| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 그들 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 테스트 조건 | 전력 - 출력 | 얻다 | 현재의 | 전압 | 전압 - 절연 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 대책악 | 전압 - 꺼짐 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 전압 - 온상태(Vtm)(최대) | 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) | 현재 - 일시적 상태(최대) | SCR 유형 | 모델 지수 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD14NM50NAG | 2.0100 | ![]() | 2419 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101, MDmesh™ II | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 성병14 | MOSFET(금속) | DPAK | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 500V | 12A(TC) | 10V | 320m옴 @ 6A, 10V | 4V @ 250μA | 27nC @ 10V | ±25V | 50V에서 816pF | - | 90W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1610T-8FP | 2.3400 | ![]() | 994 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 마지막 구매 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | T1610 | TO-220FPAB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 15mA | 논리 - 기억카드 | 800V | 16A | 1.3V | 120A, 126A | 10mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | XL0840 | 0.5500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | XL0840 | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 2,500 | 5mA | 400V | 800mA | 800mV | 7A, 8A | 200μA | 1.95V | 500mA | 1μA | 프로세서 카드 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T835H-6G-TR | 1.2100 | ![]() | 24 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 스너비스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | T835 | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 하나의 | 35mA | 터니스터 - 스너비스 | 600V | 8A | 1V | 80A, 84A | 35mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3STR1630 | 0.6900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3STR16 | 500mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 6A | 100nA(ICBO) | NPN | 300mV @ 500mA, 5A | 180 @ 500mA, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL8N10LF3 | 1.9100 | ![]() | 6029 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101, STripFET™ III | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | STL8 | MOSFET(금속) | 파워플랫™(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 100V | 20A(TC) | 5V, 10V | 35m옴 @ 4A, 10V | 3V @ 250μA | 20.5nC @ 10V | ±20V | 25V에서 970pF | - | 4.3W(Ta), 70W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP50NE10 | - | ![]() | 8645 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP50N | MOSFET(금속) | TO-220 | - | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-2644-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 100V | 50A(Tc) | 10V | 27m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 250μA | 166nC @ 10V | ±20V | 6000pF @ 25V | - | 180W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGT65R65AL | 8.9600 | ![]() | 1557 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 650V | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | SGT65 | - | GaN HEMT | PowerFlat™(5x6) HV | 다운로드 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 500nA | 5W | - | - | 400V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1625T-8I | 2.1600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | T1625 | TO-220AB 절연 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 35mA | 기준 | 800V | 16A | 1.3V | 120A, 126A | 25mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | L6221CD | - | ![]() | 5224 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 20-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) | L6221 | - | 20-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | 60V | 1.2A | - | 4 NPN 달링턴(쿼드) | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD4N90K5 | 1.9300 | ![]() | 264 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | STD4N90 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 900V | 3A(TC) | 10V | 2.1옴 @ 1A, 10V | 100μA에서 5V | 5.3nC @ 10V | ±30V | 100V에서 173pF | - | 60W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPV1001N30 | - | ![]() | 4394 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | SPV1001 | 기준 | 8-PQFN(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | - | 30V | 850mV @ 5A | 30V에서 1μA | -45°C ~ 150°C | 12.5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STIPNS1M50T-H | - | ![]() | 4818 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | SLLIMM™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | 26-PowerSMD 모듈, 갈매기 날개 | MOSFET | STIPNS1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 400 | 3상 인버터 | 1A | 500V | 1000Vrms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP19NM65N | - | ![]() | 9968 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ II | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP19N | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 15.5A(Tc) | 10V | 270m옴 @ 7.75A, 10V | 4V @ 250μA | 55nC @ 10V | ±25V | 50V에서 1900pF | - | 150W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA25-600B | 8.7400 | ![]() | 4967 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 방역 | RD91-3(절연) | BTA25 | RD91 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 175 | 하나의 | 80mA | 기준 | 600V | 25A | 1.3V | 250A, 260A | 50mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| T410-600T | 1.