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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 -홀드 (ih) (최대) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
Z0410MF 0AA2 STMicroelectronics Z0410MF 0AA2 -
RFQ
 ECAD 1113 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-202 탭이 2 Z04 TO-202-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Z0410MF 0AA2-ND 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 25 MA 기준 600 v 4 a 1.3 v 20A, 21A 25 MA
BUL1102EFP STMicroelectronics bul1102efp 1.7000
RFQ
 ECAD 740 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 Bul1102 30 w TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 450 v 4 a 100µA NPN 1.5V @ 400MA, 2A 12 @ 2a, 5V -
STTH2L06UFY STMicroelectronics STTH2L06UFY 0.6800
RFQ
 ECAD 1451 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, ECOPACK®2 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 STTH2 기준 smbflat 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.4 V @ 2 a 70 ns 2 µa @ 600 v -40 ° C ~ 175 ° C 2A -
T405-800B-TR STMicroelectronics T405-800B-TR 1.2100
RFQ
 ECAD 238 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 T405 DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2,500 하나의 10 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 4 a 1.3 v 30a, 31a 5 MA
BTB06-600SWRG STMicroelectronics BTB06-600SWRG 1.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BTB06 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 15 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 6 a 1.3 v 60a, 63a 10 MA
BTB08-400BRG STMicroelectronics BTB08-400BRG -
RFQ
 ECAD 9336 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BTB08 TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 250 하나의 50 MA 기준 400 v 8 a 1.3 v 80a, 84a 50 MA
STPS20SM60ST STMicroelectronics STPS20SM60ST -
RFQ
 ECAD 5093 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 STPS20 Schottky TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 630 mv @ 20 a 85 µa @ 60 v 150 ° C (°) 20A -
2STA1837 STMicroelectronics 2sta1837 -
RFQ
 ECAD 9614 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2sta 20 W. TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-10864-5 귀 99 8541.29.0075 50 230 v 1 a 1µA (ICBO) PNP 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 100ma, 5V 70MHz
TN2015H-6T STMicroelectronics TN2015H-6T 1.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 TN2015 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 50 MA 600 v 20 a 1.3 v 180a, 197a 15 MA 1.6 v 12.7 a 5 µA 표준 표준
ACST8-8CT STMicroelectronics ACST8-8CT -
RFQ
 ECAD 8171 0.00000000 stmicroelectronics ASD ™ 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 ACST8 TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 40 MA 기준 800 v 8 a 1.5 v 80a, 85a 30 MA
STP2N105K5 STMicroelectronics STP2N105K5 -
RFQ
 ECAD 9238 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ K5 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP2N105 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1050 v 1.5A (TC) 10V 8ohm @ 750ma, 10V 5V @ 100µa 10 nc @ 10 v ± 30V 115 pf @ 100 v - 60W (TC)
STPS40H100CW STMicroelectronics STPS40H100CW 2.9400
RFQ
 ECAD 1390 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 STPS40 Schottky TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 730 mv @ 20 a 10 µa @ 100 v 175 ° C (°)
STPS41H100CGY-TR STMicroelectronics STPS41H100CGY-TR 2.5100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STPS41 Schottky d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 800 mV @ 20 a 10 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C
PD57060STR-E STMicroelectronics PD57060st-e -
RFQ
 ECAD 8310 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v Powerso-10 0 바닥 패드 PD57060 945MHz LDMOS PowerSO-10RF (직선 리드) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 600 7a 100 MA 60W 14.3db - 28 v
STW70N65DM6-4 STMicroelectronics STW70N65DM6-4 14.4100
RFQ
 ECAD 4787 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 STW70 MOSFET (금속 (() TO-247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-STW70N65DM6-4 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 68A (TC) 10V 40mohm @ 34a, 10V 4.75V @ 250µA 125 nc @ 10 v ± 25V 4900 pf @ 100 v - 450W (TC)
STP80NF55L-06 STMicroelectronics STP80NF55L-06 -
RFQ
