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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
STF11NM60N STMicroelectronics stf11nm60n -
RFQ
 ECAD 3990 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF11 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 450mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 25V 850 pf @ 50 v - 25W (TC)
PD85006-E STMicroelectronics PD85006-E -
RFQ
 ECAD 6587 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 40 v Powerso-10 0 바닥 패드 PD85006 870MHz LDMOS 10-Powerso - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 2A 200 MA 6W 17dB - 13.6 v
STTA3006CW STMicroelectronics STTA3006CW -
RFQ
 ECAD 5778 0.00000000 stmicroelectronics Turboswitch ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 STTA300 기준 TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 15a 1.8 v @ 15 a 65 ns 100 µa @ 480 v 150 ° C (°)
STO52N60DM6 STMicroelectronics STO52N60DM6 4.5000
RFQ
 ECAD 4980 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn STO52 MOSFET (금속 (() 통행료 (HV) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-STO52N60DM6 귀 99 8541.29.0095 1,800 n 채널 600 v 45A (TC) 10V 78mohm @ 22.5a, 10V 4.75V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 25V 2468 pf @ 100 v - 305W (TC)
STP6N65M2 STMicroelectronics STP6N65M2 1.1900
RFQ
 ECAD 957 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP6N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 4A (TC) 10V 1.35ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 9.8 nc @ 10 v ± 25V 226 pf @ 100 v - 60W (TC)
STGW60H65DFB-4 STMicroelectronics STGW60H65DFB-4 6.3100
RFQ
 ECAD 5167 0.00000000 stmicroelectronics HB 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 STGW60 기준 375 w TO-247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 600 400V, 60A, 10ohm, 15V 60 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 80 a 240 a 2V @ 15V, 60A 346µJ (on), 1.161mj (OFF) 306 NC 65NS/261NS
TN5050H-12PI STMicroelectronics TN5050H-12PI 5.6100
RFQ
 ECAD 9929 0.00000000 stmicroelectronics Ecopack®2 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 상위 3 TN5050 상위 3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-TN5050H-12PI 귀 99 8541.30.0080 30 100 MA 1.2kV 40 a 1.5 v 400A, 420A 50 MA 1.75 v 25 a 표준 표준
STH140N8F7-2 STMicroelectronics STH140N8F7-2 3.2800
RFQ
 ECAD 5646 0.00000000 stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ vii 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STH140 MOSFET (금속 (() H2PAK-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 80 v 90A (TC) 10V 4MOHM @ 45A, 10V 4.5V @ 250µA 96 NC @ 10 v ± 20V 6340 pf @ 40 v - 200W (TC)
STGWA30N120KD STMicroelectronics STGWA30N120KD -
RFQ
 ECAD 2201 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGWA30 기준 220 w TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 960V, 20A, 10ohm, 15V 84 ns - 1200 v 60 a 100 a 3.85V @ 15V, 20A 2.4mj (on), 4.3mj (OFF) 105 NC 36ns/251ns
STD14NM50NAG STMicroelectronics STD14NM50NAG 2.0100
RFQ
 ECAD 2419 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, MDMESH ™ II 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD14 MOSFET (금속 (() DPAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 12A (TC) 10V 320mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 25V 816 pf @ 50 v - 90W
STP9N80K5 STMicroelectronics STP9N80K5 1.4205
RFQ
 ECAD 7504 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ K5 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP9N80 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 7A (TC) 10V 900mohm @ 3.5a, 10V 5V @ 100µa 12 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 100 v - 110W (TC)
BYW51G-200-TR STMicroelectronics BYW51G-200-TR -
RFQ
 ECAD 3837 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BYW51 기준 D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 850 mV @ 8 a 35 ns 15 µa @ 200 v 150 ° C (°)
STB11NM80T4 STMicroelectronics STB11NM80T4 7.9400
RFQ
 ECAD 2228 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB11 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 11A (TC) 10V 400mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 43.6 NC @ 10 v ± 30V 1630 pf @ 25 v - 150W (TC)
STFI13N80K5 STMicroelectronics STFI13N80K5 -
RFQ
 ECAD 4352 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ K5 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-262-3 2 팩 팩, i²pak STFI13N MOSFET (금속 (() I2PAKFP (TO-281) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 12A (TC) 10V 450mohm @ 6a, 10V 5V @ 100µa 29 NC @ 10 v ± 30V 870 pf @ 100 v - 35W (TC)
STL28N60M2 STMicroelectronics STL28N60M2 1.8081
RFQ
