전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 트리 트리 유형 | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 전압 -상태 (vtm) (최대) | 현재- it (it (av)) (max) | Current -Off State (Max) | scr 유형 | 노이즈 노이즈 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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T410-400T | - | ![]() | 2253 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | T410 | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 15 MA | 논리 - 게이트 민감한 | 400 v | 4 a | 1.3 v | 30a, 31a | 10 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS40M120CR | 1.5800 | ![]() | 84 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | STPS40 | Schottky | i2pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 120 v | 20A | 790 mV @ 20 a | 370 µa @ 120 v | 150 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPSC4H065D | 2.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | STPSC4 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 650 v | 1.75 V @ 4 a | 0 ns | 40 µa @ 650 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 4a | 200pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS30M60D | - | ![]() | 5023 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | STPS30 | Schottky | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-12321 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 605 MV @ 20 a | 165 µa @ 60 v | 150 ° C (°) | 30A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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stp10nm65n | - | ![]() | 2443 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP10 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 9A (TC) | 10V | 480mohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 25V | 850 pf @ 50 v | - | 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS15L45CB-TR | 1.9000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STPS15 | Schottky | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 7.5A | 520 MV @ 7.5 a | 1 ma @ 45 v | 150 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TN1605H-6T | 1.1200 | ![]() | 87 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | TN1605 | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-17322 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 20 MA | 600 v | 16 a | 1.3 v | 140a, 153a | 6 MA | 1.6 v | 10 a | 5 µA | 표준 표준 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB18N60M2 | 2.8400 | ![]() | 424 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II 플러스 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB18 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 13A (TC) | 10V | 280mohm @ 6.5a, 10V | 4V @ 250µA | 21.5 nc @ 10 v | ± 25V | 791 pf @ 100 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF3NK100Z | 3.8900 | ![]() | 6314 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF3NK100 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 1000 v | 2.5A (TC) | 10V | 6ohm @ 1.25a, 10V | 4.5V @ 50µA | 18 nc @ 10 v | ± 30V | 601 pf @ 25 v | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STH15NB50FI | - | ![]() | 6954 | 0.00000000 | stmicroelectronics | PowerMesh ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Isowatt-218-3 | STH15N | MOSFET (금속 (() | Isowatt-218 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-2783-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 500 v | 10.5A (TC) | 10V | 360mohm @ 7.5a, 10V | 5V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 30V | 3400 pf @ 25 v | - | 80W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP75NS04Z | 2.1200 | ![]() | 9837 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 메쉬 메쉬 ™ iii | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP75 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-5981-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 33 v | 80A (TC) | 10V | 11mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | 클램핑 | 1860 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STX117-AP | - | ![]() | 5731 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | STX117 | 1.2 w | TO-92AP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 100 v | 2 a | 2MA | PNP | 2.5V @ 8MA, 2A | 1000 @ 1a, 4v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 팁 142 | 2.4300 | ![]() | 2169 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 팁 142 | 125 w | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 100 v | 10 a | 2MA | npn-달링턴 | 3V @ 40MA, 10A | 1000 @ 5a, 4V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD5NK60ZT4 | 1.8100 | ![]() | 2996 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD5NK60 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 5A (TC) | 10V | 1.6ohm @ 2.5a, 10V | 4.5V @ 50µA | 34 NC @ 10 v | ± 30V | 690 pf @ 25 v | - | 90W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Ferd60m45ct | 2.0900 | ![]() | 118 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | ferd60 | ferd (효과 필드 정류기 정류기 다이오드) | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 30A | 550 mV @ 30 a | 550 µa @ 45 v | 175 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STT13005D-K | - | ![]() | 5007 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | STT13 | 45 W. | SOT-32-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | 400 v | 2 a | 250µA | NPN | 1.5V @ 400MA, 1.6A | 10 @ 500ma, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP24N60M2 | 2.8700 | ![]() | 990 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II 플러스 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP24 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-13556-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 18A (TC) | 10V | 190mohm @ 9a, 10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 25V | 1060 pf @ 100 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH1512GY-TR | 3.1000 | ![]() | 1457 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STTH1512 | 기준 | d²pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-14190-1 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1200 v | 1.9 V @ 15 a | 105 ns | 15 µa @ 1200 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 15a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z0409NF0AA2 | - | ![]() | 9732 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-202 탭이 2 | Z0409 | TO-202-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-16471-5 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 10 MA | 논리 - 게이트 민감한 | 800 v | 4 a | 1.3 v | 20A, 21A | 10 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYW51FP-200 | - | ![]() | 3763 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | BYW51 | 기준 | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 10A | 850 mV @ 8 a | 35 ns | 15 µa @ 200 v | 150 ° C (°) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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