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불연속 불연속 제품 (6390)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 소음 소음 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 트랜지스터 트랜지스터 DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
STGB3NB60SDT4 STMicroelectronics STGB3NB60SDT4 -
RFQ
 ECAD 7697 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STGB3 기준 70 W. D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 480V, 3A, 1KOHM, 15V 1.7 µs - 600 v 6 a 25 a 1.5V @ 15V, 3A 1.15MJ (OFF) 18 NC 125ns/3.4µs
STGD3NB60HDT4 STMicroelectronics STGD3NB60HDT4 -
RFQ
 ECAD 6388 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STGD3 기준 50 W. DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 480V, 3A, 10ohm, 15V 95 ns - 600 v 10 a 24 a 2.8V @ 15V, 3A 33µJ (OFF) 21 NC 5ns/53ns
STGP12NB60KD STMicroelectronics STGP12NB60KD -
RFQ
 ECAD 7592 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STGP12 기준 125 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 480V, 12a, 10ohm, 15V 80 ns - 600 v 30 a 60 a 2.8V @ 15V, 12a 258µJ (OFF) 54 NC 25ns/96ns
STB100NH02LT4 STMicroelectronics STB100NH02LT4 -
RFQ
 ECAD 2487 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ iii 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB100N MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 24 v 60A (TC) 5V, 10V 6MOHM @ 30A, 10V 1.8V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 2850 pf @ 15 v - 100W (TC)
STS4NF100 STMicroelectronics STS4NF100 -
RFQ
 ECAD 6417 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) STS4N MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 4A (TC) 10V 70mohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 870 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
STW14NM50FD STMicroelectronics STW14NM50FD -
RFQ
 ECAD 5096 0.00000000 stmicroelectronics FDMESH ™ 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW14N MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 600 n 채널 500 v 14A (TC) 10V 400mohm @ 6a, 10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 30V 1000 pf @ 25 v - 160W (TC)
STN2NF10 STMicroelectronics STN2NF10 1.2200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA STN2NF10 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 2.4A (TC) 10V 260mohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 280 pf @ 25 v - 3.3W (TC)
STP11NK40Z STMicroelectronics STP11NK40Z 2.0100
RFQ
 ECAD 975 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP11 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 9A (TC) 10V 550mohm @ 4.5a, 10V 4.5V @ 100µa 32 NC @ 10 v ± 30V 930 pf @ 25 v - 110W (TC)
STP22NF03L STMicroelectronics STP22NF03L -
RFQ
 ECAD 8530 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP22N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 22A (TC) 5V, 10V 50mohm @ 11a, 10V 1V @ 250µA 9 NC @ 5 v ± 15V 330 pf @ 25 v - 45W (TC)
STPS30150CW STMicroelectronics STPS30150CW 2.4900
RFQ
 ECAD 2092 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 STPS30150 Schottky TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 15a 920 MV @ 15 a 6.5 µa @ 150 v 175 ° C (°)
STP3NK90ZFP STMicroelectronics STP3NK90ZFP 1.4300
RFQ
 ECAD 931 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STP3NK90 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-5979-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 3A (TC) 10V 4.8ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 50µA 22.7 NC @ 10 v ± 30V 590 pf @ 25 v - 25W (TC)
PD55003STR-E STMicroelectronics PD55003str-e -
RFQ
 ECAD 1427 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 40 v Powerso-10 0 바닥 패드 PD55003 500MHz LDMOS PowerSO-10RF (직선 리드) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 600 2.5A 50 MA 3W 17dB - 12.5 v
STD90N02L-1 STMicroelectronics STD90N02L-1 -
RFQ
 ECAD 1527 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ iii 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA STD90 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 25 v 60A (TC) 5V, 10V 6MOHM @ 30A, 10V 1.8V @ 250µA 22 nc @ 5 v ± 20V 2050 pf @ 16 v - 70W (TC)
STGD10NC60KT4 STMicroelectronics STGD10NC60KT4 -
RFQ
 ECAD 5653 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STGD10 기준 60 W. DPAK 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 390V, 5A, 10ohm, 15V - 600 v 20 a 30 a 2.5V @ 15V, 5A 55µJ (on), 85µJ (OFF) 19 NC 17ns/72ns
