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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 내구성 인증(암페어) 전류 - 유지(Ih)(최대) 테스트 조건 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 대책악 전압 - 꺼진 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) SCR 유형 모델 지수 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
T2550-12T STMicroelectronics T2550-12T 3.8100
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ECAD 1 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 스너비스™ 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 T2550 TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 50 하나의 60mA 터니스터 - 스너비스 1.2kV 25A 1.3V 240A, 252A 50mA
BC394 STMicroelectronics 394년 -
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ECAD 7799 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C (TJ) 스루홀 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 394년 400mW TO-18 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 1,000 180V 100mA 50nA(ICBO) NPN 400mV @ 5mA, 50mA 30 @ 10mA, 10V -
TN6050-12WL STMicroelectronics TN6050-12WL -
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ECAD 5563 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) TN6050 - REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-TN6050-12WL EAR99 8541.30.0080 600 1.2kV 60A 50mA 표준화된 치료
STD15N50M2AG STMicroelectronics STD15N50M2AG 1.9300
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ECAD 3088 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 자동차, AEC-Q101, MDmesh™ M2 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 성병15 MOSFET(금속) D-PAK (TO-252) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 500V 10A(TC) 10V 380m옴 @ 5A, 10V 4V @ 250μA 13nC @ 10V ±30V 100V에서 530pF - 85W(Tc)
STS4DPFS30L STMicroelectronics STS4DPFS30L -
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ECAD 4201 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 STripFET™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) STS4D MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 30V 5A(Tc) 4.5V, 10V 55m옴 @ 2.5A, 10V 2.5V @ 250μA 16nC @ 5V ±16V 1350pF @ 25V 쇼트키 다이오드(절연) 2.5W(Tc)
STL3N80K5 STMicroelectronics STL3N80K5 0.7650
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ECAD 4586 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 * 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 STL3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000
STB100N10F7 STMicroelectronics STB100N10F7 2.8500
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ECAD 3845 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 DeepGATE™, STripFET™ VII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB STB100 MOSFET(금속) D²PAK(TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 100V 80A(Tc) 10V 8m옴 @ 40A, 10V 250μA에서 4.5V 61nC @ 10V ±20V 50V에서 4369pF - 150W(Tc)
STGFW40V60F STMicroelectronics STGFW40V60F 3.8000
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ECAD 226 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 STGFW40 기준 62.5W TO-3PF 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 10옴, 15V 트렌치 필드스톱 600V 80A 160A 2.3V @ 15V, 40A 456μJ(켜짐), 411μJ(꺼짐) 226nC 52ns/208ns
MJE802 STMicroelectronics MJE802 -
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ECAD 1092 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-225AA, TO-126-3 MJE802 40W SOT-32 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 80V 4A 100nA NPN-달링턴 3V @ 40mA, 4A 750 @ 1.5A, 3V -
STPS41H100CG-TR STMicroelectronics STPS41H100CG-TR 2.6900
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ECAD 6257 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB STPS41 쇼트키 D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 100V 20A 800mV @ 20A 100V에서 10μA 175°C(최대)
STTH50W06SW STMicroelectronics STTH50W06SW -
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ECAD 9731 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-247-3 STTH50 기준 TO-247 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-13397 EAR99 8541.10.0080 30 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 2.4V @ 50A 45ns 600V에서 50μA 175°C(최대) 50A -
SCT30N120D2 STMicroelectronics SCT30N120D2 -
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ECAD 7067 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 쟁반 활동적인 -55°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 SCT30 SiCFET(탄화규소) HiP247™ - REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 490 N채널 1200V 40A(Tc) 20V 100m옴 @ 20A, 20V 3.5V @ 1mA 105nC @ 20V +25V, -10V 400V에서 1700pF - 270W(Tc)
SD57045 STMicroelectronics SD57045 88.4300
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ECAD 1964년 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 상자 활동적인 65V M243 SD57045 945MHz LDMOS M243 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 25 5A 250mA 45W 15dB - 28V
STL58N3LLH5 STMicroelectronics STL58N3LLH5 1.6000
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ECAD 6686 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 자동차, AEC-Q101, STripFET™ H5 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN STL58 MOSFET(금속) 파워플랫™(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 64A(티씨) 4.5V, 10V 9m옴 @ 7.5A, 10V 2.5V @ 250μA 10nC @ 4.5V +22V, -20V 25V에서 950pF - 4.8W(Ta), 62.5W(Tc)
STK800 STMicroelectronics STK800 2.6300
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ECAD 17 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 STripFET™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 PolarPak® STK8 MOSFET(금속) PolarPak® 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 20A(TC) 4.5V, 10V 7.8m옴 @ 10A, 10V 2.5V @ 250μA 13.4nC @ 4.5V ±16V 25V에서 1380pF - 5.2W(Tc)
