SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
2STA1837 STMicroelectronics 2sta1837 -
RFQ
ECAD 9614 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2sta 20 W. TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-10864-5 귀 99 8541.29.0075 50 230 v 1 a 1µA (ICBO) PNP 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 100ma, 5V 70MHz
STGF20H60DF STMicroelectronics STGF20H60DF 2.6300
RFQ
ECAD 632 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STGF20 기준 37 W. TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 20A, 10ohm, 15V 90 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 40 a 80 a 2V @ 15V, 20A 209µJ (on), 261µJ (OFF) 115 NC 42.5ns/177ns
TIP127FP STMicroelectronics TIP127FP -
RFQ
ECAD 9407 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팁 127 2 w TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 100 v 5 a 500µA pnp- 달링턴 4V @ 20MA, 5A 1000 @ 3A, 3V -
LET9060STR STMicroelectronics let9060str -
RFQ
ECAD 553 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 80 v PowerSO-10RF 노출 된 바닥 패드 패드 (2 개의 직선 리드 리드) let9060 960MHz LDMOS PowerSO-10RF (직선 리드) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 600 12a 300 MA 60W 17.2db - 28 v
BTB06-600CWRG STMicroelectronics BTB06-600CWRG 1.5400
RFQ
ECAD 2499 0.00000000 stmicroelectronics Snubberless ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BTB06 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 35 MA 대안 - 너버리스 스 600 v 6 a 1.3 v 60a, 63a 35 MA
STPS20SM60ST STMicroelectronics STPS20SM60ST -
RFQ
ECAD 5093 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 STPS20 Schottky TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 630 mv @ 20 a 85 µa @ 60 v 150 ° C (°) 20A -
STW42N65M5 STMicroelectronics STW42N65M5 10.9900
RFQ
ECAD 6867 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW42 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-8796-5 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 33A (TC) 10V 79mohm @ 16.5a, 10V 5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 25V 4650 pf @ 100 v - 190W (TC)
ACST8-8CT STMicroelectronics ACST8-8CT -
RFQ
ECAD 8171 0.00000000 stmicroelectronics ASD ™ 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 ACST8 TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 40 MA 기준 800 v 8 a 1.5 v 80a, 85a 30 MA
STPS20SM60SR STMicroelectronics STPS20SM60SR 1.4200
RFQ
ECAD 785 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STPS20 Schottky i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 630 mv @ 20 a 85 µa @ 60 v 150 ° C (°) 20A -
STTH1R06U STMicroelectronics STTH1R06U 0.5500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB STTH1 기준 SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 45 ns 1 µa @ 600 v 175 ° C (°) 1A -
TIP112 STMicroelectronics tip112 0.8800
RFQ
ECAD 7205 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 tip112 2 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 100 v 2 a 2MA npn-달링턴 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1a, 4v -
STPSC10H065D STMicroelectronics STPSC10H065D 4.2700
RFQ
ECAD 9575 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 STPSC10 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.75 V @ 10 a 0 ns 100 µa @ 650 v -40 ° C ~ 175 ° C 10A 480pf @ 0V, 1MHz
T1610T-8FP STMicroelectronics T1610T-8FP 2.3400
RFQ
ECAD 994 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 T1610 TO-220FPAB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 15 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 16 a 1.3 v 120a, 126a 10 MA
STIPN1M50-H STMicroelectronics STIPN1M50-H 6.9400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 stmicroelectronics SLLIMM ™ 튜브 마지막으로 마지막으로 구멍을 구멍을 26-powerdip ip (0.846 ", 21.48mm) MOSFET stipn1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 17 3 상 인버터 1 a 500 v 1000VRMS
STD5NM60T4 STMicroelectronics STD5NM60T4 2.5600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD5NM60 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 5A (TC) 10V 1ohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 30V 400 pf @ 25 v - 96W (TC)
STD1HN60K3 STMicroelectronics STD1HN60K3 1.5900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh3 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 std1hn60 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 1.2A (TC) 10V 8ohm @ 600ma, 10V 4.5V @ 50µA 9.5 nc @ 10 v ± 30V 140 pf @ 50 v - 27W (TC)
STY130NF20D STMicroelectronics STY130NF20D -
RFQ
ECAD 2471 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STY130 MOSFET (금속 (() Max247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 130A (TC) 10V 12MOHM @ 65A, 10V 4V @ 250µA 338 NC @ 10 v ± 20V 11100 pf @ 25 v - 450W (TC)
STPSC4H065D STMicroelectronics STPSC4H065D 2.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 STPSC4 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.75 V @ 4 a 0 ns 40 µa @ 650 v -40 ° C ~ 175 ° C 4a 200pf @ 0V, 1MHz
STPSC15H12WL STMicroelectronics STPSC15H12WL 9.3300
RFQ
ECAD 635 0.00000000 stmicroelectronics Ecopack®2 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 do-247-2 (7 리드) STPSC15 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky DO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-17640 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.5 v @ 15 a 0 ns 90 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 175 ° C 15a 1200pf @ 0V, 1MHz
BTA06-600SWRG STMicroelectronics BTA06-600SWRG 1.6000
RFQ
ECAD 15 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BTA06 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 15 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 6 a 1.3 v 60a, 63a 10 MA
ACST6-8SG STMicroelectronics ACST6-8SG -
RFQ
ECAD 4271 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 - 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB ACST6 D2PAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 25 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 1.5 a 1.5 v 45a, 50a 10 MA
BAT48ZFILM STMicroelectronics BAT48ZFILM 0.3400
RFQ
ECAD 271 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 BAT48 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 750 mv @ 200 ma 25 µa @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C 350ma 30pf @ 0V, 1MHz
STD90N03L-1 STMicroelectronics STD90N03L-1 -
RFQ
ECAD 1875 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ iii 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA STD90 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 80A (TC) 5V, 10V 5.7mohm @ 40a, 10V 1V @ 250µA 32 NC @ 5 v ± 20V 2805 pf @ 25 v - 95W (TC)
STF8NM60N STMicroelectronics stf8nm60n -
RFQ
ECAD 1257 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 stf8n MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 650mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 25V 560 pf @ 50 v - 25W (TC)
STPS2545CGY-TR STMicroelectronics STPS2545CGY-TR 1.0709
RFQ
ECAD 4754 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STPS2545 Schottky D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 12.5A 840 mV @ 25 a 125 µa @ 45 v -40 ° C ~ 175 ° C
STTH3010WY STMicroelectronics STTH3010WY 4.3300
RFQ
ECAD 2504 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 do-247-2 (7 리드) STTH3010 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-13282-5 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 2 V @ 30 a 100 ns 15 µa @ 1000 v -40 ° C ~ 175 ° C 30A -
STTH108A STMicroelectronics STTH108A 0.6700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA STTH108 기준 SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.65 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 v 175 ° C (°) 1A -
STL4LN80K5 STMicroelectronics STL4LN80K5 0.7204
RFQ
ECAD 5060 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ K5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL4 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) VHV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 800 v 3A (TC) 10V 2.6ohm @ 1.2a, 10V 5V @ 100µa 4 NC @ 10 v ± 30V 110 pf @ 100 v - 38W (TC)
STPS40L40CW STMicroelectronics STPS40L40CW -
RFQ
ECAD 3923 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 STPS40 Schottky TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 20A 530 mV @ 20 a 800 µa @ 40 v 150 ° C (°)
STD11N65M5 STMicroelectronics STD11N65M5 1.9500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD11 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 9A (TC) 10V 480mohm @ 4.5a, 10V 5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 25V 620 pf @ 100 v - 85W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고