 ECAD 8249 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP80 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 80A (TC) 5V, 10V 6.5mohm @ 40a, 10V 1V @ 250µA 136 NC @ 5 v ± 16V 4850 pf @ 25 v - 300W (TC)
TN4015H-6G STMicroelectronics TN4015H-6G 0.8724
RFQ
 ECAD 5951 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB TN4015 d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1,000 60 MA 600 v 40 a 1.3 v 394A, 360A 15 MA 1.6 v 25 a 10 µA 표준 표준
STI20N60M2-EP STMicroelectronics STI20N60M2-EP -
RFQ
 ECAD 2557 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2-EP 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STI20 MOSFET (금속 (() TO-220 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 278mohm @ 6.5a, 10V 4.75V @ 250µA 21.7 NC @ 10 v ± 25V 787 pf @ 100 v - 110W (TC)
STP4N150 STMicroelectronics STP4N150 6.4600
RFQ
 ECAD 2500 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP4N150 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-5091-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1500 v 4A (TC) 10V 7ohm @ 2a, 10V 5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 1300 pf @ 25 v - 160W (TC)
T850H-6I STMicroelectronics T850H-6I 0.5498
RFQ
 ECAD 8355 0.00000000 stmicroelectronics Snubberless ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 T850 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2,000 하나의 75 MA 대안 - 너버리스 스 600 v 8 a 1 v 80a, 84a 50 MA
STGIPS20C60T-H STMicroelectronics STGIPS20C60T-H -
RFQ
 ECAD 8890 0.00000000 stmicroelectronics SLLIMM ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 25-powerdip ip (0.993 ", 25.23mm) IGBT stgips20 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 11 3 단계 20 a 600 v 2500VRMS
ESM5045DV STMicroelectronics ESM5045DV -
RFQ
 ECAD 8897 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 동위 동위 ESM5045 175 w ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 450 v 60 a - npn-달링턴 1.4V @ 2.8a, 50a 150 @ 50a, 5V -
ACST6-7SG STMicroelectronics ACST6-7SG -
RFQ
 ECAD 3304 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 -30 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB ACST6 D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 25 MA 논리 - 게이트 민감한 700 v 6 a 1.5 v 45a, 50a 10 MA
T1035H-6T STMicroelectronics T1035H-6T 0.5174
RFQ
 ECAD 2258 0.00000000 stmicroelectronics Snubberless ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 T1035 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -497-7627-5 귀 99 8541.30.0080 2,000 하나의 35 MA 대안 - 너버리스 스 600 v 10 a 1 v 100A, 105A 35 MA
STPS40L15CW STMicroelectronics STPS40L15CW 2.8500
RFQ
 ECAD 3435 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 STPS40 Schottky TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 15 v 20A 410 mV @ 19 a 6 ma @ 15 v 125 ° C (°)
STD15P6F6AG STMicroelectronics std15p6f6ag 1.0300
RFQ
 ECAD 2144 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ F6 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD15 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 10A (TC) 10V 160mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 6.4 NC @ 10 v ± 20V 340 pf @ 48 v - 35W (TC)
STPS140U STMicroelectronics STPS140U 0.4600
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB STPS140 Schottky SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 12 µa @ 40 v 150 ° C (°) 1A -
STP52N25M5 STMicroelectronics STP52N25M5 4.1100
RFQ
 ECAD 551 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP52N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 28A (TC) 10V 65mohm @ 14a, 10V 5V @ 100µa 47 NC @ 10 v ± 25V 1770 pf @ 50 v - 110W (TC)
STL20N6F7 STMicroelectronics STL20N6F7 1.4000
RFQ
 ECAD 8948 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ F7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL20 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 100A (TC) 10V 5.4mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 3W (TA), 78W (TC)
STF23NM50N STMicroelectronics STF23NM50N 5.6200
RFQ
 ECAD 4569 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF23 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 17A (TC) 10V 190mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 25V 1330 pf @ 50 v - 30W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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