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | T410 | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 15mA | 논리 - 기억카드 | 600V | 4A | 1.3V | 30A, 31A | 10mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STE140NF20D | - | ![]() | 8856 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ II | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 동위원소 | STE1 | MOSFET(금속) | 동위원소 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | N채널 | 200V | 140A(Tc) | 10V | 12m옴 @ 70A, 10V | 4V @ 250μA | 338nC @ 10V | ±20V | 25V에서 11100pF | - | 500W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW20NM60FD | 6.9800 | ![]() | 7893 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | FD메쉬™ | 튜브 | 활동적인 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STW20 | MOSFET(금속) | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 600V | 20A(TC) | 10V | 290m옴 @ 10A, 10V | 5V @ 250μA | 37nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1300pF | - | 214W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF420-AP | - | ![]() | 1171 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | BF420 | 830mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 300V | 500mA | 10nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 30mA | 50 @ 25mA, 20V | 60MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGW40NC60W | 6.1200 | ![]() | 481 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 파워메쉬™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STGW40 | 기준 | 250W | TO-247 긴 리드 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 390V, 30A, 10옴, 15V | - | 600V | 70A | 230A | 2.5V @ 15V, 30A | 302μJ(켜짐), 349μJ(꺼짐) | 126nC | 33ns/168ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGWT20IH125DF | 3.6300 | ![]() | 6957 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | STGWT20 | 기준 | 259W | TO-3P | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | 600V, 15A, 10옴, 15V | 트렌치 필드스톱 | 1250V | 40A | 80A | 2.5V @ 15V, 15A | 410μJ(꺼짐) | 68nC | -/106ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BULT106D | - | ![]() | 2750 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | 불트106 | 32W | SOT-32-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 230V | 2A | 250μA | NPN | 1.2V @ 400mA, 2A | 10 @ 1A, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP70NF03L | - | ![]() | 2364 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ II | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP70 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 30V | 70A(Tc) | 5V, 10V | 9.5m옴 @ 35A, 10V | 1V @ 250μA | 30nC @ 5V | ±18V | 25V에서 1440pF | - | 100W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6111 | - | ![]() | 9938 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 2N61 | 40W | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 30V | 7A | 1mA | PNP | 3.5V @ 3A, 7A | 30 @ 3A, 4V | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW69N65M5 | 12.5700 | ![]() | 574 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ V | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STW69 | MOSFET(금속) | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 650V | 58A(티씨) | 10V | 45m옴 @ 29A, 10V | 5V @ 250μA | 143nC @ 10V | ±25V | 100V에서 6420pF | - | 330W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BTB06-800TWRG | 0.7777 | ![]() | 3357 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | BTB06 | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 하나의 | 10mA | 논리 - 기억카드 | 800V | 6A | 1.3V | 60A, 63A | 5mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BTB16-600BWRG | 1.8800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 스너비스™ | 튜브 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | BTB16 | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 50mA | 터니스터 - 스너비스 | 600V | 16A | 1.3V | 160A, 168A | 50mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF10P6F6 | - | ![]() | 6010 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | DeepGATE™, STripFET™ VI | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | STF10P | MOSFET(금속) | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | P채널 | 60V | 10A(TC) | 10V | 160m옴 @ 5A, 10V | 4V @ 250μA | 6.4nC @ 10V | ±20V | 48V에서 340pF | - | 20W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB30NF20L | 3.4800 | ![]() | 5026 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101, STripFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STB30 | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 200V | 30A(Tc) | 10V | 75m옴 @ 15A, 5V | 3V @ 250μA | 65nC @ 10V | ±20V | 1990pF @ 25V | - | 150W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BTA08-700TWRG | - | ![]() | 2030년 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | BTA08 | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-4157-5 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 하나의 | 10mA | 논리 - 기억카드 | 700V | 8A | 1.3V | 80A, 84A | 5mA |

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