| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 테스트 조건 | 현재의 | 전압 | 전압 - 절연 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 대책악 | 전압 - 꺼짐 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 전압 - 온상태(Vtm)(최대) | 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) | 현재 - 일시적 상태(최대) | SCR 유형 | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP2NK100Z | 3.2500 | ![]() | 439 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP2NK100 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 1000V | 1.85A(Tc) | 10V | 8.5옴 @ 900mA, 10V | 50μA에서 4.5V | 16nC @ 10V | ±30V | 499pF @ 25V | - | 70W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL18N60M2 | 1.2230 | ![]() | 1348 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ II 플러스 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | STL18 | MOSFET(금속) | PowerFlat™(5x6) HV | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 600V | 9A(TC) | 10V | 308m옴 @ 4.5A, 10V | 4V @ 250μA | 21.5nC @ 10V | ±25V | 100V에서 791pF | - | 57W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH10LCD06CG-TR | - | ![]() | 4503 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STTH10 | 기준 | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍씩 시작됩니다 | 600V | 5A | 2V @ 5A | 50ns | 600V에서 1μA | 175°C(최대) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP40NF10 | 2.5000 | ![]() | 4849 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ II | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP40 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 100V | 50A(Tc) | 10V | 28m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 250μA | 62nC @ 10V | ±20V | 2180pF @ 25V | - | 150W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STD60NF55LAT4 | 1.8300 | ![]() | 36 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101, SuperFET® II | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 성병60 | MOSFET(금속) | D-PAK (TO-252) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 55V | 60A(Tc) | 5V, 10V | 15m옴 @ 30A, 10V | 2V @ 250μA | 40nC @ 5V | ±15V | 1950pF @ 25V | - | 110W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2STW4466 | - | ![]() | 1504 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | 2STW | 60W | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 80V | 6A | 100nA(ICBO) | NPN | 1.5V @ 600mA, 6A | 50 @ 2A, 4V | 20MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP60NH2LL | - | ![]() | 1376 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP60N | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 24V | 40A(Tc) | 4.5V, 10V | 11m옴 @ 20A, 10V | 1V @ 250μA | 27nC @ 4.5V | ±18V | 25V에서 990pF | - | 60W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2222A | - | ![]() | 3249 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N22 | 500mW | TO-18 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 40V | 600mA | 10nA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA, 150mA | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ST2310FX | - | ![]() | 2989 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | ISOWATT218FX | ST2310 | 65W | ISOWATT-218FX | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 300 | 600V | 12A | 1mA | NPN | 3V @ 1.75A, 7A | 6.5 @ 7A, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD9NM50N-1 | - | ![]() | 1448 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | 성병9 | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 500V | 5A(Tc) | 10V | 560m옴 @ 3.7A, 10V | 4V @ 250μA | 20nC @ 10V | ±25V | 570pF @ 50V | - | 70W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BTB12-600TWRG | 1.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | BTB12 | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 10mA | 논리 - 기억카드 | 600V | 12A | 1.3V | 120A, 126A | 5mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP20N60M2-EP | 1.1551 | ![]() | 8280 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ M2-EP | 튜브 | 활동적인 | - | 스루홀 | TO-220-3 | STP20 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 600V | 13A(티씨) | 10V | - | - | ±25V | - | 110W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN2015H-6FP | 1.2600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 마지막 구매 | -40°C ~ 150°C | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TN2015 | TO-220FPAB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 50mA | 600V | 20A | 1.3V | 180A, 197A | 15mA | 1.6V | 12.7A | 5μA | 표준화된 치료 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2STW100 | 2.8800 | ![]() | 260 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | 2STW100 | 130W | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-11084-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 80V | 25A | 500μA | NPN-달링턴 | 3.5V @ 80mA, 20A | 500 @ 10A, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW30NF20 | - | ![]() | 1037 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STW30N | MOSFET(금속) | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-5989-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 200V | 30A(Tc) | 10V | 75m옴 @ 15A, 10V | 4V @ 250μA | 38nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1597pF | - | 125W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ULQ2003D1013TRY | 1.0200 | ![]() | 45 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ULQ2003 | - | 16-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 