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불연속 불연속 제품 (6390)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
STK20N75F3 STMicroelectronics STK20N75F3 -
RFQ
 ECAD 6950 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 Polarpak® STK20 MOSFET (금속 (() Polarpak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 75 v 20A (TC) 10V 7mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 20V 3150 pf @ 25 v - 5.2W (TC)
P0102MN 5AA4 STMicroelectronics P0102MN 5AA4 0.7000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA P0102 SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1,000 5 MA 600 v 800 MA 800 MV 7a, 8a 200 µA 1.95 v 500 MA 10 µA 민감한 민감한
ACST830-8T STMicroelectronics ACST830-8T 1.5700
RFQ
 ECAD 5535 0.00000000 stmicroelectronics ACS ™/ASD® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 ACST830 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 30 MA 기준 800 v 8 a 1 v 80a, 84a 30 MA
Z0103NA 2AL2 STMicroelectronics Z0103NA 2AL2 0.8700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 stmicroelectronics - 컷 컷 (CT) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 Z0103 To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2,000 하나의 7 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 1 a 1.3 v 8A, 8.5A 3 MA
STTH8ST06DI STMicroelectronics STTH8ST06DI 2.3200
RFQ
 ECAD 995 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 절연, TO-220AC STTH8 기준 TO-220AC INS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 3.4 v @ 8 a 17 ns 6 µa @ 600 v -40 ° C ~ 175 ° C 8a -
STD8N60DM2 STMicroelectronics std8n60dm2 1.6200
RFQ
 ECAD 4613 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD8 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 8A (TC) 10V 600mohm @ 4a, 10V 5V @ 100µa 13.5 nc @ 10 v ± 30V 375 pf @ 100 v - 85W (TC)
STP4NK50ZD STMicroelectronics STP4NK50ZD -
RFQ
 ECAD 7564 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP4N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 3A (TC) 10V 2.7ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 50µA 12 nc @ 10 v ± 30V 310 pf @ 25 v - 45W (TC)
PD55008TR-E STMicroelectronics PD55008tr-e 14.7400
RFQ
 ECAD 8319 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 40 v PowerSO-10RF 노출 된 바닥 패드 패드 (2 개의 형성 된 리드 리드) PD55008 500MHz LDMOS PowerSO-10RF (형성) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 600 4a 150 MA 8W 17dB - 12.5 v
STTH5L06RL STMicroelectronics STTH5L06RL 1.3800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 STTH5 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,900 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 V @ 5 a 95 ns 5 µa @ 600 v 175 ° C (°) 5a -
BU806 STMicroelectronics BU806 -
RFQ
 ECAD 8542 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BU806 60 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 200 v 8 a 100µA npn-달링턴 1.5V @ 50MA, 5A - -
BAT30WFILM STMicroelectronics Bat30wfilm -
RFQ
 ECAD 9893 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAT30 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 530 mV @ 300 mA 5 µa @ 30 v 150 ° C (°) 300ma 22pf @ 0V, 1MHz
2STW1693 STMicroelectronics 2stw1693 -
RFQ
 ECAD 2078 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 2stw 60 W. TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 80 v 6 a 100NA (ICBO) PNP 1.5V @ 600MA, 6A 50 @ 2a, 4v 20MHz
BUL49D STMicroelectronics bul49d 0.8400
RFQ
 ECAD 2444 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 bul49 80 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 450 v 5 a 100µA NPN 1.2v @ 800ma, 4a 4 @ 7a, 10V -
STW220NF75 STMicroelectronics STW220NF75 -
RFQ
 ECAD 3806 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW220 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-4124-5 귀 99 8541.29.0095 600 n 채널 75 v 120A (TC) 10V 4.4mohm @ 60a, 10V 4V @ 250µA 430 nc @ 10 v ± 20V 12500 pf @ 25 v - 500W (TC)
LET9060C STMicroelectronics let9060c -
RFQ
 ECAD 2036 0.00000000 stmicroelectronics - 상자 쓸모없는 80 v M243 let9060 945MHz LDMOS M243 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 12a 400 MA 75W 18db - 28 v
STL60N32N3LL STMicroelectronics stl60n32n3ll -
