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디스크리트 반도체(6390)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	그들	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	내구성 인증(암페어)	전류 - 유지(Ih)(최대)	테스트 조건	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	대책악	전압 - 꺼짐 상태	현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대)	전압 - 수채화(Vgt)(최대)	현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm)	메모리 - 메모리(Igt)(최대)	모델 지수	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	관리요금	Td(켜기/끄기) @ 25°C	전압 - 테스트	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
STF80N10F7	-	보상요청	4000	ST마이크로일렉트로닉스	DeepGATE™, STripFET™ VII	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	STF80N			MOSFET(금속)		TO-220FP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널							100V	40A(Tc)	10V	10m옴 @ 40A, 10V	250μA에서 4.5V	45nC @ 10V	±20V	50V에서 3100pF	-	30W(Tc)
STTH2L06U	0.7400	보상요청	4	ST마이크로일렉트로닉스	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	DO-214AA, SMB	STTH2			기준		건축	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	2,500		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																									600V	1.3V @ 2A	85ns	600V에서 2μA	175°C(최대)	2A	-
STD3NM60N	1.2200	보상요청	6013	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ II	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	성병3			MOSFET(금속)		DPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널							600V	3.3A(Tc)	10V	1.8옴 @ 1.65A, 10V	4V @ 250μA	9.5nC @ 10V	±25V	50V에서 188pF	-	50W(Tc)
STD6N60M2	1.4800	보상요청	1687년	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ II 플러스	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	STD6N60			MOSFET(금속)		DPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널							600V	4.5A(Tc)	10V	1.2옴 @ 2.25A, 10V	4V @ 250μA	8nC @ 10V	±25V	100V에서 232pF	-	60W(Tc)
SD2903	-	보상요청	5164	ST마이크로일렉트로닉스	-	상자	더 이상 사용하지 않는 경우	65V			M229	SD2903		400MHz	MOSFET		M229	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	25	N채널			5A			100mA	30W	15dB																	-																28V
STTH20R04G-TR	1.6900	보상요청	52	ST마이크로일렉트로닉스	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	STTH20			기준		D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	1,000		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																									400V	1.7V @ 20A	45ns	400V에서 20μA	175°C(최대)	20A	-
STGWA40S120DF3	-	보상요청	5102	ST마이크로일렉트로닉스	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-247-3	STGWA40	기준			468W	TO-247-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-15630-5	EAR99	8541.29.0095	30						600V, 40A, 15옴, 15V																							355ns					트렌치 필드스톱	1200V	80A	160A	2.15V @ 15V, 40A	1.43mJ(켜짐), 3.83mJ(꺼짐)	129nC	35ns/148ns
STFW1N105K3	2.5098	보상요청	5044	ST마이크로일렉트로닉스	슈퍼메쉬3™	튜브	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩	STFW1			MOSFET(금속)		TO-3PF	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	30			N채널							1050V	1.4A(Tc)	10V	11옴 @ 600mA, 10V	50μA에서 4.5V	13nC @ 10V	±30V	100V에서 180pF	-	20W(Tc)
STTH30L06W	3.4000	보상요청	686	ST마이크로일렉트로닉스	-	튜브	활동적인			스루홀	DO-247-2(직선기록)	STTH30			기준		DO-247	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-4411-5	EAR99	8541.10.0080	30		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																									600V	1.55V @ 30A	90ns	600V에서 25μA	175°C(최대)	30A	-
STPSC10065DY	3.9900	보상요청	189	ST마이크로일렉트로닉스	자동차, AEC-Q101, ECOPACK®2	튜브	활동적인			스루홀	TO-220-2	STPSC10065			SiC(탄화규소) 쇼트키		TO-220AC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-17697	EAR99	8541.10.0080	50		복구 시간 없음 > 500mA(Io)																									650V	1.45V @ 10A	0ns	650V에서 130μA	-40°C ~ 175°C	10A	670pF @ 0V, 1MHz
STPS1L30A	0.4300	보상요청	12	ST마이크로일렉트로닉스	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	DO-214AC, SMA	STPS1			쇼트키		SMA(DO-214AC)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	5,000		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																									30V	395mV @ 1A		30V에서 200μA	150°C(최대)	1A	-
STB13007DT4	1.3200	보상요청	7592	ST마이크로일렉트로닉스	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	STB13007				80W	D²PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000																																			400V	8A							100μA	NPN	3V @ 1A, 5A	8 @ 5A, 5V	-
STD3NK50ZT4	1.2800	보상요청	3409	ST마이크로일렉트로닉스	슈퍼메쉬™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	STD3NK50			MOSFET(금속)		DPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널							500V	2.3A(Tc)	10V	3.3옴 @ 1.15A, 10V	50μA에서 4.5V	15nC @ 10V	±30V	25V에서 280pF	-	45W(Tc)
STF13N60DM2	2.0000	보상요청	305	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ DM2	튜브	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	STF13			MOSFET(금속)		TO-220FP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-16961	EAR99	8541.29.0095	50			N채널							600V	11A(티씨)	10V	365m옴 @ 5.5A, 10V	5V @ 250μA	19nC @ 10V	±25V	100V에서 730pF	-	25W(Tc)
