SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 -홀드 (ih) (최대) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
T410-400T STMicroelectronics T410-400T -
RFQ
ECAD 2253 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 T410 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 15 MA 논리 - 게이트 민감한 400 v 4 a 1.3 v 30a, 31a 10 MA
STPS40M120CR STMicroelectronics STPS40M120CR 1.5800
RFQ
ECAD 84 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STPS40 Schottky i2pak 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 20A 790 mV @ 20 a 370 µa @ 120 v 150 ° C (°)
STPSC4H065D STMicroelectronics STPSC4H065D 2.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 STPSC4 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.75 V @ 4 a 0 ns 40 µa @ 650 v -40 ° C ~ 175 ° C 4a 200pf @ 0V, 1MHz
STPS30M60D STMicroelectronics STPS30M60D -
RFQ
ECAD 5023 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 STPS30 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-12321 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 605 MV @ 20 a 165 µa @ 60 v 150 ° C (°) 30A -
T410-600H STMicroelectronics T410-600H 1.1300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA T410 TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 75 하나의 15 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 4 a 1.3 v 30a, 31a 10 MA
STTH10R04G-TR STMicroelectronics STTH10R04G-TR 1.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STTH10 기준 D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.7 V @ 10 a 40 ns 10 µa @ 400 v 175 ° C (°) 10A -
STPS340U STMicroelectronics STPS340U 0.4300
RFQ
ECAD 5704 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB STPS340 Schottky SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 630 MV @ 3 a 20 µa @ 40 v 150 ° C (°) 3A -
STB21NM60N-1 STMicroelectronics STB21NM60N-1 -
RFQ
ECAD 1868 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STB21N MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-5728 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 17A (TC) 10V 220mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 25V 1900 pf @ 50 v - 140W (TC)
BDX33C STMicroelectronics BDX33C 1.3000
RFQ
ECAD 934 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BDX33 70 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 100 v 10 a 500µA npn-달링턴 2.5V @ 6MA, 3A 750 @ 3a, 3v -
STF16N65M2 STMicroelectronics STF16N65M2 2.5300
RFQ
ECAD 5089 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF16 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 360mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 19.5 nc @ 10 v ± 25V 718 pf @ 100 v - 25W (TC)
TN2010H-6I STMicroelectronics TN2010H-6I 1.3900
RFQ
ECAD 6661 0.00000000 stmicroelectronics Ecopack®2 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TN2010 to-220Ab 단열 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 497-TN2010H-6I 귀 99 8541.30.0080 50 40 MA 600 v 20 a 1.3 v 180a, 197a 10 MA 1.6 v 13 a 5 µA 표준 표준
TN2540-800G-TR STMicroelectronics TN2540-800G-TR 2.9200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB TN2540 D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1,000 50 MA 800 v 25 a 1.3 v 300A, 314A 40 MA 1.6 v 16 a 5 µA 표준 표준
STPS10120CT STMicroelectronics STPS10120CT 1.7300
RFQ
ECAD 50 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 STPS10120 Schottky TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 5a 850 mV @ 5 a 6 µa @ 120 v 175 ° C (°)
PD57002-E STMicroelectronics PD57002-E -
RFQ
ECAD 1219 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 65 v Powerso-10 0 바닥 패드 PD57002 960MHz LDMOS 10-Powerso 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 250ma 10 MA 2W 15db - 28 v
STP10NM65N STMicroelectronics stp10nm65n -
RFQ
ECAD 2443 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP10 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 9A (TC) 10V 480mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 25V 850 pf @ 50 v - 90W (TC)
STPS15L45CB-TR STMicroelectronics STPS15L45CB-TR 1.9000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STPS15 Schottky DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 7.5A 520 MV @ 7.5 a 1 ma @ 45 v 150 ° C (°)
TN1605H-6T STMicroelectronics TN1605H-6T 1.1200
RFQ
ECAD 87 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 TN1605 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-17322 귀 99 8541.30.0080 50 20 MA 600 v 16 a 1.3 v 140a, 153a 6 MA 1.6 v 10 a 5 µA 표준 표준
STB18N60M2 STMicroelectronics STB18N60M2 2.8400
RFQ
ECAD 424 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 플러스 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB18 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 280mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 21.5 nc @ 10 v ± 25V 791 pf @ 100 v - 110W (TC)
STF3NK100Z STMicroelectronics STF3NK100Z 3.8900
RFQ
ECAD 6314 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF3NK100 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1000 v 2.5A (TC) 10V 6ohm @ 1.25a, 10V 4.5V @ 50µA 18 nc @ 10 v ± 30V 601 pf @ 25 v - 25W (TC)
STH15NB50FI STMicroelectronics STH15NB50FI -
RFQ
ECAD 6954 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Isowatt-218-3 STH15N MOSFET (금속 (() Isowatt-218 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-2783-5 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 10.5A (TC) 10V 360mohm @ 7.5a, 10V 5V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 30V 3400 pf @ 25 v - 80W (TC)
STP75NS04Z STMicroelectronics STP75NS04Z 2.1200
RFQ
ECAD 9837 0.00000000 stmicroelectronics 메쉬 메쉬 ™ iii 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP75 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-5981-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 33 v 80A (TC) 10V 11mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v 클램핑 1860 pf @ 25 v - 110W (TC)
STX117-AP STMicroelectronics STX117-AP -
RFQ
ECAD 5731 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 STX117 1.2 w TO-92AP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 100 v 2 a 2MA PNP 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1a, 4v -
TIP142 STMicroelectronics 팁 142 2.4300
RFQ
ECAD 2169 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 팁 142 125 w TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 100 v 10 a 2MA npn-달링턴 3V @ 40MA, 10A 1000 @ 5a, 4V -
STD5NK60ZT4 STMicroelectronics STD5NK60ZT4 1.8100
RFQ
ECAD 2996 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD5NK60 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 5A (TC) 10V 1.6ohm @ 2.5a, 10V 4.5V @ 50µA 34 NC @ 10 v ± 30V 690 pf @ 25 v - 90W (TC)
FERD60M45CT STMicroelectronics Ferd60m45ct 2.0900
RFQ
ECAD 118 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 ferd60 ferd (효과 필드 정류기 정류기 다이오드) TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 30A 550 mV @ 30 a 550 µa @ 45 v 175 ° C (°)
STT13005D-K STMicroelectronics STT13005D-K -
RFQ
ECAD 5007 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 STT13 45 W. SOT-32-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 400 v 2 a 250µA NPN 1.5V @ 400MA, 1.6A 10 @ 500ma, 5V -
STP24N60M2 STMicroelectronics STP24N60M2 2.8700
RFQ
ECAD 990 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 플러스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP24 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-13556-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 18A (TC) 10V 190mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 25V 1060 pf @ 100 v - 150W (TC)
STTH1512GY-TR STMicroelectronics STTH1512GY-TR 3.1000
RFQ
ECAD 1457 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STTH1512 기준 d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-14190-1 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.9 V @ 15 a 105 ns 15 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 175 ° C 15a -
Z0409NF0AA2 STMicroelectronics Z0409NF0AA2 -
RFQ
ECAD 9732 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-202 탭이 2 Z0409 TO-202-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-16471-5 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 10 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 4 a 1.3 v 20A, 21A 10 MA
BYW51FP-200 STMicroelectronics BYW51FP-200 -
RFQ
ECAD 3763 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 BYW51 기준 TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 850 mV @ 8 a 35 ns 15 µa @ 200 v 150 ° C (°)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고