RFQ
 ECAD 7975 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL60 MOSFET (금속 (() 23W, 50W Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 비대칭 30V 32A, 60A 9.2MOHM @ 6.8A, 10V 1V @ 1µA 6.6NC @ 4.5V 950pf @ 25V 논리 논리 게이트
STF8N60DM2 STMicroelectronics STF8N60DM2 0.7737
RFQ
 ECAD 4646 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF8 MOSFET (금속 (() TO-220FPAB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 8A (TC) 10V 600mohm @ 4a, 10V 5V @ 250µA 13.5 nc @ 10 v ± 25V 449 pf @ 100 v - 25W (TC)
STPS20H100CGY-TR STMicroelectronics STPS20H100CGY-TR 1.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STPS20 Schottky d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 770 MV @ 10 a 4.5 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C
STP33N60M6 STMicroelectronics STP33N60M6 4.9500
RFQ
 ECAD 3061 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M6 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP33 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-18250 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 125mohm @ 12.5a, 10V 4.75V @ 250µA 33.4 NC @ 10 v ± 25V 1515 pf @ 100 v - 190W (TC)
TYN804RG STMicroelectronics Tyn804RG 1.5800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 Tyn804 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 30 MA 800 v 4 a 1.5 v 63A, 60A 15 MA 1.8 v 2.5 a 10 µA 표준 표준
T1610T-8G STMicroelectronics T1610T-8G 0.5583
RFQ
 ECAD 8351 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB T1610 d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2,000 하나의 25 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 16 a 1.3 v 120a, 126a 10 MA
ACS108-8TN-TR STMicroelectronics ACS108-8TN-TR 0.6000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 stmicroelectronics ACS ™/ASD® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ACS108 SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 10 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 800 MA 1 v 13a, 13.7a 5 MA
L6221CD STMicroelectronics L6221CD -
RFQ
 ECAD 5224 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) L6221 - 20- 의자 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 60V 1.2A - 4 npn 달링턴 (쿼드) - - -
STPS30SM120STN STMicroelectronics STPS30SM120STN 1.9500
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 STPS30 Schottky to-220Ab 좁은 ab 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 950 MV @ 30 a 275 µa @ 120 v 150 ° C (°) 30A -
T1635-800G-TR STMicroelectronics T1635-800G-TR 2.6800
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 stmicroelectronics Snubberless ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB T1635 D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 35 MA 대안 - 너버리스 스 800 v 16 a 1.3 v 160a, 168a 35 MA
STL128DN STMicroelectronics STL128DN -
RFQ
 ECAD 2137 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STL128 60 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400 v 4 a 250µA NPN 1V @ 400MA, 2A 10 @ 10ma, 5V -
STPS30M60D STMicroelectronics STPS30M60D -
RFQ
 ECAD 5023 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 STPS30 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-12321 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 605 MV @ 20 a 165 µa @ 60 v 150 ° C (°) 30A -
STL45N65M5 STMicroelectronics STL45N65M5 8.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL45 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 3.8A (TA), 22.5A (TC) 10V 86mohm @ 14.5a, 10V 5V @ 250µA 82 NC @ 10 v ± 25V 3470 pf @ 100 v - 2.8W (TA), 160W (TC)
SMBYW01-200 STMicroelectronics SMBYW01-200 -
RFQ
 ECAD 9504 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB smbyw 기준 SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 1 a 35 ns 3 µa @ 200 v 150 ° C (°) 1A -
STGWT20H65FB STMicroelectronics STGWT20H65FB 3.3300
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 STGWT20 기준 168 w to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 40 a 80 a 2V @ 15V, 20A 77µJ (on), 170µJ (OFF) 120 NC 30ns/139ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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