전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 현재의 | 전압 | 전압 - 분리 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 트리 트리 유형 | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 전압 -상태 (vtm) (최대) | 현재- it (it (av)) (max) | Current -Off State (Max) | scr 유형 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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TN22-1500T | 1.6600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 110 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | TN22 | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 2,000 | 175 MA | 400 v | 2 a | 3 v | 20A, 22A | 1.5 MA | 3.1 v | 1.8 a | 100 µa | 표준 표준 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS20L25CG-TR | - | ![]() | 1639 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STPS20 | Schottky | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 25 v | 10A | 460 mV @ 10 a | 800 µa @ 25 v | 150 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTA806D | - | ![]() | 5315 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Turboswitch ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | STTA806 | 기준 | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.75 V @ 8 a | 52 ns | 100 µa @ 600 v | 150 ° C (°) | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD90N03L-1 | - | ![]() | 1875 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ iii | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | STD90 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 5V, 10V | 5.7mohm @ 40a, 10V | 1V @ 250µA | 32 NC @ 5 v | ± 20V | 2805 pf @ 25 v | - | 95W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Tyn804RG | 1.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | Tyn804 | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 30 MA | 800 v | 4 a | 1.5 v | 63A, 60A | 15 MA | 1.8 v | 2.5 a | 10 µA | 표준 표준 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN4050HA-12GY-TR | 3.0200 | ![]() | 765 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | TN4050 | d²pak | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 100 MA | 1.2kV | 40 a | 1.3 v | 400A, 438A | 50 MA | 1.55 v | 25 a | 3 µA | 표준 표준 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL15DN4F5 | 2.9200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ v | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL15 | MOSFET (금속 (() | 60W | Powerflat ™ (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 60a | 9mohm @ 7.5a, 10V | 4V @ 250µA | 25NC @ 10V | 1550pf @ 25v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stb8nm60n | - | ![]() | 3742 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | stb8n | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 7A (TC) | 10V | 650mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 25V | 560 pf @ 50 v | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS20H100CGY-TR | 1.6700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STPS20 | Schottky | d²pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 10A | 770 MV @ 10 a | 4.5 µa @ 100 v | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STL128D | 1.1900 | ![]() | 520 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STL128 | 65 w | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 v | 4 a | 250µA | NPN | 500mv @ 700ma, 3.5a | 10 @ 2a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STX790A-AP | - | ![]() | 4064 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | STX790 | 900 MW | TO-92AP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 v | 3 a | 10µA (ICBO) | PNP | 700mv @ 100ma, 3a | 100 @ 500ma, 2v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD1NK60T4 | 1.0900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | std1 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 1A (TC) | 10V | 8.5ohm @ 500ma, 10V | 3.7V @ 250µA | 10 nc @ 10 v | ± 30V | 156 pf @ 25 v | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD3NK80ZT4 | 1.6500 | ![]() | 6543 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD3NK80 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 800 v | 2.5A (TC) | 10V | 4.5ohm @ 1.25a, 10V | 4.5V @ 50µA | 19 NC @ 10 v | ± 30V | 485 pf @ 25 v | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP110N10F7 | 2.8300 | ![]() | 9424 | 0.00000000 | stmicroelectronics | DeepGate ™, Stripfet ™ vii | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP110 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-13551-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 110A (TC) | 10V | 7mohm @ 55a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 5500 pf @ 50 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPSC15H12WL | 9.3300 | ![]() | 635 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Ecopack®2 | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-247-2 (7 리드) | STPSC15 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | DO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-17640 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 30 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 1200 v | 1.5 v @ 15 a | 0 ns | 90 µa @ 1200 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 15a | 1200pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW12NK80Z | 6.2200 | ![]() | 4790 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW12 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 800 v | 10.5A (TC) | 10V | 750mohm @ 5.25a, 10V | 4.5V @ 100µa | 87 NC @ 10 v | ± 30V | 2620 pf @ 25 v | - | 190W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS1170AF | 0.4200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | stmicroelectronics | ECOPACK® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA 플랫 리드 | STPS1170 | Schottky | Smaflat | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 170 v | 890 MV @ 2 a | 1.5 µa @ 170 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STN93003 | 0.7100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | STN93003 | 1.6 w | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400 v | 1.5 a | 1MA | PNP | 500mv @ 100ma, 500ma | 16 @ 350MA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | bur51 | - | ![]() | 9369 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | TO-204AA, TO-3 | bur51 | 350 w | TO-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 20 | 200 v | 60 a | 1MA | NPN | 1.5V @ 5a, 50a | 20 @ 5a, 4v | 16MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STTH60R04W | 5.6900 | ![]() | 468 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-247-2 (7 리드) | STTH60 | 기준 | DO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 30 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.5 V @ 60 a | 80 ns | 60 µa @ 400 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 60a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 팁 147 | 1.6500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 팁 147 | 125 w | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 100 v | 10 a | 2MA | pnp- 달링턴 | 3V @ 40MA, 10A | 1000 @ 5a, 4V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | E-ULQ2003A | - | ![]() | 2880 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | - | ULQ2003 | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 50V | 500ma | - | 7 npn 달링턴 | 1.6V @ 500µa, 350ma | 1000 @ 350MA, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH30AC06SP | - | ![]() | 1313 | 0.00000000 | stmicroelectronics | ECOPACK® | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | STTH30 | 기준 | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 300 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.95 V @ 30 a | 60 ns | 20 µa @ 600 v | 175 ° C (°) | 30A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTV1500HDFP | - | ![]() | 1451 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 풀 -2 | DTV1500 | 기준 | TO-220FPAC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-4200-5 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 짐 | 1500 v | 1.6 v @ 6 a | 1 µs | 100 µa @ 1500 v | 175 ° C (°) | 6A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF16N65M2 | 2.5300 | ![]() | 5089 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ M2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF16 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 11A (TC) | 10V | 360mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 19.5 nc @ 10 v | ± 25V | 718 pf @ 100 v | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z0103NN5AA4 | 0.6600 | ![]() | 23 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | Z0103 | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 하나의 | 7 MA | 논리 - 게이트 민감한 | 800 v | 1 a | 1.3 v | 8A, 8.5A | 3 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGIPS20C60T-H | - | ![]() | 8890 | 0.00000000 | stmicroelectronics | SLLIMM ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | 25-powerdip ip (0.993 ", 25.23mm) | IGBT | stgips20 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 11 | 3 단계 | 20 a | 600 v | 2500VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS3L40SY | 1.0400 | ![]() | 52 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Q 자동차 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | STPS3 | Schottky | SMC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 100 µa @ 40 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STBV32-AP | - | ![]() | 4014 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | STBV32 | 1.5 w | TO-92AP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 400 v | 1.5 a | 1MA | NPN | 1.5v @ 500ma, 1.5a | 5 @ 1a, 2v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS30H100CW | 2.4500 | ![]() | 931 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STPS30 | Schottky | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 30 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 15a | 800 mV @ 15 a | 5 µa @ 100 v | -40 ° C ~ 175 ° C |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고