| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 테스트 조건 | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 적극적 활동 | 전압 - 꺼짐 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 모델 지수 | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| T3035H-8T | 2.4600 | ![]() | 977 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 스너비스™ | 튜브 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | T3035 | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 60mA | 터니스터 - 스너비스 | 800V | 30A | 1.3V | 283A, 270A | 35mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP6N52K3 | - | ![]() | 9412 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬3™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP6N | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 525V | 5A(Tc) | 10V | 1.2옴 @ 2.5A, 10V | 50μA에서 4.5V | 26nC @ 10V | ±30V | 50V에서 670pF | - | 70W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BTA16-800BWRG | 2.4600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 스너비스™ | 튜브 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | BTA16 | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 50mA | 터니스터 - 스너비스 | 800V | 16A | 1.3V | 160A, 168A | 50mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STE88N65M5 | 40.1300 | ![]() | 8959 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ V | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 방역 | 동위원소 | STE88 | MOSFET(금속) | 동위원소 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-15265-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | N채널 | 650V | 88A(Tc) | 10V | 29m옴 @ 42A, 10V | 5V @ 250μA | 204nC @ 10V | ±25V | 100V에서 8825pF | - | 494W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF35N60DM2 | 6.0300 | ![]() | 280 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ DM2 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | STF35 | MOSFET(금속) | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-16358-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 28A(TC) | 10V | 110m옴 @ 14A, 10V | 5V @ 250μA | 54nC @ 10V | ±25V | 100V에서 2400pF | - | 40W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPST2H100AFY | 0.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101, ECOPACK®2 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SOD-128 | STPST2 | 쇼트키 | SOD128플랫 | - | 1(무제한) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 100V | 805mV @ 2A | 100V에서 2.7μA | -40°C ~ 175°C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STH175N4F6-6AG | 2.0200 | ![]() | 591 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101, STripFET™ F6 | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STH175 | MOSFET(금속) | H2Pak-2 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 40V | 120A(Tc) | 10V | 2.4m옴 @ 60A, 10V | 250μA에서 4.5V | 130nC @ 10V | ±20V | 20V에서 7735pF | - | 150W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD9HN65M2 | - | ![]() | 6351 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ M2 | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 성병9H | MOSFET(금속) | DPAK | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 650V | 5.5A(Tc) | 10V | 820m옴 @ 2.5A, 10V | 4V @ 250μA | 11.5nC @ 10V | ±25V | 100V에서 325pF | - | 60W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STS15N4LLF3 | - | ![]() | 3146 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | STS15 | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 40V | 15A(Tc) | 4.5V, 10V | 5m옴 @ 7.5A, 10V | 1V @ 250μA | 28nC @ 4.5V | ±16V | 2530pF @ 25V | - | 2.7W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGF19NC60KD | 2.7200 | ![]() | 6359 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 파워메쉬™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | STGF19 | 기준 | 32W | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 12A, 10옴, 15V | 31ns | - | 600V | 16A | 75A | 2.75V @ 15V, 12A | 165μJ(켜짐), 255μJ(꺼짐) | 55nC | 30ns/105ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUZ10 | - | ![]() | 2053년 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | BUZ10 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-2728-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 50V | 23A(TC) | 10V | 70m옴 @ 14A, 10V | 4V @ 1mA | ±20V | 25V에서 900pF | - | 75W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF4L15400CB4 | 217.8000 | ![]() | 1394 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 대부분 | 활동적인 | 90V | 방역 | D4E | RF4L15400 | 1.2GHz ~ 1.5GHz | LDMOS | D4E | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-RF4L15400CB4 | 100 | - | 1μA | 1.5A | 400W | 18.5dB | - | 40V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC107B | - | ![]() | 7561 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 107년 | 300mW | TO-18 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD25NF20 | 2.5100 | ![]() | 6498 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101, STripFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 성병25 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 200V | 18A(TC) | 10V | 125m옴 @ 10A, 10V | 4V @ 250μA | 39nC @ 10V | ±20V | 25V에서 940pF | - | 110W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD170N4F7AG | - | ![]() | 