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디스크리트 반도체(6390)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	에	기본 제품 번호	입력하다	그들	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	내구성 인증(암페어)	전류 - 유지(Ih)(최대)	테스트 조건	전력 - 출력	얻다	현재의	전압	전압 - 절연	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	적극적 활동	전압 - 꺼짐 상태	현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대)	전압 - 수채화(Vgt)(최대)	현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm)	메모리 - 메모리(Igt)(최대)	모델 지수	다이오 구성	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C	전압 - 테스트	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
STW50N65DM6	9.2200	보상요청	8855	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ DM6	튜브	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3		STW50			MOSFET(금속)		TO-247 긴 리드	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-STW50N65DM6	EAR99	8541.29.0095	30			N채널									650V	33A(티씨)	10V	91m옴 @ 16.5A, 10V	250μA에서 4.75V	52.5nC @ 10V	±25V	100V에서 52500pF	-	250W(Tc)
STW77N65M5	17.7300	보상요청	565	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ V	튜브	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3		STW77			MOSFET(금속)		TO-247-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	30			N채널									650V	69A(Tc)	10V	38m옴 @ 34.5A, 10V	5V @ 250μA	200nC @ 10V	25V	100V에서 9800pF	-	400W(Tc)
BD711	-	보상요청	1577년	ST마이크로일렉트로닉스	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		BD711				75W	TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-6963-5	EAR99	8541.29.0095	50																																							100V	12A							100mA	NPN	1V @ 400mA, 4A	15 @ 4A, 4V	3MHz
STTH60L06CW	5.2100	보상요청	941	ST마이크로일렉트로닉스	-	튜브	활동적인			스루홀	TO-247-3		STTH60			기준		TO-247-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	30		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																											1쌍씩 시작됩니다	600V	40A	1.55V @ 30A	90ns	600V에서 25μA	175°C(최대)
STGIPS40W60L1	-	보상요청	4604	ST마이크로일렉트로닉스	SLLIMM™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우			스루홀	22-PowerDIP 모듈(0.993", 25.23mm)	IGBT	STGIPS40						다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	11	1상								40A	600V	2500Vrms
STP15N95K5	4.8100	보상요청	9213	ST마이크로일렉트로닉스	슈퍼메쉬5™	튜브	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		STP15			MOSFET(금속)		TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널									950V	12A(TC)	10V	500m옴 @ 6A, 10V	100μA에서 5V	40nC @ 10V	±30V	100V에서 900pF	-	170W(Tc)
STB11N65M5	1.1903	보상요청	2151	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ V	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		STB11			MOSFET(금속)		D²PAK(TO-263)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000			N채널									650V	9A(TC)	10V	480m옴 @ 4.5A, 10V	5V @ 250μA	17nC @ 10V	±25V	100V에서 644pF	-	85W(Tc)
STGFW30NC60V	6.4500	보상요청	279	ST마이크로일렉트로닉스	파워메쉬™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩		STGFW30	기준			80W	TO-3PF	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	30						390V, 20A, 3.3옴, 15V																																-	600V	36A	100A	2.5V @ 15V, 20A	220μJ(켜짐), 330μJ(꺼짐)	100nC	31ns/100ns
STD95N4LF3	1.8700	보상요청	8	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™ III	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		성병95			MOSFET(금속)		DPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널									40V	80A(Tc)	5V, 10V	6m옴 @ 40A, 10V	2.5V @ 250μA	70nC @ 10V	±16V	2500pF @ 25V	-	110W(Tc)
STGB20NB37LZT4	-	보상요청	1912년	ST마이크로일렉트로닉스	파워메쉬™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		STGB20	기준			200W	D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-6567-1	EAR99	8541.29.0095	1,000						250V, 20A, 1k옴, 4.5V																																-	425V	40A	80A	2V @ 4.5V, 20A	11.8mJ(꺼짐)	51nC	2.3μs/2μs
STN2NE10L	-	보상요청	3412	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA		STN2N			MOSFET(금속)		SOT-223	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	4,000			N채널									100V	1.8A(Tc)	5V, 10V	400m옴 @ 1A, 10V	3V @ 250μA	14nC @ 5V	±20V	345pF @ 25V	-	2.5W(Tc)
STD4NK80ZT4	1.9100	보상요청	2	ST마이크로일렉트로닉스	슈퍼메쉬™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		STD4NK80			MOSFET(금속)		DPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널									800V	3A(TC)	10V	3.5옴 @ 1.5A, 10V	50μA에서 4.5V	22.5nC @ 10V	±30V	575pF @ 25V	-	80W(Tc)
SCTW35N65G2VAG	19.4800	보상요청	2835	ST마이크로일렉트로닉스	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인		-55°C ~ 200°C (TJ)	스루홀	TO-247-3		SCTW35			SiCFET(탄화규소)		HiP247™	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-SCTW35N65G2VAG	EAR99	8541.29.0095	30			N채널									650V	45A(Tc)	18V, 20V	67m옴 @ 20A, 20V	5V @ 1mA	73nC @ 20V	+22V, -10V	400V에서 1370pF	-	240W(Tc)
STL3NM60N	2.4000	보상요청	9	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ II	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN		STL3NM60			MOSFET(금속)		파워플랫™(3.3x3.3)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-13351-2	EAR99	8541.29.0095	3,000			N채널									600V	650mA(Ta), 2.2A(Tc)	10V	1.8옴 @ 1A, 10V	4V @ 250μA	9.5nC @ 10V	±25V	50V에서 188pF	-	2W(Ta), 22W(Tc)
