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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 - 최대 | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 테스트 테스트 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 트리 트리 유형 | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 저항 @ if, f | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
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AVS10CB | 2.6800 | ![]() | 986 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AVS10 | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 내부적으로 내부적으로 | 600 v | 8 a | 80a, 85a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGWA40N120KD | - | ![]() | 9704 | 0.00000000 | stmicroelectronics | PowerMesh ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STGWA40 | 기준 | 240 W. | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 960V, 30A, 10ohm, 15V | 84 ns | - | 1200 v | 80 a | 120 a | 3.85V @ 15V, 30A | 3.7mj (on), 5.7mj (OFF) | 126 NC | 48ns/338ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH8003CY | 10.7800 | ![]() | 508 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Q 자동차 | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STTH8003 | 기준 | Max247 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 30 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 300 v | 40a | 1.25 V @ 40 a | 60 ns | 80 µa @ 300 v | 175 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SD1275 | - | ![]() | 3567 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 상자 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 섀시, 마운트 스터드 | M135 | SD1275 | 70W | M135 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 40 | 9db | 16V | 8a | NPN | 20 @ 250ma, 5V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STFI260N6F6 | 4.3200 | ![]() | 297 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ vi | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-262-3 2 팩 팩, i²pak | STFI260N | MOSFET (금속 (() | I2PAKFP (TO-281) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 80A (TC) | 10V | 3MOHM @ 60A, 10V | 4V @ 250µA | 183 NC @ 10 v | ± 20V | 11400 pf @ 25 v | - | 41.7W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF18N55M5 | 3.2100 | ![]() | 142 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ v | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF18 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 550 v | 16A (TC) | 10V | 192mohm @ 8a, 10V | 5V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 25V | 1260 pf @ 100 v | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF2LN60K3 | - | ![]() | 898 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh3 ™ | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF2LN | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 2A (TC) | 10V | 4.5ohm @ 1a, 10V | 4.5V @ 50µA | 12 nc @ 10 v | ± 30V | 235 pf @ 50 v | - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD30NE06L | - | ![]() | 2837 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | std30n | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 30A (TC) | 5V, 10V | 28mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 41 NC @ 5 v | ± 20V | 2370 pf @ 25 v | - | 55W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STI24NM65N | - | ![]() | 5788 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | STI24N | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 19A (TC) | 10V | 190mohm @ 9.5a, 10V | 4V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 25V | 2500 pf @ 50 v | - | 160W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STPS20L120CT | - | ![]() | 4054 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STPS20 | Schottky | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 120 v | 10A | 860 mV @ 10 a | 120 µa @ 120 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TIP41CN | - | ![]() | 9495 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 팁 41 | 65 w | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-4635-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 100 v | 6 a | 700µA | NPN | 1.5V @ 600MA, 6A | 15 @ 3a, 4v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STH272N6F7-6AG | - | ![]() | 6103 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ F7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | STH272 | MOSFET (금속 (() | H2PAK-6 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 180A (TC) | 10V | 1.5mohm @ 90a, 10V | 4V @ 250µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 11000 pf @ 25 v | - | 333W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH3R04S | 0.9100 | ![]() | 17 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | STTH3 | 기준 | SMC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.5 V @ 3 a | 35 ns | 5 µa @ 400 v | 175 ° C (°) | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stw21nm60nd | 3.9451 | ![]() | 3862 | 0.00000000 | stmicroelectronics | FDMESH ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW21 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-8453-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 17A (TC) | 10V | 220mohm @ 8.5a, 10V | 5V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 25V | 1800 pf @ 50 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMV1500LFD5 | - | ![]() | 9799 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | to-220-3 3 팩 팩, 형성 된 리드 | DMV1500 | TO-220FPAB F5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-4195-5 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 810 | 4 a | - | 표준 -1 쌍 1 연결 | 1500V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BTB08-600CWRG | 1.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Snubberless ™ | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BTB08 | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 35 MA | 대안 - 너버리스 스 | 600 v | 8 a | 1.3 v | 80a, 84a | 35 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPS40SM120CTN | 2.9200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STPS40 | Schottky | to-220Ab 좁은 ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 120 v | 20A | 830 mv @ 20 a | 275 µa @ 120 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH6110TV2 | 23.5200 | ![]() | 3540 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 섀시 섀시 | 동위 동위 | STTH6110 | 기준 | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 2 독립 | 1000 v | 30A | 2 V @ 30 a | 100 ns | 15 µa @ 1000 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPSC20H065CW | 8.1000 | ![]() | 8150 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STPSC20 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 30 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 650 v | 10A | 1.75 V @ 10 a | 0 ns | 100 µa @ 650 v | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T405-600B | 1.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | T405 | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 75 | 하나의 | 10 MA | 논리 - 게이트 민감한 | 600 v | 4 a | 1.3 v | 30a, 31a | 5 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STX817A | - | ![]() | 4837 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 가방 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | STX817 | 900 MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 80 v | 1.5 a | 1MA | PNP | 500mv @ 100ma, 1a | 25 @ 1a, 2v | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STS6P3LLH6 | 1.2200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ vi | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | STS6P3 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 6A (TA) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 3a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 12 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1450 pf @ 24 v | - | 2.7W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD44H11T4 | 0.8300 | ![]() | 4271 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MJD44 | 20 W. | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 80 v | 8 a | 10µA | NPN | 1V @ 400MA, 8A | 40 @ 4a, 1v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPS20L45CT | 1.7400 | ![]() | 995 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STPS20 | Schottky | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 10A | 550 mV @ 10 a | 200 µa @ 45 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BDX53BFP | - | ![]() | 8809 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | BDX53 | 29 w | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 8 a | 500µA | npn-달링턴 | 2v @ 12ma, 3a | 750 @ 3a, 3v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW7N95K3 | 6.7000 | ![]() | 600 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh3 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | stw7n95 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 950 v | 7.2A (TC) | 10V | 1.35ohm @ 3.6a, 10V | 5V @ 100µa | 34 NC @ 10 v | ± 30V | 1031 pf @ 100 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2STR2215 | 0.3900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2STR | 500MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 15 v | 1.5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 850mv @ 200ma, 2a | 200 @ 500ma, 2v | - |
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