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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트
STF80N10F7 STMicroelectronics STF80N10F7 -
RFQ
 ECAD 4000 0.00000000 stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ vii 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF80N MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 40A (TC) 10V 10MOHM @ 40A, 10V 4.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 50 v - 30W (TC)
STP35N60M2-EP STMicroelectronics STP35N60M2-EP 3.0791
RFQ
 ECAD 6975 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2-EP 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP35 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 26A (TC) - - - ± 25V - -
STD10NM65N STMicroelectronics std10nm65n -
RFQ
 ECAD 6820 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD10 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 9A (TC) 10V 480mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 25V 850 pf @ 50 v - 90W (TC)
STP7NK30Z STMicroelectronics STP7NK30Z -
RFQ
 ECAD 7366 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP7N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 300 v 5A (TC) 10V 900mohm @ 2.5a, 10V 4.5V @ 50µA 13 nc @ 10 v ± 30V 380 pf @ 25 v - 50W (TC)
STF2LN60K3 STMicroelectronics STF2LN60K3 -
RFQ
 ECAD 898 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh3 ™ 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF2LN MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 4.5ohm @ 1a, 10V 4.5V @ 50µA 12 nc @ 10 v ± 30V 235 pf @ 50 v - 20W (TC)
STF18NM60N STMicroelectronics STF18NM60N 2.9100
RFQ
 ECAD 977 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF18 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 285mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 25V 1000 pf @ 50 v - 30W (TC)
STD15N65M5 STMicroelectronics STD15N65M5 5.0500
RFQ
 ECAD 5074 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD15 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 340mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 25V 816 pf @ 100 v - 85W (TC)
STW77N65M5 STMicroelectronics STW77N65M5 17.7300
RFQ
 ECAD 565 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW77 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 69A (TC) 10V 38mohm @ 34.5a, 10V 5V @ 250µA 200 nc @ 10 v 25V 9800 pf @ 100 v - 400W (TC)
STB47N50DM6AG STMicroelectronics STB47N50DM6AG 6.5900
RFQ
 ECAD 5070 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, MDMESH ™ DM6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB47 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 38A (TC) 10V 71mohm @ 19a, 10V 5V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 25V 2300 pf @ 100 v - 250W (TC)
STP15N60M2-EP STMicroelectronics STP15N60M2-EP 2.0100
RFQ
 ECAD 334 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2-EP 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP15 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 378mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 25V 590 pf @ 100 v - 110W (TC)
STB45NF06T4 STMicroelectronics STB45NF06T4 1.7400
RFQ
 ECAD 6265 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-4, d²pak (3 리드 + 탭), TO-263AA STB45 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 38A (TC) 10V 28mohm @ 19a, 10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 20V 1730 pf @ 25 v - 80W (TC)
STF7N60DM2 STMicroelectronics STF7N60DM2 1.5200
RFQ
 ECAD 2071 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF7 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 6A (TC) 10V 900mohm @ 3a, 10V 4.75V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 25V 324 pf @ 100 v - 25W (TC)
STQ3N45K3-AP STMicroelectronics STQ3N45K3-AP -
RFQ
 ECAD 1464 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh3 ™ 컷 컷 (CT) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 STQ3 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 450 v 600MA (TC) 10V 3.8ohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 50µA 6 nc @ 10 v ± 30V 150 pf @ 25 v - 3W (TC)
STB24N65M2 STMicroelectronics STB24N65M2 -
RFQ
 ECAD 3440 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB24N MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 16A (TC) 10V 230mohm @ 8a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 25V 1060 pf @ 100 v - 150W (TC)
STGFW35HF60W STMicroelectronics STGFW35HF60W 6.9000
RFQ
 ECAD 285 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 STGFW35 기준 88 W. to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 10ohm, 15V - 600 v 36 a 150 a 2.5V @ 15V, 20A 290µJ (ON), 185µJ (OFF) 140 NC 30ns/175ns
LET9120 STMicroelectronics Let9120 -
RFQ
