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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 얻다 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
STTH602CFP STMicroelectronics STTH602CFP -
RFQ
 ECAD 6381 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STTH602 기준 TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 3A 1.1 v @ 3 a 30 ns 3 µa @ 200 v 175 ° C (°)
STW31N65M5 STMicroelectronics STW31N65M5 4.9900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW31 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 22A (TC) 10V 148mohm @ 11a, 10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 25V 816 pf @ 100 v - 150W (TC)
STBV42G-AP STMicroelectronics STBV42G-AP -
RFQ
 ECAD 6148 0.00000000 stmicroelectronics - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 STBV42 1 W. TO-92AP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 400 v 1 a 1MA NPN 1.5V @ 250ma, 750ma 10 @ 400ma, 5V -
STGWA25H120F2 STMicroelectronics STGWA25H120F2 6.4400
RFQ
 ECAD 6772 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGWA25 기준 375 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 1200 v 50 a 100 a 2.6V @ 15V, 25A 600µJ (on), 700µJ (OFF) 100 NC 29ns/130ns
STP5NK80ZFP STMicroelectronics STP5NK80ZFP 2.6100
RFQ
 ECAD 8287 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STP5NK80 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 4.3A (TC) 10V 2.4ohm @ 2.15a, 10V 4.5V @ 100µa 45.5 nc @ 10 v ± 30V 910 pf @ 25 v - 30W (TC)
STPS20200CTN STMicroelectronics STPS20200CTN -
RFQ
 ECAD 3082 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 STPS20200 Schottky to-220Ab 좁은 ab 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 860 mV @ 10 a 15 µa @ 200 v -40 ° C ~ 175 ° C
STD55N4F5 STMicroelectronics STD55N4F5 -
RFQ
 ECAD 2316 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ v 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD55N MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 55A (TC) 10V 8.5mohm @ 27.5a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 60W (TC)
STPS20M60CR STMicroelectronics STPS20M60CR 1.5000
RFQ
 ECAD 984 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STPS20 Schottky i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 570 mV @ 10 a 65 µA @ 60 v 150 ° C (°)
SD1405 STMicroelectronics SD1405 -
RFQ
 ECAD 1957 0.00000000 stmicroelectronics - 상자 쓸모없는 200 ° C (TJ) 표면 표면 M174 SD1405 270W M174 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 13db 18V 20A NPN 20 @ 5a, 5V - -
STL36N60M6 STMicroelectronics STL36N60M6 8.8200
RFQ
 ECAD 113 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL36 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (8x8) HV 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 497-19062-2 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 110mohm @ 12.5a, 10V 4.75V @ 250µA 44.3 NC @ 10 v ± 25V 1960 pf @ 100 v - 160W (TC)
STD90N03L-1 STMicroelectronics STD90N03L-1 -
RFQ
 ECAD 1875 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ iii 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA STD90 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 80A (TC) 5V, 10V 5.7mohm @ 40a, 10V 1V @ 250µA 32 NC @ 5 v ± 20V 2805 pf @ 25 v - 95W (TC)
STGIB20M60S-XZ STMicroelectronics STGIB20M60S-XZ 17.4875
RFQ
 ECAD 2643 0.00000000 stmicroelectronics sllimm -2nd 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 26-powerdip ip (1.146 ", 29.10mm) IGBT STGIB20 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-STGIB20M60S-XZ 귀 99 8542.39.0001 156 3 상 인버터 25 a 600 v 1600VRMS
T1210T-8FP STMicroelectronics T1210T-8FP 1.7500
RFQ
 ECAD 794 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 T1210 TO-220FPAB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 15 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 12 a 1.3 v 90a, 95a 10 MA
STL50DN6F7 STMicroelectronics stl50dn6f7 1.6900
RFQ
 ECAD 6270 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL50 MOSFET (금속 (() 62.5W Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 57A (TC) 11mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 17nc @ 10V 1035pf @ 30v -
ACST6-8SG-TR STMicroelectronics ACST6-8SG-TR -
RFQ