7319 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101, STripFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 성병17 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 40V | 80A(Tc) | 10V | 2.8m옴 @ 40A, 10V | 4V @ 250μA | 63nC @ 10V | ±20V | 4350pF @ 25V | - | 172W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIP32C | 0.7300 | ![]() | 7787 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TIP32 | 2W | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 100V | 3A | 300μA | PNP | 1.2V @ 375mA, 3A | 10 @ 3A, 4V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH1512GY-TR | 3.1000 | ![]() | 1457 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STTH1512 | 기준 | D²PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-14190-1 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1200V | 1.9V @ 15A | 105ns | 1200V에서 15μA | -40°C ~ 175°C | 15A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STS20N3LLH6 | - | ![]() | 7264 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | DeepGATE™, STripFET™ VI | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | STS20 | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 20A(TC) | 4.5V, 10V | 4.7m옴 @ 10A, 10V | 1V @ 250μA | 17nC @ 4.5V | ±20V | 25V에서 1690pF | - | 2.7W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF24N65M2 | 2.9700 | ![]() | 271 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ M2 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | STF24 | MOSFET(금속) | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 16A(티씨) | 10V | 230m옴 @ 8A, 10V | 4V @ 250μA | 29nC @ 10V | ±25V | 100V에서 1060pF | - | 30W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUL741 | 1.2400 | ![]() | 9859 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | BUL741 | 60W | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 400V | 2.5A | 250μA | NPN | 1.5V @ 600mA, 2A | 25 @ 450mA, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS1150A | 0.4300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | DO-214AC, SMA | STPS1150 | 쇼트키 | SMA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 150V | 820mV @ 1A | 150V에서 1μA | 175°C(최대) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP127FP | - | ![]() | 9407 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TIP127 | 2W | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 100V | 5A | 500μA | PNP-달링턴 | 4V @ 20mA, 5A | 1000 @ 3A, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STP5NK50ZFP | 1.9700 | ![]() | 866 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬™ | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | STP5NK50 | MOSFET(금속) | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 500V | 4.4A(Tc) | 10V | 1.5옴 @ 2.2A, 10V | 50μA에서 4.5V | 28nC @ 10V | ±30V | 25V에서 535pF | - | 70W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS40L15CW | 2.8500 | ![]() | 3435 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | TO-247-3 | STPS40 | 쇼트키 | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍씩 시작됩니다 | 15V | 20A | 410mV @ 19A | 6mA @ 15V | 125°C(최대) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STTH3002CT | 2.3700 | ![]() | 4144 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-3 | STTH3002 | 기준 | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍씩 시작됩니다 | 200V | 15A | 1.05V @ 15A | 22ns | 200V에서 20μA | 175°C(최대) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STFI6N65K3 | 6.6400 | ![]() | 500 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬3™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 풀팩, I²Pak | STFI6N | MOSFET(금속) | I2PAKFP (TO-281) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 5.4A(Tc) | 10V | 1.3옴 @ 2.7A, 10V | 50μA에서 4.5V | 33nC @ 10V | ±30V | 50V에서 880pF | - | 30W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL7NM60N | - | ![]() | 4664 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ II | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 14-PowerVQFN | STL7 | MOSFET(금속) | 14-PowerFLAT™(5x5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 600V | 5.8A(Tc) | 10V | 900m옴 @ 2.5A, 10V | 4V @ 250μA | 14nC @ 10V | ±25V | 50V에서 363pF | - | 68W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH12R06D | 2.0500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-2 | STTH12 | 기준 | TO-220AC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 600V | 2.9V @ 12A | 45ns | 600V에서 45μA | 175°C(최대) | 12A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCTH40N120G2V-7 | 20.2800 | ![]() | 6222 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | SCTH40 | SiCFET(탄화규소) | H2PAK-7 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-SCTH40N120G2V-7TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 1200V | 36A(티씨) | 18V | 100m옴 @ 20A, 18V | 4.9V @ 1mA | 61nC @ 18V | +22V, -10V | 800V에서 1233pF | - | 238W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS70W필름 | - | ![]() | 3090 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BAS70 | 쇼트키 | SOT-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 70V | 1V @ 15mA | 70V에서 10μA | 150°C(최대) | 70mA | 2pF @ 0V, 1MHz |

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