STGB30NC60KT4 STMicroelectronics STGB30NC60KT4 5.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STGB30 기준 185 w D2PAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 480V, 20A, 10ohm, 15V - 600 v 60 a 125 a 2.7V @ 15V, 20A 350µJ (on), 435µJ (OFF) 96 NC 29ns/120ns
STD65N55LF3 STMicroelectronics STD65N55LF3 -
RFQ
 ECAD 6654 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ iii 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 std65n MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 80A (TC) 5V, 10V 8.5mohm @ 32a, 10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 110W (TC)
STP23NM50N STMicroelectronics STP23NM50N 5.2500
RFQ
 ECAD 8505 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP23 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 17A (TC) 10V 190mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 25V 1330 pf @ 50 v - 125W (TC)
STF17N62K3 STMicroelectronics STF17N62K3 5.4300
RFQ
 ECAD 727 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh3 ™ 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF17 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 620 v 15.5A (TC) 10V 340mohm @ 7.5a, 10V 4.5V @ 100µa 105 NC @ 10 v ± 30V 3100 pf @ 50 v - 40W (TC)
STGP6NC60HD STMicroelectronics stgp6nc60hd 1.4200
RFQ
 ECAD 2143 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STGP6 기준 56 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-5122-5 귀 99 8541.29.0095 50 390V, 3A, 10ohm, 15V 21 ns - 600 v 15 a 21 a 2.5V @ 15V, 3A 20µJ (on), 68µJ (OFF) 13.6 NC 12ns/76ns
STPS30H60CT STMicroelectronics STPS30H60CT 1.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 STPS30 Schottky TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-5137-5 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 660 mV @ 15 a 60 @ 60 v 175 ° C (°)
STD5N80K5 STMicroelectronics STD5N80K5 1.7800
RFQ
 ECAD 3167 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD5N80 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 800 v 4A (TC) 10V 1.75ohm @ 2a, 10V 5V @ 100µa 5 nc @ 10 v ± 30V 177 pf @ 100 v - 60W (TC)
STF13N60DM2 STMicroelectronics STF13N60DM2 2.0000
RFQ
 ECAD 305 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF13 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-16961 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 365mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 25V 730 pf @ 100 v - 25W (TC)
SD1731 STMicroelectronics SD1731 -
RFQ
 ECAD 1860 0.00000000 stmicroelectronics - 쟁반 쓸모없는 200 ° C (TJ) 표면 표면 M174 SD1731 233W M174 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 13db 55V 20A NPN 15 @ 10a, 6V - -
STL20NM20N STMicroelectronics STL20NM20N -
RFQ
 ECAD 5510 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL20 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 20A (TC) 10V 10A @ 10A, 10V 5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 800 pf @ 25 v - 80W (TC)
STPS30SM80CT STMicroelectronics STPS30SM80CT -
RFQ
 ECAD 3092 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 STPS30 Schottky TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 15a 790 MV @ 15 a 40 µa @ 80 v 175 ° C (°)
STTH30W03CW STMicroelectronics STTH30W03CW -
RFQ
 ECAD 9954 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 STTH30 기준 TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 15a 1.4 v @ 15 a 20 ns 10 µa @ 300 v 175 ° C (°)
STF9N60M2 STMicroelectronics STF9N60M2 1.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 플러스 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF9N60 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 5.5A (TC) 10V 780mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 25V 320 pf @ 100 v - 20W (TC)
ACST8-8CG-TR STMicroelectronics ACST8-8CG-TR 2.7600
RFQ
 ECAD 180 0.00000000 stmicroelectronics ASD ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB ACST8 D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 40 MA 기준 800 v 8 a 1.5 v 80a, 85a 30 MA
P0118MA 2AL3 STMicroelectronics P0118MA 2AL3 0.5600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 stmicroelectronics - 컷 컷 (CT) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 P0118 To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2,000 5 MA 600 v 800 MA 800 MV 7a, 8a 5 µA 1.95 v 500 MA 10 µA 민감한 민감한
STL120N10F8 STMicroelectronics STL120N10F8 2.4600
RFQ
 ECAD 739 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 125A (TC) 10V 4.6mohm @ 60a, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 3600 pf @ 50 v - 150W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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