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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 그들 기술 파워 - 파워 입력 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 내구성 인증(암페어) 테스트 조건 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 모델 지수(dB 일반 @ f)
STF5N62K3 STMicroelectronics STF5N62K3 2.4700
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ECAD 976 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 슈퍼메쉬3™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 STF5N62 MOSFET(금속) TO-220FP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 620V 4.2A(Tc) 10V 1.6옴 @ 2.1A, 10V 50μA에서 4.5V 26nC @ 10V ±30V 50V에서 680pF - 25W(Tc)
2STN1360 STMicroelectronics 2STN1360 0.5900
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ECAD 2 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA 2STN1360 1.6W SOT-223 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 60V 3A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 150mA, 3A 160 @ 1A, 2V 130MHz
STGF30V60DF STMicroelectronics STGF30V60DF -
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ECAD 2704 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 활동적인 STGF30 - ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50
2STW200 STMicroelectronics 2STW200 -
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ECAD 8912 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 2STW200 130W TO-247-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-12127 EAR99 8541.29.0095 30 80V 25A 500μA PNP-달링턴 3.5V @ 80mA, 20A 500 @ 10A, 3V -
2STX1360-AP STMicroelectronics 2STX1360-AP -
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ECAD 7540 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 2STX 1W TO-92AP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 60V 3A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 150mA, 3A 160 @ 1A, 2V 130MHz
STW68N65DM6 STMicroelectronics STW68N65DM6 7.7157
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ECAD 5334 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 STW68 MOSFET(금속) TO-247-3 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-STW68N65DM6 EAR99 8541.29.0095 600 N채널 650V 55A(Tc) 10V 59m옴 @ 24A, 10V 250μA에서 4.75V 80nC @ 10V ±25V 100V에서 3528pF - 431W(Tc)
STB18NM60N STMicroelectronics STB18NM60N -
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ECAD 3908 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ II 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB STB18N MOSFET(금속) D²PAK(TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 13A(티씨) 10V 285m옴 @ 6.5A, 10V 4V @ 250μA 35nC @ 10V ±25V 50V에서 1000pF - 110W(Tc)
STD7NM64N STMicroelectronics STD7NM64N 2.0700
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ECAD 2 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ II 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 성병7 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 640V 5A(Tc) 10V 1.05옴 @ 2.5A, 10V 4V @ 250μA 14nC @ 10V ±25V 50V에서 363pF - 60W(Tc)
STTH5R06G-TR STMicroelectronics STTH5R06G-TR -
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ECAD 1989년 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB STTH5R06 기준 D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 2.9V @ 5A 40ns 600V에서 20μA 175°C(최대) 5A -
STU8NM60ND STMicroelectronics STU8NM60ND -
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ECAD 6379 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 FD메시™ II 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA STU8N MOSFET(금속) TO-251(IPAK) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 75 N채널 600V 7A(TC) 10V 700m옴 @ 3.5A, 10V 5V @ 250μA 22nC @ 10V ±30V 50V에서 560pF - 70W(Tc)
STTH1210DI STMicroelectronics STTH1210DI 3.0900
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ECAD 14 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-2 절연, TO-220AC STTH1210 기준 TO-220AC 입력 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-5149-5 EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1000V 2V @ 12A 90ns 1000V에서 10μA 175°C(최대) 12A -
STD46N6F7 STMicroelectronics STD46N6F7 -
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ECAD 1954년 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 STripFET™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 성병46 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 15A(Tc) 10V 14mΩ @ 7.5A, 10V 4V @ 250μA 17nC @ 10V ±20V 30V에서 1065pF - 60W(Tc)
STW38N65M5 STMicroelectronics STW38N65M5 7.6200
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ECAD 1092 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ V 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 STW38 MOSFET(금속) TO-247-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 30A(Tc) 10V 95m옴 @ 15A, 10V 5V @ 250μA 71nC @ 10V ±25V 100V에서 3000pF - 190W(Tc)
STB80NF55-08T4 STMicroelectronics STB80NF55-08T4 -
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ECAD 6945 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 STripFET™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB STB80N MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 55V 80A(Tc) 10V 8m옴 @ 40A, 10V 4V @ 250μA 155nC @ 10V ±20V 3850pF @ 25V - 300W(Tc)
PD54008-E STMicroelectronics PD54008-E 14.7400
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ECAD 7042 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 활동적인 25V PowerSO-10옆형 하단 패드 PD54008 500MHz LDMOS 10-파워SO 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 5A 150mA 8W 11.5dB - 7.5V
