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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 -홀드 (ih) (최대) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
STB25NM50N STMicroelectronics STB25NM50N -
RFQ
 ECAD 1722 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB25N MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 22A (TC) 10V 140mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 25V 2565 pf @ 25 v - 160W (TC)
STPS20S100CT STMicroelectronics STPS20S100ct 1.3200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 STPS20 Schottky TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 850 mv @ 10 a 3.5 µa @ 100 v 175 ° C (°)
T435-800T STMicroelectronics T435-800T 1.3300
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 stmicroelectronics Snubberless ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 T435 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 35 MA 대안 - 너버리스 스 800 v 4 a 1.3 v 30a, 31a 35 MA
STTH8R04G STMicroelectronics STTH8R04G -
RFQ
 ECAD 7026 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STTH8R04 기준 D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.5 v @ 8 a 50 ns 10 µa @ 400 v -40 ° C ~ 175 ° C 8a -
TYN1012RG STMicroelectronics Tyn1012RG 2.9600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 Tyn1012 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 30 MA 1kv 12 a 1.3 v 140a, 145a 15 MA 1.6 v 8 a 5 µA 표준 표준
2STF2360 STMicroelectronics 2stf2360 0.5900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2stf2360 1.4 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 60 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 150ma, 3a 160 @ 1a, 2v 130MHz
STPS40L45CG STMicroelectronics STPS40L45CG -
RFQ
 ECAD 7606 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STPS40 Schottky D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 20A 530 mV @ 20 a 600 µa @ 45 v 150 ° C (°)
STTH6010W STMicroelectronics STTH6010W 5.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 do-247-2 (7 리드) STTH6010 기준 DO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-5160-5 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 2 V @ 60 a 115 ns 20 µa @ 1000 v 175 ° C (°) 60a -
STPS16150CG-TR STMicroelectronics STPS16150CG-TR -
RFQ
 ECAD 1795 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STPS16150 Schottky D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 8a 920 MV @ 8 a 3 µa @ 150 v 175 ° C (°)
ACST12-7CG-TR STMicroelectronics ACST12-7CG-TR 2.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB ACST12 D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 50 MA 기준 700 v 12 a 1 v 120a, 126a 35 MA
STGIB20M60S-XZ STMicroelectronics STGIB20M60S-XZ 17.4875
RFQ
 ECAD 2643 0.00000000 stmicroelectronics sllimm -2nd 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 26-powerdip ip (1.146 ", 29.10mm) IGBT STGIB20 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-STGIB20M60S-XZ 귀 99 8542.39.0001 156 3 상 인버터 25 a 600 v 1600VRMS
STTH806D STMicroelectronics STTH806D 2.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 마지막으로 마지막으로 구멍을 구멍을 TO-220-2 STTH806 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.85 V @ 8 a 55 ns 8 µa @ 600 v 175 ° C (°) 8a -
STPST12H100SF STMicroelectronics STPST12H100SF 0.9400
RFQ
 ECAD 7605 0.00000000 stmicroelectronics Ecopack®2 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn STPST12 Schottky TO-277A (SMPC) - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 710 MV @ 12 a 24 µa @ 100 v 175 ° C 12a -
STB45N50DM2AG STMicroelectronics STB45N50DM2AG 6.6500
RFQ
 ECAD 2228 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, MDMESH ™ DM2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB45 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-16134-2 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 35A (TC) 10V 84mohm @ 17.5a, 10V 5V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 25V 2600 pf @ 100 v - 250W (TC)
STP28NM60ND STMicroelectronics STP28NM60nd 6.7000
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 stmicroelectronics FDMESH ™ II 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP28 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 23A (TC) 10V 150mohm @ 11.5a, 10V 5V @ 250µA 62.5 nc @ 10 v ± 25V 2090 pf @ 100 v - 190W (TC)
