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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 -홀드 (ih) (최대) 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
STW54NK30Z STMicroelectronics STW54NK30Z -
RFQ
 ECAD 6852 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW54N MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 600 n 채널 300 v 54A (TC) 10V 60mohm @ 27a, 10V 4.5V @ 150µA 221 NC @ 10 v ± 30V 4960 pf @ 25 v - 300W (TC)
STPS8L30DEE-TR STMicroelectronics stps8l30dee-tr 1.1700
RFQ
 ECAD 554 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn STPS8 Schottky Powerflat ™ (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 8 a 1 ma @ 30 v 150 ° C (°) 8a -
STTH2R02A STMicroelectronics STTH2R02A 0.6600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA STTH2 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 2 a 30 ns 3 µa @ 200 v 175 ° C (°) 2A -
STTH30R04G-TR STMicroelectronics STTH30R04G-TR 2.9200
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STTH30 기준 D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.45 V @ 30 a 100 ns 15 µa @ 400 v -40 ° C ~ 175 ° C 30A -
RF2L36040CF2 STMicroelectronics RF2L36040CF2 63.5250
RFQ
 ECAD 6489 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 활동적인 60 v 표면 표면 2L-FLG RF2L36040 2.7GHz ~ 3.6GHz LDMOS A2 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-RF2L36040CF2 160 - 1µA 40W 14db -
TN1605H-6T STMicroelectronics TN1605H-6T 1.1200
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 TN1605 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-17322 귀 99 8541.30.0080 50 20 MA 600 v 16 a 1.3 v 140a, 153a 6 MA 1.6 v 10 a 5 µA 표준 표준
ULQ2003D1 STMicroelectronics ULQ2003D1 -
RFQ
 ECAD 7222 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ULQ2003 - 16- 형의 행위 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-3085-5 귀 99 8541.29.0095 50 50V 500ma - 7 npn 달링턴 1.6V @ 500µa, 350ma 1000 @ 350MA, 2V -
T1210T-8FP STMicroelectronics T1210T-8FP 1.7500
RFQ
 ECAD 794 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 T1210 TO-220FPAB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 15 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 12 a 1.3 v 90a, 95a 10 MA
STB130N6F7 STMicroelectronics STB130N6F7 2.2100
RFQ
 ECAD 901 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ F7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB130 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 80A (TC) 10V 5MOHM @ 40A, 10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 25 v - 160W (TC)
STL50NH3LL STMicroelectronics stl50nh3ll 1.4900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL50 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 27A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 6.5a, 10V 1V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 16V 965 pf @ 25 v - 60W (TC)
STPS20SM60CR STMicroelectronics STPS20SM60CR 1.4200
RFQ
 ECAD 990 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STPS20 Schottky i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 645 mV @ 10 a 40 @ 60 v 150 ° C (°)
BTB16-600BWRG STMicroelectronics BTB16-600BWRG 1.8800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 stmicroelectronics Snubberless ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BTB16 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 50 MA 대안 - 너버리스 스 600 v 16 a 1.3 v 160a, 168a 50 MA
STPS1H100UY STMicroelectronics STPS1H100UY 0.6000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 stmicroelectronics Q 자동차 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB STPS1 Schottky SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 770 mv @ 1 a 4 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C 1A -
STTH15RQ06G2Y-TR STMicroelectronics STTH15RQ06G2Y-TR 1.8700
RFQ
 ECAD 358 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, ECOPACK®2 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STTH15 기준 D2PAK HV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.95 V @ 15 a 50 ns 20 µa @ 600 v -40 ° C ~ 175 ° C 15a -
2N5192 STMicroelectronics 2N5192 -
RFQ
 ECAD 7305 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 2N51 40 W. SOT-32-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 80 v 4 a 1MA NPN 1.4v @ 1a, 4a 20 @ 1.5a, 2v 2MHz
STW7N90K5 STMicroelectronics STW7N90K5 3.0700
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ K5 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 stw7n90 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-17081 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 900 v 7A (TC) 10V - 5V @ 100µa ± 30V - 110W (TC)
STP10NM65N STMicroelectronics stp10nm65n -
RFQ
 ECAD 2443 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP10 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 9A (TC) 10V 480mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 25V 850 pf @ 50 v - 90W (TC)
BTB12-700SWRG STMicroelectronics BTB12-700SWRG -
RFQ
 ECAD 8384 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BTB12 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-4179-5 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 15 MA 논리 - 게이트 민감한 700 v 12 a 1.3 v 120a, 126a 10 MA
MJE210 STMicroelectronics MJE210 -
RFQ
 ECAD 6879 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 MJE210 1.5 w SOT-32-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 25 v 5 a 100NA (ICBO) PNP 1.8v @ 1a, 5a 45 @ 2A, 1V 65MHz
BUL1102E STMicroelectronics bul1102e 1.5200
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 Bul1102 70 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 450 v 4 a 100µA NPN 1.5V @ 400MA, 2A 12 @ 2a, 5V -
T850H-6I STMicroelectronics T850H-6I 0.5498
RFQ
 ECAD 8355 0.00000000 stmicroelectronics Snubberless ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 T850 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2,000 하나의 75 MA 대안 - 너버리스 스 600 v 8 a 1 v 80a, 84a 50 MA
STD15P6F6AG STMicroelectronics std15p6f6ag 1.0300
RFQ
 ECAD 2144 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ F6 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD15 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 10A (TC) 10V 160mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 6.4 NC @ 10 v ± 20V 340 pf @ 48 v - 35W (TC)
STP80NF55L-06 STMicroelectronics STP80NF55L-06 -
RFQ
 ECAD 8249 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP80 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 80A (TC) 5V, 10V 6.5mohm @ 40a, 10V 1V @ 250µA 136 NC @ 5 v ± 16V 4850 pf @ 25 v - 300W (TC)
BTA26-800BRG STMicroelectronics BTA26-800BRG 6.1600
RFQ
 ECAD 585 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 상위 3 절연 개 BTA26 상위 3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 30 하나의 80 MA 기준 800 v 25 a 1.3 v 250A, 260A 50 MA
STPS140U STMicroelectronics STPS140U 0.4600
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB STPS140 Schottky SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 12 µa @ 40 v 150 ° C (°) 1A -
STF23NM50N STMicroelectronics STF23NM50N 5.6200
RFQ
 ECAD 4569 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF23 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 17A (TC) 10V 190mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 25V 1330 pf @ 50 v - 30W (TC)
ST13005 STMicroelectronics ST13005 1.1200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 ST13005 75 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400 v 4 a 1MA NPN 1v @ 1a, 4a 8 @ 2a, 5V -
STTH3L06UFY STMicroelectronics STTH3L06UFY 0.6000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, ECOPACK®2 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 STTH3 기준 smbflat 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.4 V @ 3 a 70 ns 3 µa @ 600 v -40 ° C ~ 175 ° C 3A -
STTH2L06UFY STMicroelectronics STTH2L06UFY 0.6800
RFQ
 ECAD 1451 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, ECOPACK®2 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 STTH2 기준 smbflat 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.4 V @ 2 a 70 ns 2 µa @ 600 v -40 ° C ~ 175 ° C 2A -
STW70N65DM6-4 STMicroelectronics STW70N65DM6-4 14.4100
RFQ
 ECAD 4787 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 STW70 MOSFET (금속 (() TO-247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-STW70N65DM6-4 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 68A (TC) 10V 40mohm @ 34a, 10V 4.75V @ 250µA 125 nc @ 10 v ± 25V 4900 pf @ 100 v - 450W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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