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불연속 불연속 제품 (6390)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 -홀드 (ih) (최대) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
STP80N600K6 STMicroelectronics STP80N600K6 2.5400
RFQ
 ECAD 2046 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP80 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 497-STP80N600K6 50 n 채널 800 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10V 4V @ 100µa 10.7 NC @ 10 v ± 30V 540 pf @ 400 v - 86W (TC)
ACST4-7SB-TR STMicroelectronics ACST4-7SB-TR -
RFQ
 ECAD 2881 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ACST4 DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2,500 하나의 35 MA 기준 700 v 4 a 1.1 v 30A, 33A 25 MA
TN6050HP-12WY STMicroelectronics TN6050HP-12WY 6.4500
RFQ
 ECAD 850 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, ECOPACK®2 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 TN6050 TO-247-3 - ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-TN6050HP-12WY 귀 99 8541.30.0080 30 100 MA 1.2kV 60 a 1.3 v 600A, 660A 50 MA 1.5 v 38 a 5 µA 표준 표준
STTH15RQ06GY-TR STMicroelectronics STTH15RQ06GY-TR 1.7800
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STTH15 기준 d²pak 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-17598-1 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.95 V @ 15 a 50 ns 20 µa @ 600 v -40 ° C ~ 175 ° C 15a -
STTH30L06PI STMicroelectronics STTH30L06PI -
RFQ
 ECAD 4709 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 dop3i-2 2 (직선 리드) STTH30 기준 DOP3I 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-4630-5 귀 99 8541.10.0080 600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.55 V @ 30 a 90 ns 25 µa @ 600 v 175 ° C (°) 30A -
STPSC10065D STMicroelectronics STPSC10065D 3.6600
RFQ
 ECAD 890 0.00000000 stmicroelectronics Ecopack®2 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 STPSC10065 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-17624 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.45 V @ 10 a 0 ns 130 µa @ 650 v -40 ° C ~ 175 ° C 10A 670pf @ 0V, 1MHz
T1235H-6I STMicroelectronics T1235H-6I 1.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics Snubberless ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 T1235 TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 35 MA 대안 - 너버리스 스 600 v 12 a 1 v 120a, 126a 35 MA
TIP36CP STMicroelectronics tip36cp -
RFQ
 ECAD 7506 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 36 125 w to-3p 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 100 v 25 a 1MA PNP 4V @ 5A, 25A 10 @ 15a, 4v 3MHz
ULQ2003D1013TRY STMicroelectronics ULQ2003D1013 트리 1.0200
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ULQ2003 - 16- 형의 행위 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 50V 500ma - 7 npn 달링턴 1.6V @ 500µa, 350ma 1000 @ 350MA, 2V -
STGE50NC60VD STMicroelectronics stge50nc60vd -
RFQ
 ECAD 8007 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 STGE50 260 W. 기준 동위 동위 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 - 600 v 90 a 2.5V @ 15V, 40A 150 µA 아니요 4.55 NF @ 25 v
PD20015S-E STMicroelectronics PD20015S-E -
RFQ
 ECAD 9456 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 40 v Powerso-10 0 바닥 패드 PD20015 2GHz LDMOS PowerSO-10RF (직선 리드) - ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 7a 350 MA 15W 11db - 13.6 v
STPS61L45CW STMicroelectronics STPS61L45CW 2.8700
RFQ
 ECAD 566 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 STPS61 Schottky TO-247-3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 30A 560 mV @ 30 a 1.5 ma @ 45 v 150 ° C (°)
STIPQ3M60T-HZ STMicroelectronics stipq3m60t-hz 7.1275
RFQ
 ECAD 5021 0.00000000 stmicroelectronics SLLIMM ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 26-powerdip ip (0.846 ", 21.48mm) MOSFET stipq3 다운로드 ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 360 3 상 인버터 3 a 600 v 1500VRMS
TN1610H-6T STMicroelectronics TN1610H-6T 1.1100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 TN1610 TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-15951-5 귀 99 8541.30.0080 50 30 MA 600 v 16 a 1.3 v 140a, 153a 10 MA 1.6 v 10 a 5 µA 표준 표준
STTH8R03DJF-TR STMicroelectronics STTH8R03DJF-TR 2.0600
RFQ
 ECAD 9035 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powervdfn STTH8 기준 Powerflat ™ (5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 V @ 8 a 50 ns 40 µa @ 300 v 175 ° C (°) 8a -
