전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 현재의 | 전압 | 전압 - 분리 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 트리 트리 유형 | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 노이즈 노이즈 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2sta1837 | - | ![]() | 9614 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | 2sta | 20 W. | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-10864-5 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | 230 v | 1 a | 1µA (ICBO) | PNP | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 100ma, 5V | 70MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGF20H60DF | 2.6300 | ![]() | 632 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STGF20 | 기준 | 37 W. | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 20A, 10ohm, 15V | 90 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 40 a | 80 a | 2V @ 15V, 20A | 209µJ (on), 261µJ (OFF) | 115 NC | 42.5ns/177ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP127FP | - | ![]() | 9407 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | 팁 127 | 2 w | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 5 a | 500µA | pnp- 달링턴 | 4V @ 20MA, 5A | 1000 @ 3A, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | let9060str | - | ![]() | 553 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 80 v | PowerSO-10RF 노출 된 바닥 패드 패드 (2 개의 직선 리드 리드) | let9060 | 960MHz | LDMOS | PowerSO-10RF (직선 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 600 | 12a | 300 MA | 60W | 17.2db | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BTB06-600CWRG | 1.5400 | ![]() | 2499 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Snubberless ™ | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BTB06 | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 35 MA | 대안 - 너버리스 스 | 600 v | 6 a | 1.3 v | 60a, 63a | 35 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPS20SM60ST | - | ![]() | 5093 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STPS20 | Schottky | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 630 mv @ 20 a | 85 µa @ 60 v | 150 ° C (°) | 20A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW42N65M5 | 10.9900 | ![]() | 6867 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ v | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW42 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-8796-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 33A (TC) | 10V | 79mohm @ 16.5a, 10V | 5V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 25V | 4650 pf @ 100 v | - | 190W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ACST8-8CT | - | ![]() | 8171 | 0.00000000 | stmicroelectronics | ASD ™ | 튜브 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | ACST8 | TO-220 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 40 MA | 기준 | 800 v | 8 a | 1.5 v | 80a, 85a | 30 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS20SM60SR | 1.4200 | ![]() | 785 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | STPS20 | Schottky | i2pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 630 mv @ 20 a | 85 µa @ 60 v | 150 ° C (°) | 20A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH1R06U | 0.5500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | STTH1 | 기준 | SMB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.7 V @ 1 a | 45 ns | 1 µa @ 600 v | 175 ° C (°) | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
tip112 | 0.8800 | ![]() | 7205 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | tip112 | 2 w | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 2 a | 2MA | npn-달링턴 | 2.5V @ 8MA, 2A | 1000 @ 1a, 4v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPSC10H065D | 4.2700 | ![]() | 9575 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | STPSC10 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 650 v | 1.75 V @ 10 a | 0 ns | 100 µa @ 650 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 10A | 480pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1610T-8FP | 2.3400 | ![]() | 994 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | T1610 | TO-220FPAB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 15 MA | 논리 - 게이트 민감한 | 800 v | 16 a | 1.3 v | 120a, 126a | 10 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STIPN1M50-H | 6.9400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | stmicroelectronics | SLLIMM ™ | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | 구멍을 구멍을 | 26-powerdip ip (0.846 ", 21.48mm) | MOSFET | stipn1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 17 | 3 상 인버터 | 1 a | 500 v | 1000VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD5NM60T4 | 2.5600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD5NM60 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 5A (TC) | 10V | 1ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 30V | 400 pf @ 25 v | - | 96W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD1HN60K3 | 1.5900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh3 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | std1hn60 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 1.2A (TC) | 10V | 8ohm @ 600ma, 10V | 4.5V @ 50µA | 9.5 nc @ 10 v | ± 30V | 140 pf @ 50 v | - | 27W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STY130NF20D | - | ![]() | 2471 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STY130 | MOSFET (금속 (() | Max247 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 200 v | 130A (TC) | 10V | 12MOHM @ 65A, 10V | 4V @ 250µA | 338 NC @ 10 v | ± 20V | 11100 pf @ 25 v | - | 450W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPSC4H065D | 2.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | STPSC4 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 650 v | 1.75 V @ 4 a | 0 ns | 40 µa @ 650 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 4a | 200pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPSC15H12WL | 9.3300 | ![]() | 635 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Ecopack®2 | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-247-2 (7 리드) | STPSC15 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | DO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-17640 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 30 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 1200 v | 1.5 v @ 15 a | 0 ns | 90 µa @ 1200 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 15a | 1200pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BTA06-600SWRG | 1.6000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BTA06 | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 15 MA | 논리 - 게이트 민감한 | 600 v | 6 a | 1.3 v | 60a, 63a | 10 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACST6-8SG | - | ![]() | 4271 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | ACST6 | D2PAK | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 25 MA | 논리 - 게이트 민감한 | 800 v | 1.5 a | 1.5 v | 45a, 50a | 10 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT48ZFILM | 0.3400 | ![]() | 271 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123 | BAT48 | Schottky | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 750 mv @ 200 ma | 25 µa @ 40 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 350ma | 30pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD90N03L-1 | - | ![]() | 1875 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ iii | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | STD90 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 5V, 10V | 5.7mohm @ 40a, 10V | 1V @ 250µA | 32 NC @ 5 v | ± 20V | 2805 pf @ 25 v | - | 95W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stf8nm60n | - | ![]() | 1257 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | stf8n | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 7A (TC) | 10V | 650mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 25V | 560 pf @ 50 v | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS2545CGY-TR | 1.0709 | ![]() | 4754 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STPS2545 | Schottky | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 12.5A | 840 mV @ 25 a | 125 µa @ 45 v | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STTH3010WY | 4.3300 | ![]() | 2504 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-247-2 (7 리드) | STTH3010 | 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-13282-5 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 30 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 2 V @ 30 a | 100 ns | 15 µa @ 1000 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH108A | 0.6700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | STTH108 | 기준 | SMA (DO-214AC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 800 v | 1.65 V @ 1 a | 75 ns | 5 µa @ 800 v | 175 ° C (°) | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL4LN80K5 | 0.7204 | ![]() | 5060 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL4 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (5x6) VHV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 800 v | 3A (TC) | 10V | 2.6ohm @ 1.2a, 10V | 5V @ 100µa | 4 NC @ 10 v | ± 30V | 110 pf @ 100 v | - | 38W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS40L40CW | - | ![]() | 3923 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STPS40 | Schottky | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 30 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 40 v | 20A | 530 mV @ 20 a | 800 µa @ 40 v | 150 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD11N65M5 | 1.9500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ v | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD11 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 650 v | 9A (TC) | 10V | 480mohm @ 4.5a, 10V | 5V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 25V | 620 pf @ 100 v | - | 85W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고