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디스크리트 반도체(6390)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	에	기본 제품 번호	입력하다	그들	기술	파워 - 파워	입력	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	내구성 인증(암페어)	전류 - 유지(Ih)(최대)	테스트 조건	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	현재의	전압	전압 - 절연	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	대책악	전압 - 꺼진 상태	현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대)	전압 - 수채화(Vgt)(최대)	현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm)	메모리 - 메모리(Igt)(최대)	모델 지수	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	관리요금	Td(켜기/끄기) @ 25°C	전압 - 테스트	- 컬렉터 컷오프(최대)	NTC 서미스터	입력 커패시턴스(Cies) @ Vce	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
Z0410MF 1AA2	-	보상요청	5282	ST마이크로일렉트로닉스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-40°C ~ 125°C (TJ)	스루홀	TO-202 탭 없음		Z0410						TO-202-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.30.0080	250	하나의				25mA																		기준	600V	4A	1.3V	20A, 21A	25mA
BTA16-800BRG	2.4700	보상요청	357	ST마이크로일렉트로닉스	-	쟁반	활동적인		-40°C ~ 125°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		BTA16						TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.30.0080	50	하나의				50mA																		기준	800V	16A	1.3V	160A, 168A	50mA
STL325N4LF8AG	3.1200	보상요청	4546	ST마이크로일렉트로닉스	*	테이프 및 릴리(TR)	활동적인						STL325							-	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-STL325N4LF8AGTR	EAR99	8541.29.0095	3,000
STP20NF06	-	보상요청	5875	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™ II	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		STP20N			MOSFET(금속)			TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널										60V	20A(TC)	10V	70m옴 @ 10A, 10V	4V @ 250μA	18nC @ 10V	±20V	25V에서 400pF	-	60W(Tc)
STP21NM60ND	-	보상요청	5937	ST마이크로일렉트로닉스	FD메시™ II	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		STP21N			MOSFET(금속)			TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널										600V	17A(TC)	10V	220m옴 @ 8.5A, 10V	5V @ 250μA	60nC @ 10V	±25V	50V에서 1800pF	-	140W(Tc)
BC141-10	-	보상요청	5468	ST마이크로일렉트로닉스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-	스루홀	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔		141년				650mW		TO-39	-	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	500																																						60V	1A							100nA			NPN	1V @ 100mA, 1A	100 @ 100mA, 1V	50MHz
STGIPQ4C60T-HL	7.0031	보상요청	1183	ST마이크로일렉트로닉스	SLLIMM 나노 - 2위	대부분	활동적인			스루홀	26-DIP 모듈	IGBT	STGIPQ4							-	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-STGIPQ4C60T-HL	EAR99	8542.39.0001	360	3상 인버터									6A	600V	1500Vrms
STD18N55M5	3.0800	보상요청	9299	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ V	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		성병18			MOSFET(금속)			DPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널										550V	16A(티씨)	10V	192m옴 @ 8A, 10V	5V @ 250μA	31nC @ 10V	±25V	100V에서 1260pF	-	110W(Tc)
STPST10H100SF	0.9200	보상요청	9556	ST마이크로일렉트로닉스	에코팩®2	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	TO-277, 3-PowerDFN					쇼트키			TO-277A(SMPC)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	6,000		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																												100V	10A에서 700mV		100V에서 26μA	175°C	10A	-
STO67N60M6	7.3000	보상요청	7401	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ M6	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerSFN		STO67			MOSFET(금속)			처리료(HV)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-STO67N60M6TR	EAR99	8541.29.0095	1,800			N채널										600V	34A(티씨)	10V	54m옴 @ 26A, 10V	250μA에서 4.75V	72.5nC @ 10V	±25V	100V에서 3400pF	-	150W(Tc)
STP2N105K5	-	보상요청	9238	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ K5	튜브	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		STP2N105			MOSFET(금속)			TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널										1050V	1.5A(Tc)	10V	8옴 @ 750mA, 10V	100μA에서 5V	10nC @ 10V	±30V	100V에서 115pF	-	60W(Tc)
A2P75S12M3-F	82.9000	보상요청	5058	ST마이크로일렉트로닉스	-	쟁반	활동적인		-40°C ~ 150°C (TJ)	방역	기준기준		A2P75				454.5W	기준	에이스팩™ 2	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-17745	EAR99	8541.29.0095	18	삼상인버터																																				트렌치 필드스톱	1200V	75A		2.3V @ 15V, 75A					100μA	예	25V에서 4.7nF
STP80PF55	-	보상요청	2782	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™ II	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		STP80P			MOSFET(금속)			TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			P채널										55V	80A(Tc)	10V	18m옴 @ 40A, 10V	4V @ 250μA	258nC @ 10V	±16V	25V에서 5500pF	-	300W(Tc)
STD30NE06LT4	-	보상요청	6843	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		STD30N			MOSFET(금속)			DPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널										60V	30A(Tc)	5V, 10V	28m옴 @ 15A, 10V	2.5V @ 250μA	41nC @ 5V	±20V	2370pF @ 25V	-	55W(Tc)