STP20NM50	5.9600	보상요청	4596	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™	튜브	활동적인		-65°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	STP20			MOSFET(금속)		TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널							500V	20A(TC)	10V	250m옴 @ 10A, 10V	5V @ 250μA	56nC @ 10V	±30V	25V에서 1480pF	-	192W(Tc)
STB9NK80Z	2.4000	보상요청	5734	ST마이크로일렉트로닉스	자동차, AEC-Q101, SuperMESH™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	STB9			MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000			N채널							800V	5.2A(Tc)	10V	1.8옴 @ 2.6A, 10V	100μA에서 4.5V	40nC @ 10V	±30V	25V에서 1138pF	-	125W(Tc)
STGP12NB60HD	-	보상요청	9172	ST마이크로일렉트로닉스	파워메쉬™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	STGP12	기준			125W	TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000						480V, 12A, 10옴, 15V																							80ns					-	600V	30A	60A	2.8V @ 15V, 12A	210μJ(꺼짐)	68nC	5ns/91ns
BD138	0.5000	보상요청	11	ST마이크로일렉트로닉스	-	튜브	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3	BD138				1.25W	SOT-32-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50																																			60V	1.5A							100nA(ICBO)	PNP	500mV @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 2V	-
STF15N60M2-EP	1.9000	보상요청	1	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ M2-EP	튜브	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	STF15			MOSFET(금속)		TO-220FP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널							600V	11A(티씨)	10V	378m옴 @ 5.5A, 10V	4V @ 250μA	17nC @ 10V	±25V	100V에서 590pF	-	25W(Tc)
STW20NM60	6.3500	보상요청	7417	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™	튜브	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3	STW20			MOSFET(금속)		TO-247-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	30			N채널							600V	20A(TC)	10V	290m옴 @ 10A, 10V	5V @ 250μA	54nC @ 10V	±30V	25V에서 1500pF	-	192W(Tc)
STF19NM50N	4.5600	보상요청	996	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ II	튜브	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	STF19			MOSFET(금속)		TO-220FP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널							500V	14A(TC)	10V	250m옴 @ 7A, 10V	4V @ 250μA	34nC @ 10V	±25V	50V에서 1000pF	-	30W(Tc)
T1035H-6G-TR	1.2700	보상요청	1139	ST마이크로일렉트로닉스	스너비스™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	T1035					D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.30.0080	1,000	하나의				35mA															터니스터 - 스너비스	600V	10A	1V	100A, 105A	35mA
STH200N10WF7-2	6.9100	보상요청	4503	ST마이크로일렉트로닉스	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET(금속)		H2Pak-2	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000			N채널							100V	180A(Tc)	10V	4m옴 @ 90A, 10V	250μA에서 4.5V	93nC @ 10V	±20V	4430pF @ 25V	-	340W(Tc)
ACS102-5T1-TR	-	보상요청	7789	ST마이크로일렉트로닉스	ASD™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-30°C ~ 125°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	ACS102					8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.30.0080	2,500	하나의				20mA															논리 - 기억카드	500V	200mA	900mV	7.3A, 8A	5mA
STP185N55F3	5.6500	보상요청	2	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™	튜브	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	STP185			MOSFET(금속)		TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널							55V	120A(Tc)	10V	3.8m옴 @ 60A, 10V	4V @ 250μA	100nC @ 10V	±20V	25V에서 6800pF	-	330W(Tc)
STFI11N65M2	-	보상요청	9947	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ II 플러스	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 풀팩, I²Pak	STFI11N			MOSFET(금속)		I2PAKFP (TO-281)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널							650V	7A(TC)	10V	670m옴 @ 3.5A, 10V	4V @ 250μA	12.5nC @ 10V	±25V	100V에서 410pF	-	25W(Tc)
T1235T-8T	1.8200	보상요청	1	ST마이크로일렉트로닉스	스너비스™	튜브	활동적인		-40°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	T1235					TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-13995-5	EAR99	8541.30.0080	50	하나의				40mA															터니스터 - 스너비스	800V	12A	1.3V	90A, 95A	35mA
STP20NM60FD	6.5100	보상요청	9315	ST마이크로일렉트로닉스	FD메시™	튜브	활동적인		-65°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	STP20			MOSFET(금속)		TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널							600V	20A(TC)	10V	290m옴 @ 10A, 10V	5V @ 250μA	37nC @ 10V	±30V	25V에서 1300pF	-	192W(Tc)
STD5NK40ZT4	0.6123	보상요청	9929	ST마이크로일렉트로닉스	슈퍼메쉬™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	STD5NK40			MOSFET(금속)		DPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널							400V	3A(TC)	10V	1.8옴 @ 1.5A, 10V	50μA에서 4.5V	17nC @ 10V	±30V	305pF @ 25V	-	45W(Tc)
STI15NM60ND	-	보상요청	4117	ST마이크로일렉트로닉스	FD메시™ II	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA	STI15N			MOSFET(금속)		I2PAK	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널							600V	14A(TC)	10V	299m옴 @ 7A, 10V	5V @ 250μA	40nC @ 10V	±25V	50V에서 1250pF	-	125W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(6390)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²