| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 그들 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | 현재 - 출력 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 테스트 조건 | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 대책악 | 전압 - 꺼진 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 전압 - 온상태(Vtm)(최대) | 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) | 현재 - 일시적 상태(최대) | SCR 유형 | 전압 - 브레이크오버 | 모델 지수 | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 현재 - 현재 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| T610H-6T | 0.4269 | ![]() | 5905 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | T610 | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 2,000 | 하나의 | 25mA | 논리 - 기억카드 | 600V | 6A | 1V | 60A, 63A | 10mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2102 | - | ![]() | 4588 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N21 | 1W | TO-39 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 65V | 1A | 2nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 15mA, 150mA | 40 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1620-600W | - | ![]() | 3401 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 스너비스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 스루홀 | ISOWATT220AB-3 | T1620 | ISOWATT220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 35mA | 터니스터 - 스너비스 | 600V | 16A | 1.3V | 200A, 218A | 20mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | X0402MF 0AA2 | - | ![]() | 5463 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 125°C | 스루홀 | TO-202 탭 없음 | X0402 | TO-202-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 5mA | 600V | 1.35A | 800mV | 30A, 33A | 200μA | 1.8V | 900mA | 5μA | 프로세서 카드보드 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS61H100CWY | 2.2800 | ![]() | 1560 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | TO-247-3 | STPS61 | 쇼트키 | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-STPS61H100CWY | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍의 세션이 시작됩니다 | 100V | 30A | 810mV @ 30A | 100V에서 16μA | -40°C ~ 175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN4050HA-12GY-TR | 3.0200 | ![]() | 765 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | TN4050 | D²PAK | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 100mA | 1.2kV | 40A | 1.3V | 400A, 438A | 50mA | 1.55V | 25A | 3μA | 표준화된 치료 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| T3050H-6T | 2.3000 | ![]() | 985 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 스너비스™ | 튜브 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | T3050 | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 75mA | 터니스터 - 스너비스 | 600V | 30A | 1V | 270A, 284A | 50mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJE172 | - | ![]() | 6278 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | MJE172 | 12.5W | SOT-32-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 80V | 3A | 100nA(ICBO) | PNP | 1.7V @ 600mA, 3A | 50 @ 100mA, 1V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STTH112RL | 0.6400 | ![]() | 60 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 스루홀 | DO-204AL, DO-41, 축방향 | STTH112 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1200V | 1.9V @ 1A | 75ns | 1200V에서 5μA | 175°C(최대) | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STFW12N120K5 | 12.5700 | ![]() | 6100 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ K5 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3 풀팩 | STFW12 | MOSFET(금속) | TO-3PF | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 300 | N채널 | 1200V | 12A(TC) | 10V | 690m옴 @ 6A, 10V | 100μA에서 5V | 44.2nC @ 10V | ±30V | 100V에서 1370pF | - | 63W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TMMDB3 | 0.6000 | ![]() | 129 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 125°C (TJ) | DO-213AA | TMMDB3 | 미니멜프 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 2,500 | 2A | 28~36V | 50μA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STPS1545CT | 0.9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-3 | STPS1545 | 쇼트키 | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍의 세션이 시작됩니다 | 45V | 7.5A | 570mV @ 7.5A | 45V에서 100μA | 175°C(최대) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STWA40N95DK5 | 16.6700 | ![]() | 586 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ DK5 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C | 스루홀 | TO-247-3 | STWA40 | MOSFET(금속) | TO-247 긴 리드 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-17224 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 950V | 38A(Tc) | 10V | 130m옴 @ 19A, 10V | 100μA에서 5V | 100nC @ 10V | ±30V | 100V에서 3480pF | - | 450W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS820-600FP | 1.8500 | ![]() | 880 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TS820 | TO-220FPAB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 5mA | 600V | 8A | 800mV | 70A, 73A | 200μA | 1.6V | 5A | 5μA | 프로세서 카드보드 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH100W06CW | 7.2400 | ![]() | 16 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | TO-247-3 | STTH100 | 기준 | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍의 세션이 시작됩니다 | 600V | 50A | 1.45V @ 50A | 75ns | 600V에서 20μA | 175°C(최대) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD57018 | - | ![]() | 5466 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | PowerSO-10옆형 하단 패드 | PD57018 | 945MHz | LDMOS | 10-파워SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 2.5A | 100mA | 18W | 16.5dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STQ1NC45R-AP | 0.6200 | ![]() | 8528 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬™ | 컷테이프(CT) | 활동적인 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | STQ1NC45 | MOSFET(금속) | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 450V | 500mA(Tc) | 10V | 4.5옴 @ 500mA, 10V | 250μA에서 3.7V | 7nC @ 10V | ±30V | 25V에서 160pF | - | 3.1W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD3LN80K5 | 1.5200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | STD3LN80 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 800V | 2A(TC) | 10V | 3.25옴 @ 1A, 10V | 100μA에서 5V | 2.63nC @ 10V | ±30V | 102pF @ 100V | - | 45W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD7N65M2 | 1.7100 | ![]() | 73 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 성병7N65 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 650V | 5A(Tc) | 10V | 1.15옴 @ 2.5A, 10V | 4V @ 250μA | 9nC @ 10V | ±25V | 100V에서 270pF | - | 60W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2STA2121 | 4.4500 | ![]() | 245 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-264-3, TO-264AA | 2STA | 220W | TO-264 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 250V | 17A | 5μA(ICBO) | PNP | 3V @ 800mA, 8A | 80 @ 1A, 5V | 25MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGW19NC60HD | 3.2600 | ![]() | 7698 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 파워메쉬™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STGW19 | 기준 | 140W | TO-247 긴 리드 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 390V, 12A, 10옴, 15V | 31ns | - | 600V | 42A | 60A | 2.5V @ 15V, 12A | 85μJ(켜짐), 189μJ(꺼짐) | 53nC | 25ns/97ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | L6221CD | - | ![]() | 5224 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 20-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) | L6221 | - | 20-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | 60V | 1.2A | - | 4 NPN 달링턴(쿼드) | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STS9P2UH7 | - | ![]() | 4400 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | STS9P | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P채널 | 20V | 9A(TC) | 1.5V, 4.5V | 22.5m옴 @ 4.5A, 4.5V | 1V @ 250μA | 22nC @ 4.5V | ±8V | 16V에서 2390pF | - | 2.7W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | X0402NE 1AA2 | - | ![]() | 1026 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 125°C | 스루홀 | TO-202 롱탭 | X0402 | TO-202 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-4506 | EAR99 | 8541.30.0080 | 250 | 5mA | 800V | 1.35A | 800mV | 30A, 33A | 200μA | 1.8V | 900mA | 5μA | 프로세서 카드보드 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD12N50DM2 | 1.9400 | ![]() | 1669년 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ DM2 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 성병12 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 500V | 11A(티씨) | 10V | 350m옴 @ 5.5A, 10V | 5V @ 250μA | 16nC @ 10V | ±25V | 100V에서 628pF | - | 110W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF6NK70Z | - | ![]() | 9953 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | STF6N | MOSFET(금속) | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 700V | 5A(Tc) | 10V | 1.8옴 @ 2.5A, 10V | 100μA에서 4.5V | 47nC @ 10V | ±30V | 25V에서 930pF | - | 30W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD30NE06LT4 | - | ![]() | 6843 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | STD30N | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 60V | 30A(Tc) | 5V, 10V | 28m옴 @ 15A, 10V | 2.5V @ 250μA | 41nC @ 5V | ±20V | 2370pF @ 25V | - | 55W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL325N4LF8AG | 3.1200 | ![]() | 4546 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | * | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | STL325 | - | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-STL325N4LF8AGTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW12NM60N | - | ![]() | 1631년 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STW12N | MOSFET(금속) | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | N채널 | 600V | 10A(TC) | 10V | 410m옴 @ 5A, 10V | 4V @ 250μA | 30.5nC @ 10V | ±25V | 50V에서 960pF | - | 90W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD18N55M5 | 3.0800 | ![]() | 9299 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ V | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 성병18 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 550V | 16A(티씨) | 10V | 192m옴 @ 8A, 10V | 5V @ 250μA | 31nC @ 10V | ±25V | 100V에서 1260pF | - | 110W(Tc) |

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