 ECAD 5384 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB ACST6 D2PAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 25 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 1.5 a 1.5 v 45a, 50a 10 MA
Z0103MA 1AA2 STMicroelectronics Z0103MA 1AA2 0.6900
RFQ
 ECAD 7846 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Z0103 To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 5,000 하나의 7 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 1 a 1.3 v 8A, 8.5A 3 MA
STW150NF55 STMicroelectronics STW150NF55 -
RFQ
 ECAD 7510 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW150 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 600 n 채널 55 v 120A (TC) 10V 60A, 60A, 10V 4V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 20V 4400 pf @ 25 v - 300W (TC)
STPS360AFY STMicroelectronics STPS360AFY 0.4300
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 STPS360 Schottky SOD128FLAT 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 610 mV @ 3 a 150 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C 3A -
STF20N65M5 STMicroelectronics STF20N65M5 3.2600
RFQ
 ECAD 3843 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF20 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 18A (TC) 10V 190mohm @ 9a, 10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 25V 1345 pf @ 100 v - 30W (TC)
STF3N80K5 STMicroelectronics STF3N80K5 2.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF3N80 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 2.5A (TC) 10V 3.5ohm @ 1a, 10V 5V @ 100µa 9.5 nc @ 10 v ± 30V 130 pf @ 100 v - 20W (TC)
2N2102 STMicroelectronics 2N2102 -
RFQ
 ECAD 4588 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N21 1 W. To-39 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 65 v 1 a 2NA (ICBO) NPN 500mv @ 15ma, 150ma 40 @ 150ma, 10V -
STGIPS10K60A STMicroelectronics stgips10k60a -
RFQ
 ECAD 8233 0.00000000 stmicroelectronics SLLIMM ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 25-powerdip ip (0.993 ", 25.23mm) IGBT STGIPS10 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-10404-5 귀 99 8541.29.0095 11 3 단계 10 a 600 v 2500VDC
STD19NF06L STMicroelectronics STD19NF06L -
RFQ
 ECAD 9339 0.00000000 stmicroelectronics * 테이프 & tr (TR) 활동적인 STD19 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 2,500
STPS30M60CR STMicroelectronics STPS30M60CR 1.2800
RFQ
 ECAD 959 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STPS30 Schottky i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 590 mV @ 15 a 80 @ 60 v 150 ° C (°)
STTH212U STMicroelectronics STTH212U 1.1000
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB STTH212 기준 SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.75 V @ 2 a 75 ns 10 µa @ 1200 v 175 ° C (°) 2A -
STW13NK60Z STMicroelectronics STW13NK60Z 3.0949
RFQ
 ECAD 8017 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW13 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 550mohm @ 4.5a, 10V 4.5V @ 100µa 92 NC @ 10 v ± 30V 2030 pf @ 25 v - 150W (TC)
T1250H-6G-TR STMicroelectronics T1250H-6G-TR 1.7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics Snubberless ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB T1250 D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 75 MA 대안 - 너버리스 스 600 v 12 a 1 v 120a, 126a 50 MA
STPSC406B-TR STMicroelectronics STPSC406B-TR 1.9300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STPSC406 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 600 v 1.9 v @ 4 a 0 ns 50 µa @ 600 v -40 ° C ~ 175 ° C 4a 200pf @ 0V, 1MHz
STGWA25H120DF2 STMicroelectronics STGWA25H120DF2 -
RFQ
 ECAD 9305 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGWA25 기준 375 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 10ohm, 15V 303 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 50 a 100 a 2.6V @ 15V, 25A 600µJ (on), 700µJ (OFF) 100 NC 29ns/130ns
STIPN1M50-H STMicroelectronics STIPN1M50-H 6.9400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 stmicroelectronics SLLIMM ™ 튜브 마지막으로 마지막으로 구멍을 구멍을 26-powerdip ip (0.846 ", 21.48mm) MOSFET stipn1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 17 3 상 인버터 1 a 500 v 1000VRMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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