STP150NF55 STMicroelectronics STP150NF55 3.7700
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ECAD 7434 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 STripFET™ II 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 STP150 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-6117-5 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 55V 120A(Tc) 10V 6m옴 @ 60A, 10V 4V @ 250μA 190nC @ 10V ±20V 25V에서 4400pF - 300W(Tc)
STF5N52K3 STMicroelectronics STF5N52K3 1.7700
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ECAD 738 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 슈퍼메쉬3™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 STF5N MOSFET(금속) TO-220FP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 525V 4.4A(Tc) 10V 1.5옴 @ 2.2A, 10V 50μA에서 4.5V 17nC @ 10V ±30V 100V에서 545pF - 25W(Tc)
STPS30L60CFP STMicroelectronics STPS30L60CFP -
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ECAD 5727 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-3 풀팩 STPS30L60 쇼트키 TO-220FP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍씩 시작됩니다 60V 15A 600mV @ 15A 60V에서 480μA 150°C(최대)
STX83003 STMicroelectronics STX83003 0.5900
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ECAD 360 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 가방 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) STX83003 1.5W TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 400V 1A 1mA NPN 1V @ 50mA, 350mA 16 @ 350mA, 5V -
STGE50NC60WD STMicroelectronics STGE50NC60WD -
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ECAD 7071 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 파워메쉬™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 방역 SOT-227-4, 미니블록 STGE50 260W 기준 동위원소 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-8781-5 EAR99 8541.29.0095 10 하나의 - 600V 100A 2.6V @ 15V, 40A 500μA 아니요 25V에서 4.7nF
STGW45HF60WDI STMicroelectronics STGW45HF60WDI -
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ECAD 1412 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 STGW45 기준 250W TO-247 긴 리드 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-10402-5 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 4.7옴, 15V 90ns - 600V 70A 150A 2.5V @ 15V, 30A 330μJ(꺼짐) 160nC -/145ns
STP23NM60ND STMicroelectronics STP23NM60ND -
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ECAD 3069 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 FD메시™ II 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 STP23N MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 19.5A(Tc) 10V 180m옴 @ 10A, 10V 5V @ 250μA 69nC @ 10V ±25V 50V에서 2100pF - 150W(Tc)
TIP33C STMicroelectronics TIP33C -
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ECAD 4905 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 TIP33 80W TO-247-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 100V 10A 700μA NPN 4V @ 2.5A, 10A 20 @ 3A, 4V 3MHz
STF724 STMicroelectronics STF724 -
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ECAD 2067 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 TO-243AA STF724 1.4W SOT-89-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 30V 3A 100μA NPN 1.1V @ 150mA, 3A 100 @ 100mA, 2V 100MHz
STPS1H100U STMicroelectronics STPS1H100U 0.4700
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ECAD 2 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 DO-214AA, SMB STPS1 쇼트키 건축 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 100V 770mV @ 1A 100V에서 4μA 175°C(최대) 1A -
STB20N90K5 STMicroelectronics STB20N90K5 6.7300
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ECAD 995 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB STB20 MOSFET(금속) D²PAK(TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 900V 20A(TC) 10V 250m옴 @ 10A, 10V 100μA에서 5V 40nC @ 10V ±30V 100V에서 1500pF - 250W(Tc)
SD1477 STMicroelectronics SD1477 -
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ECAD 6289 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 200°C (TJ) 표면 실장 M111 SD1477 270W M111 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 25 6dB 18V 20A NPN 10 @ 5A, 5V - -
STL12P6F6 STMicroelectronics STL12P6F6 1.1100
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ECAD 5 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 DeepGATE™, STripFET™ VI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN STL12 MOSFET(금속) 파워플랫™(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 60V 4A(TC) 10V 160m옴 @ 1.5A, 10V 4V @ 250μA 6.4nC @ 10V ±20V 48V에서 340pF - 75W(Tc)
STB11NM60T4 STMicroelectronics STB11NM60T4 4.4200
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ECAD 6612 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB STB11 MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 650V 11A(티씨) 10V 450m옴 @ 5.5A, 10V 5V @ 250μA 30nC @ 10V ±30V 25V에서 1000pF - 160W(Tc)
STL65DN3LLH5 STMicroelectronics STL65DN3LLH5 -
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ECAD 3639 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 STripFET™ V 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN STL65 MOSFET(금속) 60W 파워플랫™(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 30V 65A 6.5m옴 @ 9.5A, 10V 250μA에서 1.5V 12nC @ 4.5V 1500pF @ 25V 게임 레벨 레벨
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고