SD4931	74.0316	보상요청	6897	ST마이크로일렉트로닉스	-	쟁반	활동적인	200V			M174		SD4931		175MHz	MOSFET			M174	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-10701	EAR99	8541.29.0095	25	N채널			20A			250mA	150W	14.8dB																				-																50V
STP7N52DK3	-	보상요청	5425	ST마이크로일렉트로닉스	SuperFREDmesh3™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		STP7N			MOSFET(금속)			TO-220	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널										525V	6A(TC)	10V	1.15옴 @ 3A, 10V	50μA에서 4.5V	33nC @ 10V	±30V	50V에서 870pF	-	90W(Tc)
STI175N4F6AG	-	보상요청	7980	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™ F6	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA		STI175N			MOSFET(금속)			I2PAK(TO-262)	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000			N채널										40V	120A(Tc)	10V	2.7m옴 @ 60A, 10V	250μA에서 4.5V	130nC @ 10V	±20V	20V에서 7735pF	-	190W(Tc)
BTA26-700BRG	6.7000	보상요청	6071	ST마이크로일렉트로닉스	-	튜브	활동적인		-40°C ~ 125°C (TJ)	스루홀	TOP-3 절연		BTA26						TOP3	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.30.0080	30	하나의				80mA																		기준	700V	25A	1.3V	250A, 260A	50mA
STP30N65DM6AG	3.5574	보상요청	4016	ST마이크로일렉트로닉스	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		STP30			MOSFET(금속)			TO-220	-	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-STP30N65DM6AG	EAR99	8541.29.0095	1,000			N채널										650V	28A(TC)	10V	115m옴 @ 10A, 10V	250μA에서 4.75V	46nC @ 10V	±25V	100V에서 2000pF	-	223W(Tc)
STH240N75F3-2	6.2300	보상요청	93	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™ III	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		STH240			MOSFET(금속)			H2Pak-2	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000			N채널										75V	180A(Tc)	10V	3m옴 @ 90A, 10V	4V @ 250μA	87nC @ 10V	±20V	25V에서 6800pF	-	300W(Tc)
STS15N4LLF3	-	보상요청	3146	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)		STS15			MOSFET(금속)			8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널										40V	15A(Tc)	4.5V, 10V	5m옴 @ 7.5A, 10V	1V @ 250μA	28nC @ 4.5V	±16V	2530pF @ 25V	-	2.7W(Tc)
STGB7NC60HT4	-	보상요청	1468	ST마이크로일렉트로닉스	파워메쉬™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		STGB7	기준			80W		D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000						390V, 7A, 10옴, 15V																										37ns					-	600V	25A	50A	2.5V @ 15V, 7A	-	35nC	18.5ns/72ns
STL12N60M2	1.8100	보상요청	5999	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ M2	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN		STL12			MOSFET(금속)			PowerFlat™(5x6) HV	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000			N채널										600V	6.5A(Tc)	10V	495m옴 @ 4.5A, 10V	4V @ 250μA	16nC @ 10V	±25V	100V에서 538pF	-	52W(Tc)
T835T-8G	0.3809	보상요청	7791	ST마이크로일렉트로닉스	스너비스™	튜브	활동적인		-40°C ~ 125°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		T835						D²PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.30.0080	2,000	하나의				40mA																		터니스터 - 스너비스	800V	8A	1.3V	60A, 63A	35mA
STD5NK60ZT4	1.8100	보상요청	2996년	ST마이크로일렉트로닉스	슈퍼메쉬™	테이프 및 릴리(TR)	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		STD5NK60			MOSFET(금속)			DPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널										600V	5A(Tc)	10V	1.6옴 @ 2.5A, 10V	50μA에서 4.5V	34nC @ 10V	±30V	25V에서 690pF	-	90W(Tc)
ULQ2001A	0.4253	보상요청	9603	ST마이크로일렉트로닉스	-	튜브	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	16-DIP(0.300", 7.62mm)		ULQ2001				-		16- 딥	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	-ULQ2001A	EAR99	8541.29.0095	2,000																																						50V	500mA							-			7 NPN 달링턴	1.6V @ 500μA, 350mA	1000 @ 350mA, 2V	-
STPSC20065GY-TR	6.6500	보상요청	75	ST마이크로일렉트로닉스	자동차, AEC-Q101, ECOPACK®2	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		STPSC20065			SiC(탄화규소) 쇼트키			D²PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	1,000		복구 시간 없음 > 500mA(Io)																												650V	1.45V @ 20A	0ns	600V에서 150μA	-40°C ~ 175°C	20A	1250pF @ 0V, 1MHz
STW12NM60N	-	보상요청	1631년	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3		STW12N			MOSFET(금속)			TO-247-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	600			N채널										600V	10A(TC)	10V	410m옴 @ 5A, 10V	4V @ 250μA	30.5nC @ 10V	±25V	50V에서 960pF	-	90W(Tc)
STGF20H60DF	2.6300	보상요청	632	ST마이크로일렉트로닉스	-	튜브	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩		STGF20	기준			37W		TO-220FP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50						400V, 20A, 10옴, 15V																										90ns					트렌치 필드스톱	600V	40A	80A	2V @ 15V, 20A	209μJ(켜짐), 261μJ(꺼짐)	115nC	42.5ns/177ns
STGWA35IH135DF2	4.7900	보상요청	7898	ST마이크로일렉트로닉스	*	튜브	활동적인													-	ROHS3 준수	3(168시간)		497-STGWA35IH135DF2			30

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(6390)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²