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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 전류 - 유지(Ih)(최대) 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 대책악 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 전압 - 온상태(Vtm)(최대) 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) 현재 - 일시적 상태(최대) SCR 유형 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
STP28N60DM2 STMicroelectronics STP28N60DM2 3.9000
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ECAD 1550 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ DM2 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 STP28 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-16348-5 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 21A(TC) 10V 160m옴 @ 10.5A, 10V 5V @ 250μA 34nC @ 10V ±25V 100V에서 1500pF - 170W(Tc)
STW70N65DM6-4 STMicroelectronics STW70N65DM6-4 14.4100
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ECAD 4787 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 STW70 MOSFET(금속) TO-247-4 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-STW70N65DM6-4 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 68A(Tc) 10V 40m옴 @ 34A, 10V 250μA에서 4.75V 125nC @ 10V ±25V 100V에서 4900pF - 450W(Tc)
BAS70-06WFILM STMicroelectronics BAS70-06W필름 -
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ECAD 9100 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-70, SOT-323 BAS70 쇼트키 SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍 구역 70V 70mA(DC) 1V @ 15mA 70V에서 10μA 150°C(최대)
STD10NM60N STMicroelectronics STD10NM60N 2.8300
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ECAD 3 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ II 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 성병10 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 10A(TC) 10V 550m옴 @ 4A, 10V 4V @ 250μA 19nC @ 10V ±25V 50V에서 540pF - 70W(Tc)
STTH30RQ06WL STMicroelectronics STTH30RQ06WL 2.9800
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ECAD 39 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 에코팩®2 튜브 활동적인 스루홀 TO-247-2 STTH30 기준 DO-247 LL - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-STTH30RQ06WL EAR99 8541.10.0080 30 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 2.95V @ 30A 55ns 600V에서 40μA 175°C(최대) 30A -
STN3N45K3 STMicroelectronics STN3N45K3 1.0100
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ECAD 13 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 슈퍼메쉬3™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA STN3 MOSFET(금속) SOT-223 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 N채널 450V 600mA(Tc) 10V 4옴 @ 600mA, 10V 50μA에서 4.5V 9.5nC @ 10V ±30V 50V에서 164pF - 3W(타)
BTA10-800CWRG STMicroelectronics BTA10-800CWRG 1.9500
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ECAD 998 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 스너비스™ 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 BTA10 TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 50 하나의 35mA 터니스터 - 스너비스 800V 10A 1.3V 100A, 105A 35mA
STD7NK30Z STMicroelectronics STD7NK30Z -
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ECAD 1288 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 슈퍼메쉬™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 성병7 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 300V 5A(Tc) 10V 900m옴 @ 2.5A, 10V 50μA에서 4.5V 13nC @ 10V ±30V 380pF @ 25V - 50W(Tc)
STF10P6F6 STMicroelectronics STF10P6F6 -
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ECAD 6010 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 DeepGATE™, STripFET™ VI 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 STF10P MOSFET(금속) TO-220FP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 P채널 60V 10A(TC) 10V 160m옴 @ 5A, 10V 4V @ 250μA 6.4nC @ 10V ±20V 48V에서 340pF - 20W(Tc)
STL7N80K5 STMicroelectronics STL7N80K5 2.4500
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ECAD 8225 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 슈퍼메쉬5™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN STL7N80 MOSFET(금속) 파워플랫™(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 800V 3.6A(Tc) 10V 1.2옴 @ 3A, 10V 100μA에서 5V 13.4nC @ 10V ±30V 100V에서 360pF - 42W(Tc)
STTH8R04G STMicroelectronics STTH8R04G -
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ECAD 7026 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB STTH8R04 기준 D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 400V 1.5V @ 8A 50ns 400V에서 10μA -40°C ~ 175°C 8A -
T1620-600W STMicroelectronics T1620-600W -
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ECAD 3401 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 스너비스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C (TJ) 스루홀 ISOWATT220AB-3 T1620 ISOWATT220AB 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 50 하나의 35mA 터니스터 - 스너비스 600V 16A 1.3V 200A, 218A 20mA
TN1605H-8G-TR STMicroelectronics TN1605H-8G-TR 1.5100
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ECAD 2 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB TN1605 D²PAK - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 1,000 30mA 800V 16A 1.3V 160A, 177A 8mA 1.55V 10A 1μA 표준화된 치료
ACS108-5SA STMicroelectronics ACS108-5SA -
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ECAD 5230 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 ACS™/ASD® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -30°C ~ 125°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) ACS108 TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 2,500 하나의 25mA 논리 - 기억카드 500V 800mA 1V 7.3A, 8A 10mA
STI21NM60ND STMicroelectronics STI21NM60ND -
