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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
STGW28IH125DF STMicroelectronics STGW28IH125DF 2.8914
RFQ
 ECAD 6452 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGW28 기준 375 w TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 1250 v 60 a 120 a 2.5V @ 15V, 25A 720µJ (OFF) 114 NC -/128ns
STPS20100CT STMicroelectronics STPS20100CT 1.8200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 STPS20100 Schottky TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-12289 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 950 MV @ 20 a 150 µa @ 100 v 175 ° C (°)
STGIB20M60TS-LZ STMicroelectronics STGIB20M60TS-LZ 16.7251
RFQ
 ECAD 6687 0.00000000 stmicroelectronics sllimm -2nd 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 26-powerdip ip (1.146 ", 29.10mm) IGBT STGIB20 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-STGIB20M60TS-LZ 귀 99 8542.39.0001 156 3 상 인버터 25 a 600 v 1600VRMS
L603C STMicroelectronics L603C -
RFQ
 ECAD 3006 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 -25 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 - L603 1.8W 18-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 90V 400ma - 8 npn 달링턴 2V @ 500µA, 300MA - -
MD2103DFP STMicroelectronics MD2103DFP 1.7100
RFQ
 ECAD 966 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MD2103 38 w TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 700 v 6 a 200µA NPN 1.8V @ 750MA, 3A 6.5 @ 3A, 5V -
STPS1170AFN STMicroelectronics STPS1170AFN -
RFQ
 ECAD 1723 0.00000000 stmicroelectronics Ecopack®2 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 STPS1170 Schottky Smaflat 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-STPS1170AFNTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 170 v 820 MV @ 1 a 1.5 µa @ 170 v 175 ° C (°) 1A -
STFH10N60M2 STMicroelectronics STFH10N60M2 1.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STFH10 MOSFET (금속 (() TO-220FPAB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 46 n 채널 600 v 7.5A (TC) 10V 600mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 13.5 nc @ 10 v ± 25V 400 pf @ 100 v - 25W (TC)
STTH16BC065CT STMicroelectronics STTH16BC065CT -
RFQ
 ECAD 8559 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 STTH16 기준 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 650 v 16A 3.2 v @ 8 a 40 ns -
STPS360AF STMicroelectronics STPS360AF 0.5200
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 STPS360 Schottky SOD128FLAT 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 610 mV @ 3 a 150 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C 3A -
STPS20SM100SR STMicroelectronics STPS20SM100SR -
RFQ
 ECAD 6989 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STPS20 Schottky i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 20 a 30 µa @ 100 v 150 ° C (°) 20A -
BUL58D STMicroelectronics bul58d 1.4400
RFQ
 ECAD 5378 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 bul58 85 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 450 v 8 a 200µA NPN 2v @ 1a, 5a 5 @ 5a, 5V -
STW32NM50N STMicroelectronics STW32NM50N 6.5000
RFQ
 ECAD 1658 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW32 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-13284-5 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 22A (TC) 10V 130mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 62.5 nc @ 10 v ± 25V 1973 PF @ 50 v - 190W (TC)
STIB1060DM2T-LZ STMicroelectronics STIB1060DM2T-LZ 13.2066
RFQ
 ECAD 6110 0.00000000 stmicroelectronics sllimm -2nd 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 26-powerdip ip (1.146 ", 29.10mm) MOSFET stib1060 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-STIB1060DM2T-LZ 귀 99 8542.39.0001 156 3 상 인버터 12.5 a 600 v 1600VRMS
STS7C4F30L STMicroelectronics STS7C4F30L -
RFQ
 ECAD 9714 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) STS7C4 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 7a, 4a 22mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 250µA 23NC @ 5V 1050pf @ 25v 논리 논리 게이트
ULN2075B STMicroelectronics ULN2075B 6.8600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 마지막으로 마지막으로 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-powerdip (0.300 ", 7.62mm) ULN2075 1W 16-powerdip (20x7.10) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 80V 1.75A - 4 npn 달링턴 (쿼드) 1.5V @ 2.25MA, 1.5A - -
T1635T-8G STMicroelectronics T1635T-8G 0.5159
RFQ
 ECAD 4277 0.00000000 stmicroelectronics Snubberless ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB T1635 d²pak 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2,000 하나의 45 MA 대안 - 너버리스 스 800 v 16 a 1.3 v 120a, 126a 35 MA
STLD257N4F7AG STMicroelectronics STLD257N4F7AG 2.1585
RFQ
 ECAD 1715 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ F7 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn STLD257 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) 듀얼 측 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-STLD257N4F7AG 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 120A (TC) 6.5V, 10V 1.1MOHM @ 60A, 10V 4V @ 250µA 66.5 nc @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v - 158W (TC)
STPR820D STMicroelectronics STPR820D -
RFQ
 ECAD 5985 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 STPR820 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.25 V @ 16 a 30 ns 50 µa @ 200 v 150 ° C (°) 8a -
STP65N045M9 STMicroelectronics STP65N045M9 6.6693
RFQ
 ECAD 6839 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP65N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 497-STP65N045M9 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 55A (TC) 10V 45mohm @ 28a, 10V 4.2V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 30V 4610 pf @ 400 v - 245W (TC)
BTA04-700SRG STMicroelectronics BTA04-700SRG -
RFQ
 ECAD 8268 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BTA04 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 25 MA 논리 - 게이트 민감한 700 v 4 a 1.5 v 40a, 42a 10 MA
BYW51-200 STMicroelectronics BYW51-200 -
RFQ
 ECAD 2698 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 BYW51 기준 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 850 mV @ 8 a 35 ns 15 µa @ 200 v 150 ° C (°)
FERD40U50CFP STMicroelectronics FERD40U50CFP 1.8500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 ferd40 ferd (효과 필드 정류기 정류기 다이오드) TO-220FPAB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 20A 490 mV @ 20 a 800 µa @ 50 v 175 ° C (°)
STD95N4F3 STMicroelectronics STD95N4F3 1.9400
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ iii 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD95 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 110W (TC)
STB30NF20 STMicroelectronics STB30NF20 2.5900
RFQ
 ECAD 5705 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB30 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 30A (TC) 10V 75mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1597 pf @ 25 v - 125W (TC)
Z0107NN 5AA4 STMicroelectronics Z0107NN 5AA4 0.9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA Z0107 SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 10 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 1 a 1.3 v 8A, 8.5A 5 MA
STTH15S12W STMicroelectronics STTH15S12W -
RFQ
 ECAD 5221 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-247-2 (7 리드) STTH15S 기준 DO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-15568-5 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 3.1 v @ 15 a 40 ns 10 µa @ 1200 v 175 ° C (°) 15a -
STTH3R06S STMicroelectronics STTH3R06S 0.6100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC STTH3 기준 SMC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 3 a 35 ns 3 µa @ 600 v 175 ° C (°) 3A -
STB18NM60ND STMicroelectronics STB18NM60nd 5.5900
RFQ
 ECAD 4467 0.00000000 stmicroelectronics FDMESH ™ II 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB18 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 290mohm @ 6.5a, 10V 5V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 25V 1030 pf @ 50 v - 110W (TC)
STB3N62K3 STMicroelectronics STB3N62K3 1.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh3 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB3N MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 620 v 2.7A (TC) 10V 2.5ohm @ 1.4a, 10V 4.5V @ 50µA 13 nc @ 10 v ± 30V 385 pf @ 25 v - 45W (TC)
BAT54FILM STMicroelectronics Bat54film 0.4100
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 900 mv @ 100 ma 5 ns 1 µa @ 30 v -40 ° C ~ 150 ° C 300ma 10pf @ 1v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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