TXDV1212RG	3.4100	보상요청	1	ST마이크로일렉트로닉스	-	튜브	활동적인		-40°C ~ 125°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩		TXDV1212					TO-220AB	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.30.0080	50	하나의				100mA																	기준	1.2kV	12A	1.5V	120A, 125A	100mA
STPS30S45CW	-	보상요청	9360	ST마이크로일렉트로닉스	*	튜브	활동적인						STPS30						-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	600
STAC250V2-500E	-	보상요청	2889	ST마이크로일렉트로닉스	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	900V			STAC177B		STAC250		27MHz	MOSFET		STAC177B	-	ROHS3 준수	해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	25	N채널			-			3.5W	21.5dB																				-																		150V
BD241C	0.6800	보상요청	2	ST마이크로일렉트로닉스	-	튜브	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		BD241				40W	TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-12139	EAR99	8541.29.0095	50																																							100V	3A							300μA	NPN	1.2V @ 600mA, 3A	10 @ 3A, 4V	-
STD3NK80Z-1	1.9700	보상요청	2408	ST마이크로일렉트로닉스	슈퍼메쉬™	튜브	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA		STD3NK80			MOSFET(금속)		TO-251(IPAK)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	75			N채널									800V	2.5A(Tc)	10V	4.5옴 @ 1.25A, 10V	50μA에서 4.5V	19nC @ 10V	±30V	25V에서 485pF	-	70W(Tc)
BTA06-400TRG	-	보상요청	3829	ST마이크로일렉트로닉스	-	튜브	활동적인		-40°C ~ 125°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		BTA06					TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.30.0080	50	하나의				10mA																	논리 - 기억카드	400V	6A	1.3V	60A, 63A	5mA
STP25N60M2-EP	2.8900	보상요청	23	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ M2-EP	튜브	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		STP25			MOSFET(금속)		TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-15892-5	EAR99	8541.29.0095	50			N채널									600V	18A(TC)	10V	188m옴 @ 9A, 10V	250μA에서 4.75V	29nC @ 10V	±25V	1090pF @ 100V	-	150W(Tc)
STB16PF06LT4	-	보상요청	9357	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		STB16P			MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000			P채널									60V	16A(티씨)	5V, 10V	125m옴 @ 8A, 10V	1.5V @ 100μA	15.5nC @ 4.5V	±16V	25V에서 630pF	-	70W(Tc)
STW60NM50N	17.9700	보상요청	5	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ II	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3		STW60N			MOSFET(금속)		TO-247-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	30			N채널									500V	68A(Tc)	10V	43m옴 @ 34A, 10V	4V @ 250μA	178nC @ 10V	±25V	5790pF @ 100V	-	446W(Tc)
STPS40M80CG-TR	1.7000	보상요청	2223	ST마이크로일렉트로닉스	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		STPS40			쇼트키		D²PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	1,000		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																											1쌍씩 시작됩니다	80V	20A	735mV @ 20A		80V에서 65μA	175°C(최대)
STTH30AC06CPF	2.9200	보상요청	580	ST마이크로일렉트로닉스	-	튜브	활동적인			스루홀	TO-3PF		STTH30			기준		TO-3PF	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	30		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																											1쌍씩 시작됩니다	600V	15A	1.95V @ 15A	55ns	600V에서 10μA	-65°C ~ 175°C
STPSC12H065D	4.9500	보상요청	979	ST마이크로일렉트로닉스	-	튜브	활동적인			스루홀	TO-220-2		STPSC12			SiC(탄화규소) 쇼트키		TO-220AC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	50		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																												650V		1.75V @ 12A		650V에서 120μA	-40°C ~ 175°C	12A	600pF @ 0V, 1MHz
STD90N02L-1	-	보상요청	1527	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™ III	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA		성병 90			MOSFET(금속)		아이팩	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	75			N채널									25V	60A(Tc)	5V, 10V	6m옴 @ 30A, 10V	250μA에서 1.8V	22nC @ 5V	±20V	2050pF @ 16V	-	70W(Tc)
STL24N60M6	1.7879	보상요청	3917	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ M6	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN		STL24			MOSFET(금속)		PowerFlat™(8x8) HV	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000			N채널									600V	15A(Tc)	10V	209m옴 @ 8.5A, 10V	250μA에서 4.75V	23nC @ 10V	±25V	100V에서 960pF	-	109W(Tc)
HD1750JL	-	보상요청	5105	ST마이크로일렉트로닉스	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-264-3, TO-264AA		HD1750				200W	TO-264	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	25																																							800V	24A							200μA	NPN	3V @ 3A, 12A	5.5 @ 12A, 5V	-
STB14NK60ZT4	4.6000	보상요청	7069	ST마이크로일렉트로닉스	슈퍼메쉬™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		STB14			MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000			N채널									600V	13.5A(Tc)	10V	500m옴 @ 6A, 10V	100μA에서 4.5V	75nC @ 10V	±30V	2220pF @ 25V	-	160W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(6390)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²