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ECAD 3656 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 FD메시™ II 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA STI21N MOSFET(금속) I2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 17A(TC) 10V 220m옴 @ 8.5A, 10V 5V @ 250μA 60nC @ 10V ±25V 50V에서 1800pF - 140W(Tc)
STD60N55F3 STMicroelectronics STD60N55F3 -
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ECAD 8894 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 STripFET™ III 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 STD60N MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 55V 80A(Tc) 10V 8.5m옴 @ 32A, 10V 4V @ 250μA 45nC @ 10V ±20V 2200pF @ 25V - 110W(Tc)
STP5NB40 STMicroelectronics STP5NB40 -
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ECAD 3265 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 파워메쉬™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 STP5N MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 400V 4.7A(Tc) 10V 1.8옴 @ 2.3A, 10V 5V @ 250μA 20nC @ 10V ±30V 25V에서 405pF - 80W(Tc)
STPS20M100SG-TR STMicroelectronics STPS20M100SG-TR 3.0500
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ECAD 749 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB STPS20 쇼트키 D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 100V 850mV @ 20A 100V에서 40μA 150°C(최대) 20A -
STD80N450K6 STMicroelectronics STD80N450K6 3.3100
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ECAD 7972 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ K5 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 성병80 MOSFET(금속) D-PAK (TO-252) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 800V 10A(TC) 10V 450m옴 @ 5A, 10V 4V @ 100μA 17.3nC @ 10V ±30V 400V에서 700pF - 83W(Tc)
TN1605H-6T STMicroelectronics TN1605H-6T 1.1200
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ECAD 87 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 150°C 스루홀 TO-220-3 TN1605 TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-17322 EAR99 8541.30.0080 50 20mA 600V 16A 1.3V 140A, 153A 6mA 1.6V 10A 5μA 표준화된 치료
STPSC2H065BY-TR STMicroelectronics STPSC2H065BY-TR 0.8336
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ECAD 7620 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 자동차, AEC-Q101, ECOPACK®2 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 STPSC2 SiC(탄화규소) 쇼트키 DPAK - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-STPSC2H065BY-TR EAR99 8541.10.0080 2,500 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 650V 1.55V @ 2A 0ns 650V에서 20μA -40°C ~ 175°C 2A 135pF @ 0V, 1MHz
STB80NF55-08-1 STMicroelectronics STB80NF55-08-1 -
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ECAD 2299 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 STripFET™ II 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA STB80N MOSFET(금속) I2PAK 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-3516-5 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 55V 80A(Tc) 10V 8m옴 @ 40A, 10V 4V @ 250μA 155nC @ 10V ±20V 3850pF @ 25V - 300W(Tc)
STTH30RQ06L2-TR STMicroelectronics STTH30RQ06L2-TR 4.5200
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ECAD 6342 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-263-8, D²Pak(7리드 + 탭), TO-263CA 기준 HU3PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-STTH30RQ06L2-TR EAR99 8541.10.0080 600 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 2.95V @ 30A 55ns 600V에서 40μA 175°C 30A -
TIP147T STMicroelectronics TIP147T 1.9700
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ECAD 9718 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TIP147 90W TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 100V 10A 2mA PNP-달링턴 3V @ 40mA, 10A 1000 @ 5A, 4V -
T610H-6T STMicroelectronics T610H-6T 0.4269
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ECAD 5905 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 T610 TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 2,000 하나의 25mA 논리 - 기억카드 600V 6A 1V 60A, 63A 10mA
STW21NM50N STMicroelectronics STW21NM50N -
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ECAD 8794 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ II 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 STW21N MOSFET(금속) TO-247-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-4806-5 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 500V 18A(TC) 10V 190m옴 @ 9A, 10V 4V @ 250μA 65nC @ 10V ±25V 1950pF @ 25V - 140W(Tc)
BTB24-800BWRG STMicroelectronics BTB24-800BWRG 3.0500
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ECAD 4821 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 스너비스™ 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 BTB24 TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 50 하나의 75mA 터니스터 - 스너비스 800V 25A 1.3V 250A, 260A 50mA
Z0109MA 2AL2 STMicroelectronics Z0109MA 2AL2 0.6600
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ECAD 32 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 컷테이프(CT) 활동적인 -40°C ~ 125°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Z0109 TO-92 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 2,000 하나의 10mA 논리 - 기억카드 600V 1A 1.3V 8A, 8.5A 10mA
STD130N4F6AG STMicroelectronics STD130N4F6AG 0.8313
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ECAD 3403 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 자동차, AEC-Q101, STripFET™ F6 테이프 및 릴리(TR) 마지막 구매 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 성병130 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 40V 80A(Tc) 10V 3.6m옴 @ 40A, 10V 4V @ 250μA 70nC @ 10V ±20V 25V에서 4260pF - 143W(Tc)
STBV42G-AP STMicroelectronics STBV42G-AP -
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ECAD 6148 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 STBV42 1W TO-92AP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 400V 1A 1mA NPN 1.5V @ 250mA, 750mA 10 @ 400mA, 5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고