.9 µa @ 20 v | 150 ° C (°) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH8R04DI | 2.0800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 절연, TO-220AC | STTH8R04 | 기준 | TO-220AC INS | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.5 v @ 8 a | 50 ns | 10 µa @ 400 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STH12N120K5-2 | 11.8800 | ![]() | 9222 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STH12 | MOSFET (금속 (() | H2PAK-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 1200 v | 12A (TC) | 10V | 6A, 6A, 10V | 5V @ 100µa | 44.2 NC @ 10 v | ± 30V | 1370 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPST5H100SB-TR | 0.7300 | ![]() | 6859 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Ecopack®2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STPST5 | Schottky | D-PAK (TO-252) | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 685 mV @ 5 a | 11.5 µa @ 100 v | 175 ° C | 5a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH504U | 0.4937 | ![]() | 2983 | 0.00000000 | stmicroelectronics | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | STTH504 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS30L60CW | 2.4300 | ![]() | 7823 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STPS30L60 | Schottky | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 30 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 15a | 600 mV @ 15 a | 480 µa @ 60 v | 150 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
bult118m | - | ![]() | 6346 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | Bult118 | 45 W. | SOT-32-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 400 v | 2 a | 250µA | NPN | 1.5V @ 400MA, 2A | 10 @ 500ma, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCTWA35N65G2VAG | - | ![]() | 3110 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SCTWA35 | sicfet ((카바이드) | TO-247 긴 7 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 497-SCTWA35N65G2VAG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | n 채널 | 650 v | 45A (TC) | 18V, 20V | 72mohm @ 20a, 20V | 3.2v @ 1ma | 73 NC @ 20 v | +20V, -5V | 1370 pf @ 400 v | - | 208W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ULN2066B | 3.6300 | ![]() | 3029 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 16-powerdip (0.300 ", 7.62mm) | ULN2066 | 1W | 16-powerdip (20x7.10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 50V | 1.75A | - | 4 npn 달링턴 (쿼드) | 1.4V @ 2MA, 1.25A | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB85NF55T4 | 2.9200 | ![]() | 1837 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB85 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 10V | 8mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 3700 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | STB100NF03L-03T4 | 3.7600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ iii | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB100N | MOSFET (금속 (() | D2PAK | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3.2mohm @ 50a, 10V | 2.5V @ 250µA | 88 NC @ 5 v | ± 16V | 6200 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD57006st-e | - | ![]() | 2318 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | PowerSO-10RF 노출 된 바닥 패드 패드 (2 개의 직선 리드 리드) | PD57006 | 945MHz | LDMOS | PowerSO-10RF (직선 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | 1A | 70 MA | 6W | 15db | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS70FILM | - | ![]() | 6562 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS70 | Schottky | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 70 v | 1 V @ 15 ma | 10 µa @ 70 v | 150 ° C (°) | 70ma | 2pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH2R02AY | 0.4800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101, ECOPACK®2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | 기준 | SMA (DO-214AC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.04 V @ 2 a | 30 ns | 2.5 µa @ 200 v | 175 ° C | 2A | - |
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