X0202DA 5BL2 STMicroelectronics X0202DA 5BL2 -
RFQ
 ECAD 4203 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 x0202 To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2,000 5 MA 400 v 1.25 a 800 MV 22.5a, 25a 200 µA 1.45 v 800 MA 5 µA 민감한 민감한
STPS10H100SFY STMicroelectronics STPS10H100SFY 0.8900
RFQ
 ECAD 4771 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn STPS10 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 10A 845 MV @ 10 a 8 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C
STTH810GY-TR STMicroelectronics STTH810GY-TR 2.0600
RFQ
 ECAD 8016 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STTH810 기준 d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 2 V @ 8 a 85 ns 5 µa @ 1000 v -40 ° C ~ 175 ° C 8a -
T820T-6I STMicroelectronics T820T-6I 0.9417
RFQ
 ECAD 7320 0.00000000 stmicroelectronics Snubberless ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 T820 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 25 MA 대안 - 너버리스 스 600 v 8 a 1.3 v 60a, 63a 20 MA
STTH10BC065CT STMicroelectronics STTH10BC065CT -
RFQ
 ECAD 3185 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 STTH10 기준 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 650 v 5a 3.2 v @ 5 a 70 ns 2.5 µa @ 650 v -
STTH30L06CG STMicroelectronics STTH30L06CG -
RFQ
 ECAD 6034 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STTH30 기준 D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 20A 1.55 V @ 15 a 85 ns 15 µa @ 600 v 175 ° C (°)
BAS69KFILM STMicroelectronics BAS69KFILM -
RFQ
 ECAD 1969 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-79, SOD-523 BAS69 Schottky SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 15 v 570 mV @ 10 ma 230 na @ 15 v 150 ° C (°) 10MA 1pf @ 0V, 1MHz
STL15N60DM6 STMicroelectronics STL15N60DM6 1.0473
RFQ
 ECAD 4378 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL15 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) HV - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-STL15N60DM6 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 8.5A (TC) 10V 372mohm @ 3.8a, 10V 4.75V @ 250µA 15.3 NC @ 10 v ± 25V 607 pf @ 100 v - 64W (TC)
STF40N65M2 STMicroelectronics STF40N65M2 -
RFQ
 ECAD 7039 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF40 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 32A (TC) 10V 99mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 56.5 nc @ 10 v ± 25V 2355 pf @ 100 v - 25W (TC)
BULD742CT4 STMicroelectronics buld742ct4 1.1100
RFQ
 ECAD 8624 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 buld742 45 W. DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400 v 4 a 250µA NPN 1.5V @ 1A, 3.5A 25 @ 800ma, 3v -
FERD20M60SR STMicroelectronics Ferd20m60sr 1.3100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 마지막으로 마지막으로 구멍을 구멍을 to-262-3 2 팩 팩, i²pak ferd20 ferd (효과 필드 정류기 정류기 다이오드) i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 560 mV @ 20 a 230 µa @ 60 v 175 ° C (°) 20A -
STW28NK60Z STMicroelectronics STW28NK60Z -
RFQ
 ECAD 8570 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW28N MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-4424-5 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 27A (TC) 10V 185mohm @ 13.5a, 10V 4.5V @ 150µA 264 NC @ 10 v ± 30V 6350 pf @ 25 v - 350W (TC)
SD57120 STMicroelectronics SD57120 -
RFQ
 ECAD 3972 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 65 v M252 SD57120 960MHz LDMOS M252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 14a 800 MA 120W 14db - 28 v
STP36NF06L STMicroelectronics STP36NF06L 1.5400
RFQ
 ECAD 6131 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP36 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 30A (TC) 5V, 10V 40mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 17 nc @ 5 v ± 18V 660 pf @ 25 v - 70W (TC)
STTH3002CT STMicroelectronics STTH3002CT 2.3700
RFQ
 ECAD 4144 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 STTH3002 기준 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 15a 1.05 V @ 15 a 22 ns 20 µa @ 200 v 175 ° C (°)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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