 ECAD 7638 0.00000000 stmicroelectronics - 쟁반 쓸모없는 80 v M246 Let9120 860MHz LDMOS M246 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 18a 400 MA 150W 18db - 32 v
STW23NM60ND STMicroelectronics stw23nm60nd -
RFQ
 ECAD 3838 0.00000000 stmicroelectronics FDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW23N MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-8454-5 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 19.5A (TC) 10V 180mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 25V 2050 pf @ 50 v - 150W (TC)
SD2931-11W STMicroelectronics SD2931-11W 67.1550
RFQ
 ECAD 4432 0.00000000 stmicroelectronics - 쟁반 활동적인 125 v M244 SD2931 175MHz MOSFET M244 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 20A 250 MA 150W 15db - 50 v
STW62N65M5 STMicroelectronics STW62N65M5 14.4700
RFQ
 ECAD 4549 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, MDMESH ™ v 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW62 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 46A (TC) 10V 49mohm @ 23a, 10V 5V @ 250µA 142 NC @ 10 v ± 25V 6420 pf @ 100 v - 330W (TC)
STF23N80K5 STMicroelectronics STF23N80K5 5.4700
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ K5 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF23 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-16305-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 16A (TC) 10V 280mohm @ 8a, 10V 5V @ 100µa 33 NC @ 10 v ± 30V 1000 pf @ 100 v - 35W (TC)
STL86N3LLH6AG STMicroelectronics stl86n3llh6ag 1.0131
RFQ
 ECAD 1416 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ H6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL86 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 5.2MOHM @ 10.5A, 10V 2.5V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 2030 pf @ 25 v - 4W (TA), 60W (TC)
STW10N105K5 STMicroelectronics stw10n105k5 4.6500
RFQ
 ECAD 2143 0.00000000 stmicroelectronics Mdmesh K5 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW10 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1050 v 6A (TC) 10V 1.3ohm @ 3a, 10V 5V @ 100µa 21.5 nc @ 10 v 30V 545 pf @ 100 v - 130W (TC)
STLD125N4F6AG STMicroelectronics STLD125N4F6AG 3.4400
RFQ
 ECAD 2983 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ F6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn STLD125 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) 듀얼 측 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-17147-2 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 120A (TC) 6.5V, 10V 3MOHM @ 75A, 10V 4V @ 1MA 91 NC @ 10 v ± 20V 5600 pf @ 10 v - 130W (TC)
STPS40M80CR STMicroelectronics STPS40M80CR -
RFQ
 ECAD 2650 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STPS40 Schottky i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 20A 735 mv @ 20 a 65 µa @ 80 v 175 ° C (°)
STU60N3LH5 STMicroelectronics stu60n3lh5 -
RFQ
 ECAD 3426 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ v 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA stu60n MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 48A (TC) 5V, 10V 8.4mohm @ 24a, 10V 3V @ 250µA 8.8 NC @ 5 v ± 20V 1620 pf @ 25 v - 60W (TC)
T1010H-6G STMicroelectronics T1010H-6G 0.5448
RFQ
 ECAD 9764 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB T1010 D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2,000 하나의 25 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 10 a 1 v 100A, 105A 10 MA
STP3LN62K3 STMicroelectronics STP3LN62K3 0.9800
RFQ
 ECAD 964 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh3 ™ 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP3LN MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 620 v 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.25a, 10V 4.5V @ 50µA 17 nc @ 10 v ± 30V 386 pf @ 50 v - 45W (TC)
STGP10NC60S STMicroelectronics STGP10NC60S 2.6000
RFQ
 ECAD 883 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STGP10 기준 62.5 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 390V, 5A, 10ohm, 15V - 600 v 21 a 25 a 1.65V @ 15V, 5A 60µJ (on), 340µJ (OFF) 18 NC 19ns/160ns
STU8N65M5 STMicroelectronics stu8n65m5 -
RFQ
 ECAD 2756 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA stu8n MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-11365-5 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 25V 690 pf @ 100 v - 70W (TC)
STW56N65DM2 STMicroelectronics STW56N65DM2 11.7000
RFQ
 ECAD 375 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW56 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 48A (TC) 10V 65mohm @ 24a, 10V 5V @ 250µA 88 NC @ 10 v ± 25V 4100 pf @ 100 v - 360W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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