50V | 500mA | - | 7 NPN 달링턴 | 1.6V @ 500μA, 350mA | 1000 @ 350mA, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP7NK30Z | - | ![]() | 7366 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP7N | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 300V | 5A(Tc) | 10V | 900m옴 @ 2.5A, 10V | 50μA에서 4.5V | 13nC @ 10V | ±30V | 380pF @ 25V | - | 50W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP3LN62K3 | 0.9800 | ![]() | 964 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬3™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP3LN | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 620V | 2.5A(Tc) | 10V | 3옴 @ 1.25A, 10V | 50μA에서 4.5V | 17nC @ 10V | ±30V | 50V에서 386pF | - | 45W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW45N65M5 | 9.1900 | ![]() | 341 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ V | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STW45 | MOSFET(금속) | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-12938-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 650V | 35A(Tc) | 10V | 78m옴 @ 19.5A, 10V | 5V @ 250μA | 91nC @ 10V | ±20V | 100V에서 3375pF | - | 210W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL60P4LLF6 | 1.6400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ F6 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | STL60 | MOSFET(금속) | 파워플랫™(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 40V | 60A(Tc) | 4.5V, 10V | 14m옴 @ 6.5A, 10V | 1V @ 250μA(최소) | 34nC @ 4.5V | ±20V | 3525pF @ 25V | - | 100W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STK30N2LLH5 | - | ![]() | 2526 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ V | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PolarPak® | STK30 | MOSFET(금속) | PolarPak® | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 25V | 30A(Tc) | 4.5V, 10V | 2.9m옴 @ 15A, 10V | 2.5V @ 250μA | 18nC @ 4.5V | ±20V | 2290pF @ 25V | - | 5.2W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD55NH2LLT4 | - | ![]() | 1488 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | STD55N | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 24V | 40A(Tc) | 4.5V, 10V | 11m옴 @ 20A, 10V | 1V @ 250μA | 11nC @ 4.5V | ±16V | 25V에서 990pF | - | 60W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGWA75M65DF2 | 7.2800 | ![]() | 82 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 중 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STGWA75 | 기준 | 468W | TO-247 긴 리드 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-16975 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 75A, 3.3옴, 15V | 165ns | 트렌치 필드스톱 | 650V | 120A | 225A | 2.1V @ 15V, 75A | 690μJ(켜짐), 2.54mJ(꺼짐) | 225nC | 47ns/125ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STH80N10F7-2 | - | ![]() | 8007 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | DeepGATE™, STripFET™ VII | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STH80N | MOSFET(금속) | H2Pak-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 100V | 80A(Tc) | 10V | 9.5m옴 @ 40A, 10V | 250μA에서 4.5V | 45nC @ 10V | ±20V | 50V에서 3100pF | - | 110W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD50NH02LT4 | - | ![]() | 3404 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ III | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | STD50N | MOSFET(금속) | DPAK | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 24V | 50A(Tc) | 5V, 10V | 10.5m옴 @ 25A, 10V | 250μA에서 1.8V | 24nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1400pF | - | 60W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPSC4H065B-TR | 2.1400 | ![]() | 1842년 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | STPSC4 | SiC(탄화규소) 쇼트키 | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 복구 시간 없음 > 500mA(Io) | 650V | 1.75V @ 4A | 0ns | 650V에서 40μA | -40°C ~ 175°C | 4A | 200pF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STU25N10F7 | - | ![]() | 7237 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ F7 | 튜브 | 활동적인 | - | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | STU25 | MOSFET(금속) | 아이팩 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 100V | 25A | 4.5V, 10V | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGIPS10K60A2 | - | ![]() | 1455 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | SLLIMM™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | 25-PowerDIP 모듈(0.993", 25.23mm) | IGBT | STGIPS10 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 11 | 3상 | 10A | 600V | 2500Vrms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGD3NB60HDT4 | - | ![]() | 6388 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 파워메쉬™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | STGD3 | 기준 | 50W | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 480V, 3A, 10옴, 15V | 95ns | - | 600V | 10A | 24A | 2.8V @ 15V, 3A | 33μJ(꺼짐) | 21nC | 5ns/53ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW70N10F4 | - | ![]() | 6911 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | DeepGATE™, STripFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STW70N | MOSFET(금속) | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-8797-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 100V | 65A(Tc) | 10V | 19.5m옴 @ 30A, 10V | 4V @ 250μA | 85nC @ 10V | ±20V | 5800pF @ 25V | - | 150W(Tc) |

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