| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 테스트 조건 | 전력 - 출력 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 적극적 활동 | 전압 - 꺼짐 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 전압 - 온상태(Vtm)(최대) | 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) | 현재 - 일시적 상태(최대) | SCR 유형 | 모델 지수 | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STB11N65M5 | 1.1903 | ![]() | 2151 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ V | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STB11 | MOSFET(금속) | D²PAK(TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 650V | 9A(TC) | 10V | 480m옴 @ 4.5A, 10V | 5V @ 250μA | 17nC @ 10V | ±25V | 100V에서 644pF | - | 85W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGFW30NC60V | 6.4500 | ![]() | 279 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 파워메쉬™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3 풀팩 | STGFW30 | 기준 | 80W | TO-3PF | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 390V, 20A, 3.3옴, 15V | - | 600V | 36A | 100A | 2.5V @ 15V, 20A | 220μJ(켜짐), 330μJ(꺼짐) | 100nC | 31ns/100ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD95N4LF3 | 1.8700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ III | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 성병95 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 40V | 80A(Tc) | 5V, 10V | 6m옴 @ 40A, 10V | 2.5V @ 250μA | 70nC @ 10V | ±16V | 2500pF @ 25V | - | 110W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGB20NB37LZT4 | - | ![]() | 1912년 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 파워메쉬™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STGB20 | 기준 | 200W | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-6567-1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 250V, 20A, 1k옴, 4.5V | - | 425V | 40A | 80A | 2V @ 4.5V, 20A | 11.8mJ(꺼짐) | 51nC | 2.3μs/2μs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STN2NE10L | - | ![]() | 3412 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | STN2N | MOSFET(금속) | SOT-223 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 100V | 1.8A(Tc) | 5V, 10V | 400m옴 @ 1A, 10V | 3V @ 250μA | 14nC @ 5V | ±20V | 345pF @ 25V | - | 2.5W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD4NK80ZT4 | 1.9100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | STD4NK80 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 800V | 3A(TC) | 10V | 3.5옴 @ 1.5A, 10V | 50μA에서 4.5V | 22.5nC @ 10V | ±30V | 575pF @ 25V | - | 80W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCTW35N65G2VAG | 19.4800 | ![]() | 2835 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 200°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | SCTW35 | SiCFET(탄화규소) | HiP247™ | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-SCTW35N65G2VAG | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 650V | 45A(Tc) | 18V, 20V | 67m옴 @ 20A, 20V | 5V @ 1mA | 73nC @ 20V | +22V, -10V | 400V에서 1370pF | - | 240W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL3NM60N | 2.4000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ II | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | STL3NM60 | MOSFET(금속) | 파워플랫™(3.3x3.3) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-13351-2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 600V | 650mA(Ta), 2.2A(Tc) | 10V | 1.8옴 @ 1A, 10V | 4V @ 250μA | 9.5nC @ 10V | ±25V | 50V에서 188pF | - | 2W(Ta), 22W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TXDV1212RG | 3.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TXDV1212 | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 100mA | 기준 | 1.2kV | 12A | 1.5V | 120A, 125A | 100mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS30S45CW | - | ![]() | 9360 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | * | 튜브 | 활동적인 | STPS30 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STAC250V2-500E | - | ![]() | 2889 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 900V | STAC177B | STAC250 | 27MHz | MOSFET | STAC177B | - | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N채널 | - | 3.5W | 21.5dB | - | 150V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BD241C | 0.6800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | BD241 | 40W | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-12139 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 100V | 3A | 300μA | NPN | 1.2V @ 600mA, 3A | 10 @ 3A, 4V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD3NK80Z-1 | 1.9700 | ![]() | 2408 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | STD3NK80 | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 800V | 2.5A(Tc) | 10V | 4.5옴 @ 1.25A, 10V | 50μA에서 4.5V | 19nC @ 10V | ±30V | 25V에서 485pF | - | 70W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP25N60M2-EP | 2.8900 | ![]() | 23 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ M2-EP | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP25 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-15892-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 18A(TC) | 10V | 188m옴 @ 9A, 10V | 250μA에서 4.75V | 29nC @ 10V | ±25V | 1090pF @ 100V | - | 150W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB16PF06LT4 | - | ![]() | 9357 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STB16P | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P채널 | 60V | 16A(티씨) | 5V, 10V | 125m옴 @ 8A, 10V | 1.5V @ 100μA | 15.5nC @ 4.5V | ±16V | 25V에서 630pF | - | 70W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW60NM50N | 17.9700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ II | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STW60N | MOSFET(금속) | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 500V | 68A(Tc) | 10V | 43m옴 @ 34A, 10V | 4V @ 250μA | 178nC @ 10V | ±25V | 5790pF @ 100V | - | 446W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS40M80CG-TR | 1.7000 | ![]() | 2223 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STPS40 | 쇼트키 | D²PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍씩 시작됩니다 | 80V | 20A | 735mV @ 20A | 80V에서 65μA | 175°C(최대) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH30AC06CPF | 2.9200 | ![]() | 580 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | TO-3PF | STTH30 | 기준 | TO-3PF | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍씩 시작됩니다 | 600V | 15A | 1.95V @ 15A | 55ns | 600V에서 10μA | -65°C ~ 175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPSC12H065D | 4.9500 | ![]() | 979 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-2 | STPSC12 | SiC(탄화규소) 쇼트키 | TO-220AC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 650V | 1.75V @ 12A | 650V에서 120μA | -40°C ~ 175°C | 12A | 600pF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD90N02L-1 | - | ![]() | 1527 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ III | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | 성병 90 | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 25V | 60A(Tc) | 5V, 10V | 6m옴 @ 30A, 10V | 250μA에서 1.8V | 22nC @ 5V | ±20V | 2050pF @ 16V | - | 70W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STL24N60M6 | 1.7879 | ![]() | 3917 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ M6 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | STL24 | MOSFET(금속) | PowerFlat™(8x8) HV | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 600V | 15A(Tc) | 10V | 209m옴 @ 8.5A, 10V | 250μA에서 4.75V | 23nC @ 10V | ±25V | 100V에서 960pF | - | 109W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HD1750JL | - | ![]() | 5105 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-264-3, TO-264AA | HD1750 | 200W | TO-264 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 800V | 24A | 200μA | NPN | 3V @ 3A, 12A | 5.5 @ 12A, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB14NK60ZT4 | 4.6000 | ![]() | 7069 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STB14 | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 600V | 13.5A(Tc) | 10V | 500m옴 @ 6A, 10V | 100μA에서 4.5V | 75nC @ 10V | ±30V | 2220pF @ 25V | - | 160W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH60P03SW | 3.7100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | TO-247-3 | STTH60 | 기준 | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-4416-5 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 300V | 1.5V @ 30A | 300V에서 100μA | 175°C(최대) | 60A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPSC10H12D | 6.5500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 에코팩®2 | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-2 | STPSC10 | SiC(탄화규소) 쇼트키 | TO-220AC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-16955 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 복구 시간 없음 > 500mA(Io) | 1200V | 1.5V @ 10A | 0ns | 60μA @ 1200V | -40°C ~ 175°C | 10A | 725pF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL66N3LLH5 | 1.6400 | ![]() | 3632 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101, STripFET™ V | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장, 일부 | 8-PowerVDFN | STL66 | MOSFET(금속) | 파워플랫™(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 80A(Tc) | 4.5V, 10V | 5.8m옴 @ 10.5A, 10V | 3V @ 250μA | 12nC @ 4.5V | ±22V | 25V에서 1500pF | - | 72W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN2540-600G | - | ![]() | 5721 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 125°C | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | TN2540 | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 50mA | 600V | 25A | 1.3V | 300A, 314A | 40mA | 1.6V | 16A | 5μA | 표준화된 치료 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STE180NE10 | - | ![]() | 1025 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 동위원소 | STE1 | MOSFET(금속) | ISOTOP® | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | N채널 | 100V | 180A(Tc) | 10V | 6옴 @ 40A, 10V | 4V @ 250μA | 795nC @ 10V | ±20V | 21000pF @ 25V | - | 360W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW15N95K5 | - | ![]() | 2839 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬5™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STW15 | MOSFET(금속) | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 950V | 12A(TC) | 10V | 500m옴 @ 6A, 10V | 100μA에서 5V | 40nC @ 10V | ±30V | 100V에서 900pF | - | 170W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP75N3LLH6 | 1.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | DeepGATE™, STripFET™ VI | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP75N | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 30V | 75A(Tc) | 4.5V, 10V | 5.9m옴 @ 37.5A, 10V | 2.5V @ 250μA | 23.8nC @ 4.5V | ±20V | 2030pF @ 25V | - | 60W(Tc) |

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