STT13005FP STMicroelectronics STT13005FP 0.9200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics - 가방 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 STT13 30 w SOT-32FP 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 400 v 2 a 250µA NPN 1.5V @ 400MA, 1.6A 10 @ 500ma, 5V -
STTH5R06FP STMicroelectronics STTH5R06FP 1.3500
RFQ
 ECAD 673 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 STTH5 기준 TO-220FPAC 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.9 V @ 5 a 40 ns 20 µa @ 600 v 175 ° C (°) 5a -
FERD40H100SG-TR STMicroelectronics FERD40H100SG-TR 1.8300
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB ferd40 ferd (효과 필드 정류기 정류기 다이오드) d²pak 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 705 mV @ 40 a 190 µa @ 100 v 175 ° C (°) 40a -
STTH102 STMicroelectronics STTH102 0.4400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 stmicroelectronics - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 STTH102 기준 DO-41 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 970 MV @ 1 a 20 ns 1 µa @ 200 v 175 ° C (°) 1A -
BTB08-800CWRG STMicroelectronics BTB08-800CWRG 0.4337
RFQ
 ECAD 6586 0.00000000 stmicroelectronics Snubberless ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BTB08 TO-220 - ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 497-BTB08-800CWRG 귀 99 8541.30.0080 2,000 하나의 35 MA 대안 - 너버리스 스 800 v 8 a 1.2 v 80a, 84a 35 MA
STTH10LCD06SB-TR STMicroelectronics STTH10LCD06SB-TR -
RFQ
 ECAD 3922 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STTH10 기준 DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2 v @ 10 a 50 ns 5 µa @ 600 v 175 ° C (°) 10A -
SD2942W STMicroelectronics SD2942W 163.3500
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 130 v M244 SD2942 175MHz MOSFET M244 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 n 채널 40a 500 MA 350W 17dB - 50 v
STX13004-AP STMicroelectronics STX13004-AP -
RFQ
 ECAD 7029 0.00000000 stmicroelectronics - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 STX13004 2.5 w TO-92AP 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 400 v 2 a 1MA NPN 1V @ 500MA, 2A 10 @ 1a, 5V -
STD38NH02LT4 STMicroelectronics STD38NH02LT4 -
RFQ
 ECAD 1292 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ iii 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD38 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 24 v 38A (TC) 5V, 10V 13.5mohm @ 19a, 10V 2.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1070 pf @ 25 v - 40W (TC)
STD6N52K3 STMicroelectronics STD6N52K3 1.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh3 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD6 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 525 v 5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.5a, 10V 4.5V @ 100µa ± 30V - 70W (TC)
BUT11A STMicroelectronics but11a -
RFQ
 ECAD 1144 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 but11 83 w TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-12152 귀 99 8541.29.0095 50 450 v 5 a 1MA NPN 1.5v @ 500ma, 2.5a 10 @ 500ma, 5V -
T1235-6B-TR STMicroelectronics T1235-6B-TR 0.4337
RFQ
 ECAD 8331 0.00000000 stmicroelectronics Snubberless ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB T1235 d²pak - ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 497-T1235-6B-TR 귀 99 8541.30.0080 2,500 하나의 35 MA 대안 - 너버리스 스 600 v 12 a 1.3 v 120a, 126a 35 MA
BAT54CWFILM STMicroelectronics Bat54cwfilm 0.3800
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 Bat54 Schottky SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 300MA (DC) 900 mv @ 100 ma 5 ns 1 µa @ 30 v -40 ° C ~ 150 ° C
STB8NM60T4 STMicroelectronics STB8NM60T4 3.3900
RFQ
 ECAD 6183 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB8NM60 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 8A (TC) 10V 1ohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 30V 400 pf @ 25 v - 100W (TC)
STH200N10WF7-2 STMicroelectronics STH200N10WF7-2 6.9100
RFQ
 ECAD 4503 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() H2PAK-2 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 180A (TC) 10V 4MOHM @ 90A, 10V 4.5V @ 250µA 93 NC @ 10 v ± 20V 4430 pf @ 25 v - 340W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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