STU16N65M5 STMicroelectronics STU16N65M5 4.1500
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ECAD 5 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ V 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA STU16N MOSFET(금속) TO-251(IPAK) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 75 N채널 650V 12A(TC) 10V 299m옴 @ 6A, 10V 5V @ 250μA 45nC @ 10V ±25V 100V에서 1250pF - 90W(Tc)
STF42N65M5 STMicroelectronics STF42N65M5 5.8557
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ECAD 1456 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ V 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 STF42 MOSFET(금속) TO-220FP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-8895-5 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 33A(티씨) 10V 79m옴 @ 16.5A, 10V 5V @ 250μA 100nC @ 10V ±25V 100V에서 4650pF - 40W(Tc)
STGB19NC60KT4 STMicroelectronics STGB19NC60KT4 2.7800
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ECAD 2 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 파워메쉬™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB STGB19 기준 125W D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 480V, 12A, 10옴, 15V - 600V 35A 75A 2.75V @ 15V, 12A 165μJ(켜짐), 255μJ(꺼짐) 55nC 30ns/105ns
PD57006S STMicroelectronics PD57006S -
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ECAD 7254 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 65V PowerSO-10옆형 하단 패드 PD57006 945MHz LDMOS 10-파워SO 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 1A 70mA 6W 15dB - 28V
STB55NF06LT4 STMicroelectronics STB55NF06LT4 2.1200
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ECAD 2141 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 STripFET™ II 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB STB55 MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 60V 55A(Tc) 10V, 5V 18m옴 @ 27.5A, 10V 250μA에서 4.7V 37nC @ 4.5V ±16V 25V에서 1700pF - 95W(Tc)
STV270N4F3 STMicroelectronics STV270N4F3 5.7400
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ECAD 7905 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 STripFET™ III 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 PowerSO-10옆형 하단 패드 STV270 MOSFET(금속) 10-파워SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 600 N채널 40V 270A(Tc) 10V 1.5m옴 @ 80A, 10V 4V @ 250μA 150nC @ 10V ±20V 25V에서 7500pF - 300W(Tc)
T405-600B STMicroelectronics T405-600B 1.3700
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ECAD 2 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 T405 DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 75 하나의 10mA 논리 - 기억카드 600V 4A 1.3V 30A, 31A 5mA
STPSC6H12B-TR1 STMicroelectronics STPSC6H12B-TR1 1.9398
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ECAD 5785 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 STPSC6 SiC(탄화규소) 쇼트키 DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 1200V 1.9V @ 6A 0ns 1200V에서 400μA -40°C ~ 175°C 6A 330pF @ 0V, 1MHz
PD85035STR-E STMicroelectronics PD85035STR-E 30.8300
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ECAD 9481 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 40V PowerSO-10RF옆형 하단 패드(직선 리드 2개) PD85035 870MHz LDMOS PowerSO-10RF(직선 리드) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. -1138-PD85035STR-ETR EAR99 8541.29.0095 600 8A 350mA 15W 17dB - 13.6V
STP35N60M2-EP STMicroelectronics STP35N60M2-EP 3.0791
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ECAD 6975 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ M2-EP 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 STP35 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 26A(TC) - - - ±25V - -
BTA12-600BW STMicroelectronics BTA12-600BW -
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ECAD 2871 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 스너비스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 BTA12 TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 250 하나의 50mA 터니스터 - 스너비스 600V 12A 1.3V 120A, 126A 50mA
STF36N60M6 STMicroelectronics STF36N60M6 6.3400
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ECAD 6727 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ M6 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 STF36 MOSFET(금속) TO-220FP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 30A(Tc) 10V 99m옴 @ 15A, 10V 250μA에서 4.75V 44.3nC @ 10V ±25V 100V에서 1960pF - 40W(Tc)
STGP12NB60KD STMicroelectronics STGP12NB60KD -
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ECAD 7592 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 파워메쉬™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 STGP12 기준 125W TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 480V, 12A, 10옴, 15V 80ns - 600V 30A 60A 2.8V @ 15V, 12A 258μJ(꺼짐) 54nC 25ns/96ns
SCT10N120 STMicroelectronics SCT10N120 11.7900
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ECAD 65 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 SCT10 SiCFET(탄화규소) HiP247™ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-16597-5 EAR99 8541.29.0095 100 N채널 1200V 12A(TC) 20V 690m옴 @ 6A, 20V 250μA에서 3.5V 22nC @ 20V +25V, -10V 400V에서 290pF - 150W(Tc)
STE48NM50 STMicroelectronics STE48NM50 30.5400
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ECAD 3141 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ 튜브 활동적인 150°C (TJ) 방역 동위원소 STE48 MOSFET(금속) ISOTOP® 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10 N채널 550V 48A(TC) 10V 100m옴 @ 24A, 10V 5V @ 250μA 117nC @ 10V ±30V 3700pF @ 25V - 450W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고