 ECAD 8127 0.00000000 stmicroelectronics * 테이프 & tr (TR) 활동적인 STL28 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000
LET9060STR STMicroelectronics let9060str -
RFQ
 ECAD 553 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 80 v PowerSO-10RF 노출 된 바닥 패드 패드 (2 개의 직선 리드 리드) let9060 960MHz LDMOS PowerSO-10RF (직선 리드) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 600 12a 300 MA 60W 17.2db - 28 v
STD7N65M2 STMicroelectronics STD7N65M2 1.7100
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD7N65 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 5A (TC) 10V 1.15ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 9 NC @ 10 v ± 25V 270 pf @ 100 v - 60W (TC)
STTH30R04G-TR STMicroelectronics STTH30R04G-TR 2.9200
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STTH30 기준 D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.45 V @ 30 a 100 ns 15 µa @ 400 v -40 ° C ~ 175 ° C 30A -
STF120NF10 STMicroelectronics STF120NF10 3.9800
RFQ
 ECAD 711 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF12 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 41A (TC) 10V 10.5mohm @ 60a, 10V 4V @ 250µA 233 NC @ 10 v ± 20V 5200 pf @ 25 v - 45W (TC)
STF18N60M6 STMicroelectronics STF18N60M6 2.5500
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M6 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF18 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-19057 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 280mohm @ 6.5a, 10V 4.75V @ 250µA 16.8 nc @ 10 v ± 25V 650 pf @ 100 v - 25W (TC)
LET9060S STMicroelectronics let9060s 56.8300
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 80 v PowerSO-10RF 노출 된 바닥 패드 패드 (2 개의 직선 리드 리드) let9060 960MHz LDMOS PowerSO-10RF (직선 리드) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 12a 300 MA 60W 17.2db - 28 v
STL57N65M5 STMicroelectronics STL57N65M5 11.4800
RFQ
 ECAD 2950 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL57 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (8x8) HV 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 4.3A (TA), 22.5A (TC) 10V 69mohm @ 20a, 10V 5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 25V 4200 pf @ 100 v - 2.8W (TA), 189W (TC)
STF3N62K3 STMicroelectronics STF3N62K3 1.0600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh3 ™ 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF3N62 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 620 v 2.7A (TC) 10V 2.5ohm @ 1.4a, 10V 4.5V @ 50µA 13 nc @ 10 v ± 30V 385 pf @ 25 v - 20W (TC)
P0102AL 5AA4 STMicroelectronics P0102AL 5AA4 0.8700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 P0102 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 3,000 6 MA 100 v 250 MA 800 MV 6a, 7a 200 µA 1.7 v 160 MA 1 µA 민감한 민감한
STX0560 STMicroelectronics STX0560 -
RFQ
 ECAD 8707 0.00000000 stmicroelectronics - 가방 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) STX0560 1.5 w To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 600 v 1 a 10µA NPN 1V @ 100MA, 500MA 70 @ 5MA, 5V -
STPS20120CB-TR STMicroelectronics STPS20120CB-TR 0.3260
RFQ
 ECAD 7020 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STPS20120 Schottky DPAK - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-STPS20120CB-TR 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 10A 920 MV @ 10 a 10 na @ 120 v 175 ° C
PN2907A STMicroelectronics PN2907A -
RFQ
 ECAD 2844 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN2907 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,500 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
ACST310-8FP STMicroelectronics ACST310-8FP 0.4455
RFQ
 ECAD 3410 0.00000000 stmicroelectronics ACS ™/ASD® 튜브 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 ACST310 TO-220FPAB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-15949-5 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 20 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 3 a 1.1 v 20A, 21A 10 MA
TXN625RG STMicroelectronics TXN625RG 3.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TXN625 to-220Ab 단열 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 50 MA 600 v 25 a 1.3 v 300A, 314A 40 MA 1.6 v 16 a 5 µA 표준 표준
STH175N4F6-6AG STMicroelectronics STH175N4F6-6AG 2.0200
RFQ
 ECAD 591 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ F6 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STH175 MOSFET (금속 (() H2PAK-2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 2.4mohm @ 60a, 10V 4.5V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 7735 pf @ 20 v - 150W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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